金属箔、积层体、印刷配线板、半导体封装、电子机器及印刷配线板的制造方法技术

本发明专利技术公开了金属箔、积层体、印刷配线板、半导体封装、电子机器及印刷配线板的制造方法。本发明专利技术通过控制金属箔表面的凹凸状态、以及提供“在金属箔设置脱模层而能实现将所述金属箔贴合在树脂基材时的树脂基材的物理剥离的金属箔”，而低成本地制造具有微细电路的印刷配线板。本发明专利技术涉及一种附脱模层金属箔，其具备：具有第一面及第二面且第一面的均方根高度Sq为0.01μm以上且1μm以下的金属箔、以及设置在金属箔的第二面的脱模层。

Manufacturing Methods of Metal Foil, Laminate, Printed Wiring Board, Semiconductor Package, Electronic Machine and Printed Wiring Board

The invention discloses manufacturing methods of metal foil, laminate, printed wiring board, semiconductor package, electronic machine and printed wiring board. The invention can realize the physical stripping of the metal foil when the metal foil is bonded to the resin substrate by controlling the concave and convex state of the metal foil surface and providing a stripping layer on the metal foil, and can manufacture a printed wiring board with a micro circuit at low cost. The invention relates to a metal foil with a demoulding layer, which comprises a metal foil with a root mean square height Sq of 0.01 micron above and below 1 micron on the first side and a demoulding layer arranged on the second side of the metal foil.

