制造用于光刻设备的表膜的方法、用于光刻设备的表膜、光刻设备、器件制造方法、用于处理表膜的设备和用于处理表膜的方法技术

披露了制造用于光刻设备的表膜的方法。在一种配置中，该方法包括将至少一个石墨烯层(2)沉积在衬底(6)的平坦表面(4)上。该衬底包括第一衬底部分和第二衬底部分(12)。该方法还包括移除第一衬底部分，以便由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜(14)。该独立隔膜由第二衬底部分支撑。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造用于光刻设备的表膜的方法、用于光刻设备的表膜、光刻设备、器件制造方法、用于处理表膜的设备和用于处理表膜的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年10月22日提交的欧洲申请15191052.8、于2016年2月22日提交的欧洲申请16156637.7、于2016年5月19日提交的欧洲申请16170384.8以及于2016年9月1日提交的欧洲申请16186851.8的优选权，这些欧洲申请的全部内容以引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及制造用于光刻设备的表膜的方法、用于光刻设备的表膜、光刻设备和器件制造方法。
技术介绍
光刻设备是将所需的图案施加到衬底上(通常施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻设备可以用于例如制造集成电路(IC)。在这种情况下，可以将可替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成要在集成电路的单层上形成的电路图案。可以将该图案转移至衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括管芯的一部分、一个或更多个管芯)上。通常，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转移。通常，单个衬底将包含被连续产生图案的相邻目标部分的网络。光刻被广泛地认为是制造IC以及其它器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正在变成能够制造小型IC或其它器件和/或结构的更为关键的因素。图案印刷的极限的理论估计可以由瑞利(Rayleigh)分辨率准则给出，如等式(1)所示：其中，λ是所使用辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，k1是过程依赖调节因子(也称为瑞利常数)，并且CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。根据等式(1)，可以通过下述三种方式来获得特征的最小可印刷尺寸的缩减：通过缩短曝光波长λ，通过增大数值孔径NA，或者通过减小k1的值。为了缩短曝光波长并因此缩减最小可印刷尺寸，已经提出了使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在10-20nm的范围内(例如在13-14nm的范围内)的波长的电磁辐射。已经进一步提出可以使用具有小于10nm(例如在5-10nm的范围内，诸如6.7nm或6.8nm)的波长的EUV辐射。这种幅射被称为极紫外辐射或软X射线辐射。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源、或基于由电子储存环提供的同步加速器辐射的源。光刻设备包括图案形成装置(例如掩模或掩模版)。辐射通过图案形成装置或从图案形成装置反射而被提供，以便在衬底上形成图像。可以提供表膜以保护图案形成装置免受空浮颗粒和其它形式的污染的影响。图案形成装置的表面上的污染可能造成衬底上的制造缺陷。也可以提供表膜以用于保护除图案形成装置之外的光学元件。也可以使用表膜以在光刻设备的彼此密封的区域之间提供用于光刻辐射的通道。也可以使用表膜作为滤波器。表膜可以包括独立石墨烯隔膜。掩模组件可以包括保护图案形成装置(例如掩模)免受粒子污染的表膜。表膜可以由表膜框架支撑，从而形成表膜组件。表膜可以例如通过将表膜边界区域胶合到框架而附接至该框架。该框架可以永久性地或者以可解除的方式附接至图案形成装置。可以通过使石墨烯薄膜在液体的表面上浮动和将该薄膜收集到硅框架上而形成独立石墨烯隔膜。这样形成的石墨烯隔膜的品质已经被发现是可变的且难以控制的。此外，难以可靠地生产较大的石墨烯隔膜。已经发现的是，包括独立石墨烯隔膜的表膜的使用期限是有限的。期望改善使用独立石墨烯隔膜来制造表膜的方法中的一致性和控制，改善可靠地使用独立石墨烯隔膜生产较大表膜的能力，或者改善表膜的使用期限。
