The invention relates to a manufacturing method of surface treated copper foil, copper foil with carrier, laminate, printed wiring board and an electronic machine. Specifically, a surface-treated copper foil is provided that, even for high-frequency circuit substrates, can reduce transmission losses well, and the peeling strength becomes good when bonded to insulating substrates such as resins. A surface-treated copper foil having a copper foil and a surface-treated layer containing a roughening layer on at least one surface of the copper foil. The average length of roughening particles in the roughening layer is less than 0.030 micron and the roughening layer is less than 0.8 micron when viewed from the surface side of the copper foil with a roughening layer. The average number of interstitial parts between adjacent roughened particles is below 20/100um and 1700/100um. The frequency of overlap and contact of roughened particles in roughened layer is below 120/100um.
【技术实现步骤摘要】
表面处理铜箔、带载体的铜箔、层压体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
本专利技术涉及一种表面处理铜箔、带载体的铜箔、层压体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。
技术介绍
历经这半个世纪，印刷配线板得到了很大的进展，如今已达到在几乎所有的电子机器中使用的程度。随着近年来的电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化或信号的高频化进步，对印刷配线板要求优异的高频对应。高频用基板中，为了确保输出信号的品质，要求传输损耗降低。传输损耗主要包括由树脂(基板侧)引起的介电损耗、与由导体(铜箔侧)引起的导体损耗。树脂的介电常数及介电损耗角正切变得越小，介电损耗越减少。高频信号中，导体损耗的主要原因为：由于频率变得越高，电流越是仅在导体的表面流通的表皮效果，电流流通的截面积减少，电阻升高。作为以降低高频用铜箔的传输损耗为目的的技术，例如，在专利文献1中公开了如下的高频电路用金属箔，其在金属箔表面的单面或两面被覆银或银合金，在该银或银合金被覆层上，以比上述银或银合金被覆层的厚度薄的厚度施加有银或银合金以外的被覆层。而且记载有，借此可提供在卫星通信中所使用的超高频区域中也减小由表皮效果引起的损耗的金属箔。另外，专利文献2中公开了如下的高频电路用粗糙化处理压延铜箔，其特征在于：压延铜箔的再结晶退火后的压延面上的通过X射线衍射来求出的(200)面的积分强度(I(200))相对于微粉末铜的通过X射线衍射来求出的(200)面的积分强度(I0(200))，为I(200)/I0(200)＞40，对该压延面进行通过电镀的粗糙化处理后的粗糙化处理面的算术平均粗...
【技术保护点】
1.一种表面处理铜箔，具有铜箔、以及在上述铜箔的一个或两个面具有包含粗糙化处理层的表面处理层，从上述铜箔的具有上述粗糙化处理层的面侧来观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度为0.030μm以上0.8μm以下，上述粗糙化处理层的邻接的粗糙化粒子间的间隙部分的平均个数为20个/100μm以上1700个/100μm以下，将上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的重叠频度与接触频度合计的频度为120次/100μm以下。
【技术特征摘要】
2017.02.07 JP 2017-020508;2017.03.03 JP 2017-040301.一种表面处理铜箔，具有铜箔、以及在上述铜箔的一个或两个面具有包含粗糙化处理层的表面处理层，从上述铜箔的具有上述粗糙化处理层的面侧来观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度为0.030μm以上0.8μm以下，上述粗糙化处理层的邻接的粗糙化粒子间的间隙部分的平均个数为20个/100μm以上1700个/100μm以下，将上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的重叠频度与接触频度合计的频度为120次/100μm以下。2.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，上述粗糙化处理层的邻接的粗糙化粒子间的间隙部分的平均长度为0.01μm以上1.5μm以下。3.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均个数为50个/100μm以上。4.根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均个数为50个/100μm以上。5.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，在与上述铜箔的厚度方向平行的截面中观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度为0.01μm以上0.9μm以下。6.根据权利要求2所述的表面处理铜箔，其中，在与上述铜箔的厚度方向平行的截面中观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度为0.01μm以上0.9μm以下。7.根据权利要求3所述的表面处理铜箔，其中，在与上述铜箔的厚度方向平行的截面中观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度为0.01μm以上0.9μm以下。8.根据权利要求4所述的表面处理铜箔，其中，在与上述铜箔的厚度方向平行的截面中观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度为0.01μm以上0.9μm以下。9.