【技术实现步骤摘要】
金属箔、积层体、印刷配线板、半导体封装、电子机器及印刷配线板的制造方法
本专利技术涉及一种附脱模层金属箔、金属箔、积层体、印刷配线板、半导体封装、电子机器及印刷配线板的制造方法。
技术介绍
印刷配线基板以及半导体封装基板的电路形成工艺中，减成工艺为主流，但由于近年来配线的进一步微细化，M-SAP(ModifiedSemi-AdditiveProcess，改良型半加成法)、或使用金属箔的表面轮廓的半加成工艺等新工艺开始盛行。这些新颖的电路形成工艺中，作为后者的使用金属箔的表面轮廓的半加成工艺的一例，可以列举如下方法。即，首先，对积层在树脂基材的金属箔的整个面进行蚀刻，利用激光等在转印有金属箔表面轮廓的蚀刻基材面开孔，并施加用来导通开孔部的无电解镀铜层，利用干膜覆盖无电解镀铜表面，通过UV曝光及显影将电路形成部的干膜去除，对未被干膜覆盖的无电解镀铜面实施电解镀铜并将干膜剥离，最后利用含有硫酸、双氧水的蚀刻液等对无电解镀铜层进行蚀刻(急速蚀刻、快速蚀刻)，由此形成微细电路(专利文献1、专利文献2)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本特开2006-196863号公报[专利文献2]日本特开2007-242975号公报。
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]然而，在低成本地制造具有微细电路的印刷配线板方面，现有的使用金属箔的表面轮廓的半加成工艺尚有研究的余地。[解决问题的手段]本专利技术人等努力进行研究，结果金属箔的面的凹凸状态得到控制。另外，在与所述凹凸状态得到控制的面为相反侧的金属箔的面设置脱模层，而能实现将所述金属箔贴合在树脂基材时的树脂基材的物理剥离。而且发现，通过按以下方式使用所述金属箔，能够低成本地制造具有微细电路的印刷配线板。即，在将所述金属箔的具有脱模层的面侧贴合在树脂基材之后，在所述凹凸状态得到控制的金属箔的面形成电路。然后，以将电路埋入的方式在形成有电路的金属箔的面积层树脂。随后将金属箔从树脂基材剥离，去除金属箔而露出所述电路，由此，发现能够通低成本地制造具有微细电路的印刷配线板。以所述见解为基础而完成的本专利技术的一方面为一种附脱模层金属箔，其具备：具有第一面及第二面且所述第一面的均方根高度Sq为0.01μm以上且1μm以下的金属箔、以及设置在所述金属箔的第二面的脱模层。在本专利技术的附脱模层金属箔的一实施方式中，所述金属箔的所述第二面的均方根高度Sq为0.25μm以上且1.6μm以下。本专利技术的附脱模层金属箔在另一实施方式中具有所述金属箔的第二面的均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm的比(Sq/Rsm)为0.03以上且0.40以下的表面凹凸。在本专利技术的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述金属箔的厚度为1μm以上且105μm以下。在本专利技术的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述金属箔为铜箔。在本专利技术的附脱模层金属箔的又一实施方式中，在所述金属箔的第一面、及/或所述金属箔与所述脱模层之间设置有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。在本专利技术的附脱模层金属箔的又一实施方式中，在设置在所述金属箔的第一面的所述选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层设置有树脂层。在本专利技术的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述树脂层为接着用树脂、底漆或半硬化状态的树脂。在本专利技术的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述脱模层包含至少1种或2种以上的下述化合物，所述化合物选自由下述化学式所表示的铝酸盐化合物、钛酸盐化合物、锆酸盐化合物、铝酸盐化合物的水解产物、钛酸盐化合物的水解产物、锆酸盐化合物的水解产物、铝酸盐化合物的水解产物的缩合物、钛酸盐化合物的水解产物的缩合物以及锆酸盐化合物的水解产物的缩合物所组成的群中，[化学式1](R1)m-M-(R2)n(式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或所述烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基，M为Al、Ti、Zr中的任一个，n为0、1或2，m为1以上且M的价数以下的整数，R1中的至少一个为烷氧基；m+n为M的价数；M的价数在Al的情况下为3，在Ti、Zr的情况下为4)。在本专利技术的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述脱模层包含至少1种或2种以上的下述化合物，所述化合物选自由下述化学式所表示的硅烷化合物、所述硅烷化合物的水解产物以及所述水解产物的缩合物所组成的群中，[化学式2](式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或所述烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基，R3及R4分别独立地为卤素原子、烷氧基、选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的所述烃基或所述烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基)。在本专利技术的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述脱模层是使用分子内具有2个以下的巯基的化合物而成。在本专利技术的附脱模层金属箔的又一实施方式中，在所述脱模层表面设置有树脂层。在本专利技术的附脱模层金属箔的又一实施方式中，所述树脂层为接着用树脂、底漆或半硬化状态的树脂。本专利技术的另一方面为一种金属箔，其具有第一面及第二面，且所述第一面的均方根高度Sq为0.01μm以上且1μm以下。在本专利技术的金属箔的一实施方式中，所述第二面的均方根高度Sq为0.25μm以上且1.6μm以下。本专利技术的金属箔的另一实施方式中，具有所述金属箔的第二面的均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm的比(Sq/Rsm)为0.03以上且0.40以下的表面凹凸。在本专利技术的金属箔的又一实施方式中，所述金属箔的厚度为1μm以上且105μm以下。在本专利技术的金属箔的又一实施方式中，所述金属箔为铜箔。在本专利技术的金属箔的又一实施方式中，在所述金属箔的第一面、及/或所述金属箔的第二面设置有选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。在本专利技术的金属箔的又一实施方式中，在设置在所述金属箔的第一面的所述选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层设置有树脂层。本专利技术的又一方面为一种积层体，其具备本专利技术的附脱模层金属箔或本专利技术的金属箔、及设置在所述附脱模层金属箔或所述金属箔的树脂基材。在本专利技术的积层体的一实施方式中，所述树脂基材为预浸料、或者、包含热硬化性树脂。本专利技术的又一方面为一种印刷配线板，其具备本专利技术的附脱模层金属箔或本专利技术的金属箔。本专利技术的又一方面为一种半导体封装，其具备本专利技术的印刷配线板。本专利技术的又一方面为一种电子机器，其具备本专利技术的印刷配线板或本专利技术的半导体封装。本专利技术的又一方面为一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：在本专利技术的附脱模层金属箔或本专利技术的金属箔贴合绝缘基板；通过将所述附脱模层金属箔或所述金属箔在不被蚀刻的情况下从所述绝缘基板剥离，而获得在剥离面转印有所述附脱模层金属箔或所述金属箔的表面轮廓的绝缘基板；及在所述转印有表面轮廓的绝缘基板的所述剥离面侧形成电路。在本专利技术的印刷配线板的制造方法的一实施方式中，在所述转印有表面轮廓的绝缘基板的所述剥离面侧形成的电路为镀敷图案或印刷图案。本专利技术的又一方面为一种印刷配线板的制造方法，包括以下步骤：在本专利技术的附脱模层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种附脱模层金属箔，其具备：具有第一面及第二面且所述第一面的均方根高度Sq为0.01μm以上且1μm以下的金属箔、以及设置在所述金属箔的第二面的脱模层。

