一种基于射频混频技术的多频段变频系统技术方案

技术编号:18662233 阅读:45 留言:0更新日期:2018-08-11 16:16
本发明专利技术公开了一种基于射频混频技术的多频段变频系统,包括:依次连接的滤波电路、射频开关电路、前端放大电路、混频电路、信号放大电路。混频电路包括变频芯片U10和与之连接的单片机U9、第一电路和第二电路,第一电路包括电感L7、电感L8、电阻R16、电容C31、电容C32、电容C34、电容C35;第二电路包括电容C39、电容C42、电容C44、电容C45、电感L10,其中变频芯片U10的第二十三脚依次与电容C44、电容C45、电容C42连接;变频芯片U10的第二十四脚依次与电容C39、电感L10、电容C42连接。本发明专利技术为广电在1GHz以下的低频段提供了一种高可靠性无线通信方法。

A multi band frequency conversion system based on radio frequency mixing technology

The invention discloses a multi-band frequency conversion system based on radio frequency mixing technology, which comprises a filter circuit connected sequentially, a radio frequency switch circuit, a front-end amplifier circuit, a mixing circuit and a signal amplifier circuit. The mixing circuit includes the frequency conversion chip U10 and the single chip U9, the first circuit and the second circuit connected with it. The first circuit includes the inductance L7, the inductance L8, the resistance R16, the capacitance C31, the capacitance C32, the capacitance C34, the capacitance C35; the second circuit includes the capacitance C39, the capacitance C42, the capacitance C44, the capacitance C45, the inductance L10, in which the frequency conversion chip U10. The 23rd leg is connected with capacitor C44, capacitor C45 and capacitor C42 in turn, and the 24th leg of frequency conversion chip U10 is connected with capacitor C39, inductance L10 and capacitor C42 in turn. The invention provides a high reliability wireless communication method for radio and television in the low frequency band below 1 GHz.

【技术实现步骤摘要】
一种基于射频混频技术的多频段变频系统
本专利技术属于无线通信技术,具体地是涉及一种基于射频混频技术的多频段变频系统。
技术介绍
传统的WiFi协议是基于ISM频段的无线通信协议,技术成熟度高,室内和近距离应用广泛。但是受限于其高频段射频特性,在室外或城市无线通信应用中,传统WiFi的信号穿透、衍射性能和覆盖范围等方面,相对于1GHz以下的低频段信号(如广电700MHz,免执照频段)弱很多。IEEE组织已在兼容传统WiFi协议的基础上,基于广电频段(470–790MHz)起草IEEE802.11af,将应用于共享电视白频谱空间;基于1GHz以下免执照频段,起草IEEE802.11ah,将应用于智慧电网和长距离无线局域网;目前没有任何主流芯片和设备厂商实际投入产品开发。因此,本专利技术的专利技术人亟需构思一种新技术以改善其问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种基于射频混频技术的多频段变频系统。本专利技术的技术方案是:一种基于射频混频技术的多频段变频系统,包括:依次连接的滤波电路、射频开关电路、前端放大电路、混频电路、信号放大电路,其中所述混频电路包括变频芯片U10和与之连接的单片机U9、第一电路和第二电路,其中所述第一电路包括电感L7、电感L8、电阻R16、电容C31、电容C32、电容C34、电容C35;电感L7与电阻R16并联在所述变频芯片U10的第十七脚和第十八脚之间;电容C32一端与所述变频芯片U10的第十八脚连接,另一端与电容C34连接后接地;电感L8一端与所述变频芯片U10的第十七脚连接,另一端依次经过电容C31、电容C35后接地;所述第二电路包括电容C39、电容C42、电容C44、电容C45、电感L10,其中所述变频芯片U10的第二十三脚依次与电容C44、电容C45、电容C42连接;所述变频芯片U10的第二十四脚依次与电容C39、电感L10、电容C42连接。优选地,所述前端放大电路包括功率限幅器D1、功率限幅器D3、滤波器U5、滤波器U7、信号放大器U6,其中所述功率限幅器D1的第一脚与所述射频开关电路连接,第二脚与所述滤波器U5连接;所述功率限幅器D3的第二脚与所述射频开关电路连接,第一脚与所述信号放大器U6的第四脚连接,所述信号放大器U6的第三脚与所述滤波器U7连接。优选地,所述信号放大电路包括滤波器U11、驱动放大器U12、射频开关U16、接口J2、电容C70、电容C72、电容C96、电容C99、电感L15,其中滤波器U11的第二脚与混频电路连接,第五脚经过电容C70、电感L15后与驱动放大器U12的第三脚连接,驱动放大器U12的输出端经过电容C72、电容C96后与射频开关U16连接,射频开关U16的第二脚经过电容C99后与接口J2连接。优选地,所述射频开关电路包括射频开关U8、电容C14、电容C18,射频开关U8第二脚与所述滤波电路连接,第四脚经过电容C18后与所述前端放大电路连接,第六脚经过电容C14后与所述前端放大电路连接。优选地,所述滤波电路包括接口J1、电容C5、电容C7、电容C8、滤波器U1,其中所述电容C5一端与所述接口J1连接,另一端分别与所述电容C7和滤波器U1连接,电容C7与电容C8连接后接地。优选地,所述混频电路还包括第三电路,所述第三电路包括电感L4、电感L5、电阻R14、电容C21、电容C22、电容C23、电容C24;电感L4与电阻R14并联在所述变频芯片U10的第二十七脚和第二十八脚之间;电容C22一端与所述变频芯片U10的第二十七脚连接,另一端与电容C23连接后接地;电感L5一端与所述变频芯片U10的第二十八脚连接,另一端依次经过电容C21、电容C24后接地。优选地,所述混频电路还包括第四电路,所述第四电路包括电容C50、电容C52、电容C53、电容C54、电容C55、电感L12、电感L13,其中电容C52一端与所述变频芯片U10的第十三脚连接,另一端分别与电容C50和电感L12连接,电感L12的另一端与电容C53连接;电容C54一端与所述变频芯片U10的第十四脚连接,另一端分别与电容C55和电感L13连接,电容C55的另一端与电容C53连接。优选地,所述变频芯片U10为RFFC2071变频芯片。优选地,所述单片机U9为BL21P01单片机。优选地,所述射频开关U8、射频开关U16为SKY13370-374LF射频开关。采用上述技术方案,本专利技术至少包括如下有益效果:本专利技术所述的基于射频混频技术的多频段变频系统,为广电在1GHz以下的低频段(如400,500,600,700,800MHZ)提供了一种高可靠性无线通信方法,对于广电行业提高频谱利用率、降低新协议和芯片开发成本和周期、快速产品化落地和推广具有很强的实际意义。此外,模块化设计且本振(LO)是可编程的频率范围:85MHz到2700MHz,可节省成本和缩短开发周期,更能满足于更多的行业的需求。附图说明图1为本专利技术所述的基于射频混频技术的多频段变频系统的结构示意图;图2为本专利技术所述的滤波电路的电路图;图3为本专利技术所述的射频开关电路和前端放大电路的电路图;图4a为本专利技术所述的混频电路的电路图;图4b为本专利技术所述的第一电路的电路图;图4c为本专利技术所述的第二电路的电路图;图4d为本专利技术所述的第三电路的电路图;图4e为本专利技术所述的第四电路的电路图;图4f为本专利技术所述的混频器电路的外围电路图;图5a为本专利技术所述的信号放大电路的部分电路图;图5b为本专利技术所述的信号放大电路的部分电路图;图5c为本专利技术所述的信号放大电路的部分电路图;图5d为本专利技术所述的信号放大电路的部分电路图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。如图1至图5所示,为符合本专利技术的一种基于射频混频技术的多频段变频系统,包括:依次连接的滤波电路、射频开关电路、前端放大电路、混频电路、信号放大电路,其中所述混频电路包括变频芯片U10和与之连接的单片机U9、第一电路和第二电路,其中所述第一电路包括电感L7、电感L8、电阻R16、电容C31、电容C32、电容C34、电容C35;电感L7与电阻R16并联在所述变频芯片U10的第十七脚和第十八脚之间;电容C32一端与所述变频芯片U10的第十八脚连接,另一端与电容C34连接后接地;电感L8一端与所述变频芯片U10的第十七脚连接,另一端依次经过电容C31、电容C35后接地;所述第二电路包括电容C39、电容C42、电容C44、电容C45、电感L10,其中所述变频芯片U10的第二十三脚依次与电容C44、电容C45、电容C42连接;所述变频芯片U10的第二十四脚依次与电容C39、电感L10、电容C42连接。优选地,所述前端放大电路包括功率限幅器D1、功率限幅器D3、滤波器U5、滤波器U7、信号放大器U6,其中所述功率限幅器D1的第一脚与所述射频开关电路连接,第二脚与所述滤波器U5连接;所述功率限幅器D3的第二脚与所述射频开关电路连接,第一脚与所述信号放大器U6的第四脚连接,所述信号放大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于射频混频技术的多频段变频系统,其特征在于,包括:依次连接的滤波电路、射频开关电路、前端放大电路、混频电路、信号放大电路,其中所述混频电路包括变频芯片U10和与之连接的单片机U9、第一电路和第二电路,其中所述第一电路包括电感L7、电感L8、电阻R16、电容C31、电容C32、电容C34、电容C35;电感L7与电阻R16并联在所述变频芯片U10的第十七脚和第十八脚之间;电容C32一端与所述变频芯片U10的第十八脚连接,另一端与电容C34连接后接地;电感L8一端与所述变频芯片U10的第十七脚连接,另一端依次经过电容C31、电容C35后接地;所述第二电路包括电容C39、电容C42、电容C44、电容C45、电感L10,其中所述变频芯片U10的第二十三脚依次与电容C44、电容C45、电容C42连接;所述变频芯片U10的第二十四脚依次与电容C39、电感L10、电容C42连接。

【技术特征摘要】
1.一种基于射频混频技术的多频段变频系统,其特征在于,包括:依次连接的滤波电路、射频开关电路、前端放大电路、混频电路、信号放大电路,其中所述混频电路包括变频芯片U10和与之连接的单片机U9、第一电路和第二电路,其中所述第一电路包括电感L7、电感L8、电阻R16、电容C31、电容C32、电容C34、电容C35;电感L7与电阻R16并联在所述变频芯片U10的第十七脚和第十八脚之间;电容C32一端与所述变频芯片U10的第十八脚连接,另一端与电容C34连接后接地;电感L8一端与所述变频芯片U10的第十七脚连接,另一端依次经过电容C31、电容C35后接地;所述第二电路包括电容C39、电容C42、电容C44、电容C45、电感L10,其中所述变频芯片U10的第二十三脚依次与电容C44、电容C45、电容C42连接;所述变频芯片U10的第二十四脚依次与电容C39、电感L10、电容C42连接。2.如权利要求1所述的基于射频混频技术的多频段变频系统,其特征在于:所述前端放大电路包括功率限幅器D1、功率限幅器D3、滤波器U5、滤波器U7、信号放大器U6,其中所述功率限幅器D1的第一脚与所述射频开关电路连接,第二脚与所述滤波器U5连接;所述功率限幅器D3的第二脚与所述射频开关电路连接,第一脚与所述信号放大器U6的第四脚连接,所述信号放大器U6的第三脚与所述滤波器U7连接。3.如权利要求1或2所述的基于射频混频技术的多频段变频系统,其特征在于:所述信号放大电路包括滤波器U11、驱动放大器U12、射频开关U16、接口J2、电容C70、电容C72、电容C96、电容C99、电感L15,其中滤波器U11的第二脚与混频电路连接,第五脚经过电容C70、电感L15后与驱动放大器U12的第三脚连接,驱动放大器U12的输出端经过电容C72、电容C96后与射频开关U16连接,射频开关U16的第二脚经过电容C99后与接口J2连接。4.如权利要求1-3任一所述的基于射频混频技术的多频段变频系统,其特征在于:所述射频开关电路包括射频开...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘春良张森飞孙海龙陈永波陈煜
申请(专利权)人:苏州汉明科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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