一种微型LED芯片及其转移设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微型LED芯片及其转移设备，其中，微型LED芯片的转移设备包括承接基板和滚动刷头；其中，承接基板的第一面设有多个凹槽，凹槽底部设有用于吸附微型LED芯片的吸附块，吸附块到凹槽的开口的距离小于微型LED本体的厚度，凹槽的开口大于微型LED本体的尺寸，且小于弧状结构的尺寸，以使一个微型LED本体落入一个凹槽中；滚动刷头用于在承接基板上来回滚动，以使位于承接基板上的微型LED芯片的微型LED本体落入凹槽中，并将多余的微型LED芯片冲刷掉。本实用新型专利技术的实施例通过承接基板将与承接基板上凹槽匹配的微型LED芯片转移到待制备的基板上，转移效率高，适合微型LED芯片巨量转移。

A micro LED chip and its transfer equipment

The utility model discloses a micro LED chip and a transfer device, in which the transfer equipment of a micro LED chip includes a base plate and a rolling brush head, in which the first surface of the substrate is provided with a plurality of grooves, and the bottom of the groove is provided with an adsorption block for the adsorption of a micro LED chip, and the distance of the opening of the adsorption block to the groove is less than that of the groove. The thickness of the miniature LED body is larger than the size of the micro LED body, and is less than the size of the arc structure to make a micro LED body fall into a groove, and the rolling brush head is used to roll back and forth on the substrate to make the miniature LED body of the micro LED chip on the substrate to fall into the groove and will be in the groove. The superfluous micro LED chip is washed away. The implementation example of the utility model transfers the micro LED chip which is matched to the groove on the substrate to the base plate to be prepared, and the transfer efficiency is high and is suitable for the huge transfer of the micro LED chip.

【技术实现步骤摘要】
一种微型LED芯片及其转移设备
本技术实施例涉及LED显示
，尤其涉及一种微型LED芯片及其转移设备。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)以其体积小、功率低、使用寿命长、高亮度以及主动发光等优点，而被广泛应用于照明及显示等
微型LED，又称微LED、mLED或μLED，是一种新型的平面显示技术，微型LED显示器具备单独像素元件的LED阵列，与目前广泛应用的液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)相比，微型LED显示器具备更好的对比度，更快的响应速度，更低的能耗。由于微型LED是以芯片的形式单独被制造出来，尺寸在微米量级，因此，在制作显示器件的过程中，需要将巨量的微型LED芯片转移到驱动板的适当位置。现有的LED转移技术，均是逐个提取芯粒，过程花费的时间长，对于大规模生产，需要更快更高效的制造转移方式。
技术实现思路
本技术提供一种微型LED芯片及其转移设备，以实现微型LED的巨量转移。第一方面，本技术实施例提供了一种微型LED芯片，包括：微型LED本体，用于在转移微型LED芯片时落入转移设备中承接基板的凹槽中；弧状结构，弧状结构包括相对的弧面和平面，微型LED本体固定于平面上，用于在微型LED本体落入凹槽中后，朝向外侧的弧面减小转移设备中滚动刷头的冲刷力；微型LED本体在平面上的垂直投影位于平面内。可选的，微型LED本体包括依次层叠的第一电极、第一半导体层、第二半导体层和第二电极，第一电极与弧状结构相接触。可选的，微型LED本体包括第二电极以及依次层叠的第二半导体层、第一半导体层和第一电极，第二半导体层与弧状结构相接触，第一半导体层的一部分被刻蚀，暴露出第二半导体层，暴露出的第二半导体层与第二电极电接触。可选的，第一半导体层为P型半导体层，第二半导体层为N型半导体层。可选的，第一半导体层和第二半导体层的材料包括GaN。第二方面，本技术实施例还提供了微型LED芯片的转移设备，该微型LED芯片的转移设备包括：承接基板和滚动刷头；其中，承接基板的第一面设有多个凹槽，凹槽底部设有用于吸附微型LED芯片的吸附块，吸附块到凹槽的开口的距离小于微型LED本体的厚度，凹槽的开口大于微型LED本体的尺寸，且小于弧状结构的尺寸，以使一个微型LED本体落入一个凹槽中；滚动刷头用于在承接基板上来回滚动，以使位于承接基板上的微型LED芯片的微型LED本体落入凹槽中，并将多余的微型LED芯片冲刷掉。可选的，该微型LED芯片的转移设备还包括静电产生装置，静电产生装置与吸附块连接，用于产生静电，以使吸附块带静电。可选的，该微型LED芯片的转移设备还包括震动发生器，震动发生器与承接基板连接，用于产生震动，并带动承接基板震动，以辅助微型LED本体落入凹槽中。可选的，该微型LED芯片的转移设备还包括传动装置，用于控制滚动刷头在承接基板的表面来回滚动。可选的，承接基板上的凹槽呈阵列排布。可选的，承接基板的第一面形成有一层液体，液体的深度大于微型LED芯片的厚度，液体的密度小于微型LED芯片的密度。本技术实施例通过设计与微型LED芯片的转移设备相适应的微型LED芯片，每个微型LED芯片的微型LED本体一侧设置有弧状结构，在微型LED芯片的转移设备的承接基板上设置多个凹槽及位于凹槽中的吸附块，每个凹槽可承载一个微型LED本体，使一个微型LED本体落入一个凹槽中，而弧状结构暴露于凹槽外，在微型LED芯片的转移设备中的滚动刷头来回滚动冲刷时，弧状结构可以保护微型LED本体以及减少对落入凹槽中的微型LED芯片的冲刷力，避免落入凹槽中的微型LED芯片被刷离出凹槽；吸附块用于吸附微型LED芯片，在倒置承接基板时，可防止微型LED芯片脱落。利用本技术提供的微型LED芯片及微型LED芯片的转移设备，将微型LED芯片转移到预处理过的基板上的转移效率高，适合微型LED芯片的巨量转移。附图说明图1是本技术实施例中的微型LED的示意图；图2是本技术实施例中的一种微型LED结构的示意图；图3是本技术实施例中的另一种微型LED结构的示意图；图4是本技术实施例提供的微型LED芯片转移设备的整体示意图；图5是沿图4中A1-A2方向的剖面图；图6是本技术实施例提供的微型LED芯片转移设备的承接基板倒上液体和微型LED芯片后的示意图；图7是本技术实施例提供的微型LED芯片转移设备的承接基板及微型LED芯片烘干后的示意图；图8是本技术实施例提供的吸附有微型LED芯片的承接基板倒置在基板上的示意图；图9本技术实施例提供的完成转移后微型LED芯片及基板的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。本技术实施例提供一种微型LED芯片，图1是本技术实施例中的微型LED的示意图。参考图1，该微型LED芯片1包括微型LED本体10，用于在转移微型LED芯片1时落入转移设备中承接基板的凹槽中；弧状结构20，弧状结构20包括相对的弧面21和平面22，微型LED本体10固定于平面22上，用于在微型LED本体10落入凹槽中后，朝向外侧的弧面21减小转移设备中滚动刷头的冲刷力；微型LED本体在平面上的垂直投影位于平面内。本实施例的技术方案，通过在微型LED本体的一端设置弧状结构，当微型LED本体落入凹槽后，弧状结构可以减小转移设备中滚动刷头的冲刷力，避免落入凹槽中的微型LED芯片被刷离出凹槽。图2是本技术实施例中的一种微型LED结构的示意图，参考图2，可选的，其中，微型LED本体10包括依次层叠的第一电极11、第一半导体层12、第二半导体层13和第二电极14，第一电极11与弧状结构20的平面22相接触。图3是本技术实施例中的另一种微型LED结构的示意图，参考图3，可选的，其中，微型LED本体30包括第二电极31以及依次层叠的第二半导体层32、第一半导体层33和第一电极34，第二半导体层32与弧状结构20的平面相接触，第一半导体层33的一部分被刻蚀，暴露出第二半导体层32，暴露出的第二半导体层32与第二电极31电接触。可选的，第一半导体层12和33为P型半导体层，第二半导体层13和32为N型半导体层。第一半导体层中空穴占主导地位，第二半导体层中电子占主导地位，当这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P-N结中的P区，跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量。电子和空穴之间的能量(即带隙)越大，产生的光子的能量就越大，光子的能量大小决定了光波波长。可选的，第一半导体层12和33和第二半导体层13和32的材料包括GaN。第一半导体和第二半导体的材料也可以是其他LED材料，本实施例对第一半导体和第二半导体的材料不做限定，只要能够构成微型LED芯片并发光即可。本技术实施例提供了一种微型LED芯片的转移设备，图4是本技术实施例提供的微型LED芯片转移设备的整体示意图；图5是图4中沿A1-A2方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型LED芯片，其特征在于，包括：微型LED本体，用于在转移所述微型LED芯片时落入转移设备中承接基板的凹槽中；弧状结构，所述弧状结构包括相对的弧面和平面，所述微型LED本体固定于所述平面上，用于在所述微型LED本体落入所述凹槽中后，朝向外侧的所述弧面减小转移设备中滚动刷头的冲刷力；所述微型LED本体在所述平面上的垂直投影位于所述平面内。

【技术特征摘要】
1.一种微型LED芯片，其特征在于，包括：微型LED本体，用于在转移所述微型LED芯片时落入转移设备中承接基板的凹槽中；弧状结构，所述弧状结构包括相对的弧面和平面，所述微型LED本体固定于所述平面上，用于在所述微型LED本体落入所述凹槽中后，朝向外侧的所述弧面减小转移设备中滚动刷头的冲刷力；所述微型LED本体在所述平面上的垂直投影位于所述平面内。2.根据权利要求1所述的微型LED芯片，其特征在于，所述微型LED本体包括依次层叠的第一电极、第一半导体层、第二半导体层和第二电极，所述第一电极与所述弧状结构相接触。3.根据权利要求1所述的微型LED芯片，其特征在于，所述微型LED本体包括第二电极以及依次层叠的第二半导体层、第一半导体层和第一电极，所述第二半导体层与所述弧状结构相接触，所述第一半导体层的一部分被刻蚀，暴露出所述第二半导体层，暴露出的所述第二半导体层与所述第二电极电接触。4.根据权利要求2或3所述的微型LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层。5.根据权利要求4所述的微型LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料包括GaN。6.一种用于转移如权利要求1-5任一项所述的微型LED芯片的转移设备，其特征在于，包括承接基板和滚动刷头；其中，所述承接基板的第一面...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘燕婕，张义荣，邬剑波，
申请(专利权)人：上海九山电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31