【技术特征摘要】
2017.02.02 JP 2017-0180021.一种附脱模层金属箔，其具备：具有第一面及第二面且所述第一面的均方根高度Sq为0.01μm以上且1μm以下的金属箔、以及设置在所述金属箔的第二面的脱模层。2.根据权利要求1所述的附脱模层金属箔，其中，所述金属箔的所述第二面的均方根高度Sq为0.25μm以上且1.6μm以下。3.根据权利要求1所述的附脱模层金属箔，其具有所述金属箔的第二面的均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm的比Sq/Rsm为0.03以上且0.40以下的表面凹凸。4.根据权利要求2所述的附脱模层金属箔，其具有所述金属箔的第二面的均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm的比Sq/Rsm为0.03以上且0.40以下的表面凹凸。5.根据权利要求1至4中任一项所述的附脱模层金属箔，其满足以下5-1)及5-2)中的任一项或两项，5-1)所述第一面的均方根高度Sq满足以下5-1-1)及5-1-2)中的任一项或两项：5-1-1)所述第一面的均方根高度Sq满足以下任一项：·为0.020μm以上；·为0.025μm以上；5-1-2)所述第一面的均方根高度Sq满足以下任一项：·为0.90μm以下；·为0.32μm以下；·为0.25μm以下；5-2)所述金属箔的第二面的均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm的比Sq/Rsm满足以下任一项或两项：·为0.05以上；·为0.24以下。6.根据权利要求1至4中任一项所述的附脱模层金属箔，其中，所述金属箔的厚度为1μm以上且105μm以下。7.根据权利要求1至4中任一项所述的附脱模层金属箔，其中，所述金属箔为铜箔。8.根据权利要求1至4中任一项所述的附脱模层金属箔，其中，在所述金属箔的第一面、及/或所述金属箔与所述脱模层之间设置选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层。9.根据权利要求8所述的附脱模层金属箔，其中，在设置在所述金属箔的第一面的所述选自由粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层以及硅烷偶联处理层所组成的群中的一种以上的层设置有树脂层。10.根据权利要求9所述的附脱模层金属箔，其中，所述树脂层为接着用树脂、底漆或半硬化状态的树脂。11.根据权利要求1至4中任一项所述的附脱模层金属箔，其中，所述脱模层包含至少1种或2种以上的下述化合物，所述化合物选自由下述化学式所表示的铝酸盐化合物、钛酸盐化合物、锆酸盐化合物、铝酸盐化合物的水解产物、钛酸盐化合物的水解产物、锆酸盐化合物的水解产物、铝酸盐化合物的水解产物的缩合物、钛酸盐化合物的水解产物的缩合物以及锆酸盐化合物的水解产物的缩合物所组成的群中，[化学式1](R1)m-M-(R2)n式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或所述烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基，M为Al、Ti、Zr中的任一个，n为0、1或2，m为1以上且M的价数以下的整数，R1中的至少一个为烷氧基；m+n为M的价数；M的价数在Al的情况下为3，在Ti、Zr的情况下为4。12.根据权利要求1至4中任一项所述的附脱模层金属箔，其中，所述脱模层包含至少1种或2种以上的下述化合物，所述化合物选自由下述化学式所表示的硅烷化合物、所述硅烷化合物的水解产物以及所述水解产物的缩合物所组成的群中，[化学式2]式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的烃基、或所述烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基，R3及R4分别独立地为卤素原子、烷氧基、选自由烷基、环烷基及芳基所组成的群中的所述烃基或所述烃基的一个以上的氢原子被卤素原子所取代的烃基。13.根据权利要求1至4中任一项所述的附脱模层金属箔，其中，所述脱模层是使用分子内具有2个以下巯基的化合物而成。14.根据权利要求1至4中任一项所述的附脱模层金属箔，其中，在所述脱模层表面设置有树脂层。15.根据权利要求14所述的附脱模层金属箔，其中，所述树脂层为接着用树脂、底漆或半硬化状态的树脂。16.一种金属箔，其具有第一面及第二面，且所述第一面的均方根高度Sq为0.01μm以上且1μm以下。17.根据权利要求16所述的金属箔，其中，所述第二面的均方根高度Sq为0.25μm以上且1.6μm以下。18.根据权利要求16所述的金属箔，其具有所述金属箔的第二面的均方根高度Sq与凹凸的平均间隔Rsm的比Sq/Rsm为0.03以上且0.40以...

【专利技术属性】
技术研发人员：森山晃正，石井雅史，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP