A light-emitting diode chip and a LED chip are provided to achieve sufficient brightness. The method has a wafer preparation procedure, in which a wafer is prepared as follows: the wafer has a laminated body layer on a transparent substrate for crystal growth, and an LED circuit is formed in each region divided by a plurality of intersecting dividing predetermined lines on the front of the laminated body layer, and the laminated body layer forms a plurality of halves including a luminous layer. In the first transparent substrate pasting process, the front face of the first transparent substrate with multiple through holes is pasted on the back of the wafer to form the first integrated wafer; in the second transparent substrate pasting process, the front face of the second transparent substrate with multiple bubbles is pasted on the back of the first transparent substrate. A second integrated wafer is formed on the plane, and the second integrated wafer is divided into various light-emitting diode chips by cutting the wafer along the dividing predetermined line with the first and second transparent substrates.
【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片
本专利技术涉及发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。
技术介绍
在蓝宝石基板、GaN基板、SiC基板等晶体成长用基板的正面上形成有层叠体层,该层叠体层通过将n型半导体层、发光层和p型半导体层层叠多层而形成,将在该层叠体层上由交叉的多条分割预定线划分的区域内形成有多个LED(LightEmittingDiode:发光二极管)等发光器件的晶片被沿着分割预定线切断而分割成各个发光器件芯片,分割得到的发光器件芯片被广泛地应用在移动电话、个人计算机、照明设备等各种电子设备中。由于从发光器件芯片的发光层射出的光具有各向同性,所以光也会照射到晶体成长用基板的内部而也从基板的背面和侧面射出。然而,在照射到基板的内部的光中,由于基板与空气层的界面处的入射角为临界角以上的光在界面上发生全反射而被关在基板内部,不会从基板射出到外部,所以存在导致发光器件芯片的亮度降低的问题。为了解决该问题,在专利文献1中记载了如下的发光二极管(LED):为了抑制从发光层射出的光被关在基板的内部,将透明部件粘贴在基板的背面上而实现亮度的提高。专利文献1:日本特开2014-175354号公报然而,在专利文献1所公开的发光二极管中,存在如下问题:虽然通过将透明部件粘贴在基板的背面而稍微提高了亮度,但无法得到充分的亮度。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的点而完成的,其目的在于,提供能够得到充分的亮度的发光二极管芯片的制造方法和发光二极管芯片。根据技术方案1所述的专利技术,提供发光二极管芯片的制造方法,其特征在于,该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序:晶片 ...
【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片的制造方法,其特征在于,该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序:晶片准备工序,准备如下的晶片:该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层,在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路,其中,所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层;第1透明基板粘贴工序,将整个面的区域内形成有多个贯通孔的第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成第1一体化晶片;第2透明基板粘贴工序,在实施了该第1透明基板粘贴工序之后,将内部形成有多个气泡的第2透明基板的正面粘贴在该第1透明基板的背面上而形成第2一体化晶片;以及分割工序,沿着该分割预定线将该晶片与该第1透明基板和该第2透明基板一起切断而将该第2一体化晶片分割成各个发光二极管芯片。
【技术特征摘要】
2017.02.06 JP 2017-0198581.一种发光二极管芯片的制造方法,其特征在于,该发光二极管芯片的制造方法具有如下的工序:晶片准备工序,准备如下的晶片:该晶片在晶体成长用透明基板上具有层叠体层,在该层叠体层的正面上的由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中分别形成有LED电路,其中,所述层叠体层形成有包含发光层在内的多个半导体层;第1透明基板粘贴工序,将整个面的区域内形成有多个贯通孔的第1透明基板的正面粘贴在晶片的背面上而形成第1一体化晶片;第2透明基板粘贴工序,在实施了该第1透明基板粘贴工序之后,将内部形成有多个气泡的第2透明基板的正面粘贴在该第1透明基板的背面上而形成第2一体化晶片;以及分割工序,沿着该分割预定线将该晶片与该第1透明基板和该第2透明...
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