技术实现思路
根据本专利技术的一方面，提供一种制造用于光刻设备的表膜的方法，该方法包括：将至少一个石墨烯层沉积在衬底的平坦表面上，其中，该衬底包括第一衬底部分和第二衬底部分；以及移除所述第一衬底部分，以便由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜，所述独立隔膜由所述第二衬底部分支撑。根据本专利技术的一方面，提供一种用于光刻设备的表膜，该表膜包括至少一个石墨烯层，所述至少一个石墨烯层形成由衬底的一部分的平坦表面支撑的独立隔膜，所述石墨烯层生长在所述衬底上；在垂直于所述平坦表面的方向上观察时，所述平坦表面位于所述独立隔膜的外侧。根据本专利技术的一方面，提供一种包括结合到隔膜支撑件的隔膜的表膜，其中，所述隔膜包括石墨烯层；并且所述隔膜是利用隔膜沉积工艺结合到和形成在所述隔膜支撑件上的。根据本专利技术的一方面，提供一种器件制造方法，包括：使用图案形成装置将图案赋予辐射束；使用表膜来保护所述图案形成装置，所述表膜包括形成独立隔膜的至少一个石墨烯层；以及使电流通过所述至少一个石墨烯层，以加热所述至少一个石墨烯层。根据本专利技术的一方面，提供一种用于处理表膜的设备，所述表膜包括形成独立隔膜的至少一个石墨烯层，所示设备包括电流驱动设备，用以驱动电流通过所述独立隔膜以加热所述独立隔膜。根据本专利技术的一方面，提供一种处理表膜的方法，该表膜包括形成独立隔膜的至少一个石墨烯层，所述方法包括：驱动电流通过所述独立隔膜，以加热所述独立隔膜。根据本专利技术的一方面，提供一种处理表膜的方法，该表膜包括形成独立隔膜的至少一个石墨烯层，所述方法包括：使用电化学沉积将碳施加到所述至少一个石墨烯层。根据本专利技术的一方面，提供一种制造用于光刻设备的表膜的方法，该方法包括：将至少一个石墨烯层从液体的表面转移到包括开口的框架，从而由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜，所述独立隔膜跨过所述开口并且由所述框架支撑，其中，与所述至少一个石墨烯层接触的所述框架的一部分是疏水性的。根据本专利技术的一方面，提供一种制造用于光刻设备的表膜的方法，该方法包括：将至少一个石墨烯层从液体的表面转移到包括开口的框架，从而由至少一个石墨烯层形成独立隔膜，所述独立隔膜跨过开口并且由所述框架支撑，其中，在将所述至少一个石墨烯层转移到所述框架期间，所述液体具有在25摄氏度至80摄氏度范围内的温度。根据本专利技术的一方面，提供一种制造用于光刻设备的表膜的方法，该方法包括：将至少一个石墨烯层从液体的表面转移到包括开口的框架，从而由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜，所述独立隔膜跨过所述开口并且由所述框架支撑，其中，所述液体包括水、醇和非醇的其它溶剂。根据本专利技术的一方面，提供一种包括独立隔膜的表膜，所述独立隔膜包括除石墨烯之外的二维材料的至少一个层。根据本专利技术的一方面，提供包括独立隔膜的表膜组件和掩模组件，所述独立隔膜由至少一个石墨烯层或其它二维材料的层构成。根据本专利技术的一方面，提供一种制造用于光刻设备的表膜的方法，该方法包括：将二维材料的至少一个层沉积在衬底的平坦表面上，其中，所述衬底包括第一衬底部分和第二衬底部分；以及移除所述第一衬底部分，以便由所述二维材料的至少一个层形成独立隔膜，所述独立隔膜由所述第二衬底部分支撑。附图说明现在将参考随附的示意性附图仅以举例的方式描述本专利技术的实施例，在附图中，相应的附图标记指示相应的部件，其中：图1描绘了根据本专利技术的实施例的光刻设备；图2是光刻设备的更详细视图；图3是在处理以形成表膜之前的衬底和至少一个石墨烯层的示意性侧剖视图；图4描绘了在处理以形成表膜之后的图3的布置；图5是图4的表膜的示意性俯视图；图6是在处理以形成氧化硅层之后的硅基础层的示意性侧剖视图；图7是在进一步处理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造用于光刻设备的表膜的方法，包括：将至少一个石墨烯层沉积在衬底的平坦表面上，其中，所述衬底包括第一衬底部分和第二衬底部分；和移除所述第一衬底部分，以便由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜，所述独立隔膜由所述第二衬底部分支撑。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.22 EP 15191052.8;2016.02.22 EP 16156637.7;1.一种制造用于光刻设备的表膜的方法，包括：将至少一个石墨烯层沉积在衬底的平坦表面上，其中，所述衬底包括第一衬底部分和第二衬底部分；和移除所述第一衬底部分，以便由所述至少一个石墨烯层形成独立隔膜，所述独立隔膜由所述第二衬底部分支撑。2.如权利要求1所述的方法，其中，在垂直于所述衬底的平坦表面的方向上观察时，所述第一衬底部分被所述第二衬底部分环绕。3.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述独立隔膜对于波长为13.5nm的辐射的透明度为至少80％。4.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在垂直于衬底的平坦表面的方向上观察时，所述独立隔膜具有至少1mm2的表面积。5.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述至少一个石墨烯层包括多个石墨烯层。6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述独立隔膜包括所述至少一个石墨烯层的一部分和在所述至少一个石墨烯层的上表面或下表面上的至少一个附加层。7.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在移除所述第一衬底部分期间，在包括所述至少一个石墨烯层和所述衬底的叠层的至少前表面和侧表面上涂覆包封层或牺牲层。8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，通过选择性蚀刻所述衬底而移除所述第一衬底部分。9.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，使用化学气相沉积来沉积所述至少一个石墨烯层。10.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述衬底包括基础层和石墨烯支撑层；所述至少一个石墨烯层沉积在所述石墨烯支撑层上。11.如权利要求10所述的方法，其中，所述石墨烯支撑层包括以下物质中的一种或多种：Mo、Ni、Ru、Pt、Cu、Ti、V、Zr、Nb、Hf、Ta、W、Cr、硅化钼、硅化镍、硅化钌、硅化铂、硅化铜、硅化钛、硅化钒、硅化锆、硅化铌、硅化铪、硅化钽、硅化钨、硅化铬、钼的碳化物、镍的碳化物、钌的碳化物、铂的碳化物、铜的碳化物、钛的碳化物、钒的碳化物、锆的碳化物、铌的碳化物、铪的碳化物、钽的碳化物、钨的碳化物、铬的Cr碳化物。12.如权利要求10或11所述的方法，其中，包括所述至少一个石墨烯层和所述衬底的叠层包括包封层或牺牲层，该包封层或牺牲层在移除所述第一衬底部分期间涂覆在所述叠层的至少前表面和侧表面上；并且在形成所述包封层或牺牲层之后形成所述石墨烯支撑层。13.如权利要求12所述的方法，其中，使用LPCVD形成所述包封层或牺牲层，并且所述石墨烯支撑层包括Mo或硅化钼。14.如权利要求10至13中任一项所述的方法，其中，移除所述第一衬底部分以形成所述独立隔膜包括使用气相蚀刻工艺移除所述石墨烯支撑层的一部分的步骤。15.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述衬底包括基础层和第一石墨烯支撑层；所述至少一个石墨烯层被沉积在所述第一石墨烯支撑层上；并且第二石墨烯支撑层被沉积在所述至少一个石墨烯层上。16.如权利要求15所述的方法，其中，所述第一石墨烯支撑层和所述第二石墨烯支撑层具有相同的成分。17.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在垂直于所述衬底的平坦表面的方向上观察时，在所述独立隔膜外部的所述至少一个石墨烯层的一部分上设置有控制层，所述控制层能够用于控制所述独立隔膜中的张力。18.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述衬底包括基础层和石墨烯支撑层；所述至少一个石墨烯层沉积在所述石墨烯支撑层上；并且所述方法包括按照以下顺序的下述步骤：移除所述石墨烯支撑层的第一部分，而不移除所述至少一个石墨烯层的沉积在所述石墨烯支撑层的第一部分上的部分；将控制层沉积在所述至少一个石墨烯层上方；移除所述石墨烯支撑层的第二部分，使得所述至少一个石墨烯层与定位在所述石墨烯支撑层的第二部分上方的层之间的粘合力减弱或消除；和剥离定位在所述石墨烯支撑层的第二部分上方的所述层，由此形成所述独立隔膜。19.如权利要求18所述的方法，其中，使用侧蚀来执行所述石墨烯支撑层的第一部分和所述石墨烯支撑层的第二部分中的任一者或两者的移除。20.如权利要求17至19中任一项所述的方法，还包括：处理所述控制层，以改变所述控制层的内部结构，并且由此改变所述独立隔膜中的张力。21.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述表膜配置成保护光刻设备中的光学元件。22.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述独立隔膜配置成连续地跨过光刻设备中的图案形成装置。23.如前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：形成两个或更多个导电接触区域，所述两个或更多个导电接触区域定位成允许经由所述两个或更多个导电接触区域驱动电流通过所述独立隔膜。24.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，促进由碳到单层或多层石墨烯的转化的催化活性金属设置于所述至少一个石墨烯层内或者设置成与所述至少一个石墨烯层接触。25.如权利要求24所述的方法，其中，所述催化活性金属包括过渡金属。26.如权利要求24或25所述的方法，其中，通过以下操作中的一种或多种来提供所述催化活性金属：利用所述催化活性金属的原子对所述至少一个石墨烯层进行掺杂；在所述至少一个石墨烯层内形成所述催化活性金属的层；在所述至少一个石墨烯层的一侧或两侧形成所述催化活性金属的层；和在所述至少一个石墨烯层内包括所述催化活性金属的纳米颗粒。27.如权利要求24至26中任一项所述的方法，其中，通过在存在所述催化活性金属的蒸气的情况下执行所述至少一个石墨烯层的沉积来提供所述催化活性金属。28.如前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：在沉积所述至少一个石墨烯层之后，处理所述衬底以使所述衬底的平坦表面变形，由此改变所述独立隔膜中的张力。29.如权利要求28所述的方法，其中，对所述衬底的处理使得所述衬底在该衬底的、上面已经沉积有所述至少一个石墨烯层的一侧向内弯曲，由此向所述至少一个石墨烯层施加压缩力；或者使得所述衬底在该衬底的、上面已经沉积有所述至少一个石墨烯层的一侧向外弯曲，由此向所述至少一个石墨烯层施加张力。30.如权利要求28或29所述的方法，其中，对所述衬底的处理包括：对所述衬底进行非均匀地加热或冷却。31.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述独立隔膜形成有位于所述至少一个石墨烯层的任一侧或两侧的盖层。32.如权利要求31所述的方法，其中，所述盖层配置成保护所述至少一个石墨烯层免受自由基物质的化学侵蚀。33.如权利要求31或32所述的方法，其中，所述盖层包括金属或金属氧化物。34.如权利要求33所述的方法，其中，所述盖层包括从以下群组中选择的一种或更多种材料：Ru、Mo、B、MoSi2、h-BN、HfO2、ZrO2、Y2O3、Nb2O5、La2O3和Al2O3。35.如权利要求31至34中任一项所述的方法，其中，所述盖层是通过原子层沉积而形成的。36.如权利要求31至35中任一项所述的方法，其中，在所述盖层与所述至少一个石墨烯层之间设置粘合层。37.如权利要求36所述的方法，其中，所述粘合层包括具有sp2键合的碳和亲水性基团的材料。38.如权利要求35或36所述的方法，其中，所述粘合层包括无定形碳。39.如权利要求38所述的方法，其中，所述无定形碳被部分地氧化。40.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述独立隔膜包括具有不同的化学成分的多个层的序列，其中，所述序列包括所述至少一个石墨烯层和除石墨烯之外的二维材料的至少一个层。41.如权利要求40所述的方法，其中，所述多个层的序列包括至少一个石墨烯层与除石墨烯之外的二维材料的至少一个层交替的交替序列。42.如权利要求40或41所述的方法，其中，所述多个层的序列包括夹在位于一侧的至少一层石墨烯与位于另一侧的至少一层石墨烯之间的除石墨烯之外的二维材料的至少一个层。43.如权利要求31至39中任一项所述的方法，其中，所述盖层包括除石墨烯之外的二维材料的至少一个层。44.如权利要求40至43中任一项所述的方法，其中，所述除石墨烯之外的二维材料的至少一个层包括以下材料中的一种或更多种的至少一个层：石墨炔、硼墨烯、硅烯、锡烯、磷烯、辉钼矿、石墨烷、h-BN、锗烷、MXene、过渡金...

【专利技术属性】
技术研发人员：玛丽亚·皮特，埃里克·阿奇里斯·阿贝格，A·J·M·吉斯贝斯，J·H·克洛特韦克，马克西姆·A·纳萨勒维奇，W·T·A·J·范登艾登，威廉·琼·范德赞德，彼得詹·范兹沃勒，J·P·M·B·沃缪伦，D·F·弗莱斯，WP·福尔蒂森，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰,NL