根据权利要求1所述的表面处理铜箔，其满足以下的(9-1)～(9-6)中的任一个或两个或三个或四个或五个或六个，(9-1)从上述铜箔的具有上述粗糙化处理层的面侧来观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度满足以下的(9-1-1)及(9-1-2)中的任一个或两个，(9-1-1)从上述铜箔的具有上述粗糙化处理层的面侧来观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度满足以下的任一个：·0.040μm以上、·0.055μm以上、·0.065μm以上、·0.075μm以上、·0.079μm以上、·0.085μm以上、·0.090μm以上、·0.100μm以上、·0.110μm以上，(9-1-2)从上述铜箔的具有上述粗糙化处理层的面侧来观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度满足以下的任一个：·0.75μm以下、·0.70μm以下、·0.65μm以下、·0.60μm以下、·0.585μm以下、·0.570μm以下、·0.490μm以下、·0.420μm以下、·0.400μm以下、·0.360μm以下、·0.300μm以下、·0.205μm以下；(9-2)上述粗糙化处理层的邻接的粗糙化粒子间的间隙部分的平均个数满足以下的(9-2-1)及(9-2-2)中的任一个或两个，(9-2-1)上述粗糙化处理层的邻接的粗糙化粒子间的间隙部分的平均个数满足以下的任一个：·50个/100μm以上、·69个/100μm以上、·70个/100μm以上、·95个/100μm以上、·115个/100μm以上、·120个/100μm以上、·200个/100μm以上、·290个/100μm以上、·300个/100μm以上、·330个/100μm以上、·365个/100μm以上、·375个/100μm以上、·410个/100μm以上、·450个/100μm以上、·455个/100μm以上、·470个/100μm以上，(9-2-2)上述粗糙化处理层的邻接的粗糙化粒子间的间隙部分的平均个数满足以下的任一个：·1620个/100μm以下、·1600个/100μm以下、·1200个/100μm以下、·770个/100μm以下、·740个/100μm以下；(9-3)将上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的重叠频度与接触频度合计的频度满足以下的(9-3-1)及(9-3-2)中的任一个或两个，(9-3-1)将上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的重叠频度与接触频度合计的频度满足以下的任一个：·105次/100μm以下、·85次/100μm以下、·80次/100μm以下、·75次/100μm以下、·65次/100μm以下、·45次/100μm以下，(9-3-2)将上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的重叠频度与接触频度合计的频度满足以下的任一个：·0次/100μm以上、·1次/100μm以上、·2次/100μm以上、·3次/100μm以上、·5次/100μm以上、·10次/100μm以上、·15次/100μm以上；(9-4)上述粗糙化处理层的邻接的粗糙化粒子间的间隙部分的平均长度满足以下的(9-4-1)及(9-4-2)中的任一个或两个，(9-4-1)上述粗糙化处理层的邻接的粗糙化粒子间的间隙部分的平均长度满足以下的任一个：·0.025μm以上、·0.030μm以上、·0.055μm以上、·0.065μm以上、·0.068μm以上，(9-4-2)上述粗糙化处理层的邻接的粗糙化粒子间的间隙部分的平均长度满足以下的任一个：·0.200μm以下、·0.170μm以下、·0.150μm以下、·0.135μm以下；(9-5)上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均个数满足以下的(9-5-1)及(9-5-2)中的任一个或两个，(9-5-1)上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均个数满足以下的任一个：·125个/100μm以上、·150个/100μm以上、·175个/100μm以上、·190个/100μm以上、·200个/100μm以上、·325个/100μm以上、·350个/100μm以上、·400个/100μm以上、·425个/100μm以上、·450个/100μm以上、·475个/100μm以上、·500个/100μm以上、·505个/100μm以上、·510个/100μm以上、·515个/100μm以上，(9-5-2)上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均个数满足以下的任一个：·1800个/100μm以下、·1750个/100μm以下、·1710个/100μm以下、·1700个/100μm以下、·1650个/100μm以下、·1625个/100μm以下、·1600个/100μm以下、·1500个/100μm以下、·1400个/100μm以下、·1300个/100μm以下、·1200个/100μm以下、·1100个/100μm以下、·1000个/100μm以下、·900个/100μm以下、·800个/100μm以下；(9-6)在与上述铜箔的厚度方向平行的截面中观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度满足以下的(9-6-1)及(9-6-2)中的任一个或两个，(9-6-1)在与上述铜箔的厚度方向平行的截面中观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度满足以下的任一个：·0.035μm以上、·0.080μm以上、·0.130μm以上、·0.135μm以上、·0.140μm以上、·0.145μm以上、·0.150μm以上、·0.155μm以上、·0.160μm以上、·0.165μm以上、·0.170μm以上、·0.175μm以上、·0.180μm以上、·0.190μm以上、·0.200μm以上、·0.210μm以上，(9-6-2)在与上述铜箔的厚度方向平行的截面中观察的情况下的上述粗糙化处理层的粗糙化粒子的平均长度满足以下的任一个：·0.85μm以下、·0.80μm以下、·0.75μm以下、·0.65μm以下、·0.55μm以下、·0.45μm以下、·0.40μm以下、·0.35μm以下、·0.33μm以下、·0.31μm以下、·0.30μm以下、·0.28μm以下。10.根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，上述表面处理层包含Co，且上述表面处理层中的Co的含有比率为15质量％以下(0质量％除外)。11.根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，上述表面处理层的合计附着量为1.0～5.0g/m2。12.根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，上述表面处理层包含Ni，上述表面处理层中的Ni的含有比率为8质量％以下(0质量％除外)。13.根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，上述表面处理层中的Co的附着量为30～2000μg/dm2。14.根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其中，上述表面处理层包含Ni，上述表面处理层中的Ni的附着量为10～1000μg/dm2。15.根据权利要求1至9中任一项所述的表面处理铜箔，其满足以下的(15-1)～(15-5)中的任一个或两个或三个或四个或五个，(15-1)上述表面处理层中的Ni的含有比率满足以下的(15-1-1)及(15-1-2)中的任一个或两个，(15-1-1)上述表面处理层中的Ni的含有比率满足以下的任一个：·大于0质量％、·0.01质量％以上、·0.02质量％以上、·0.03质量％以上、·0.04质量％以上、·0.05质量％以上、·0.06质量％以上、·0.07质量％以上、·0.08质量％以上、·0.09质量％以上、·0.10质量％以上、·0.11质量％以上、·0.15质量％以上、·0.20质量％以上、·0.25质量％以上，(15-1-2)上述表面处理层中的Ni的含有比率满足以下的任一个：·8质量％以下、·7.5质量...
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