一种单晶炉稳定热场制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单晶炉稳定热场，包括导流筒、坩埚和加热器，导流筒最外层设有外筒，外筒内侧设有内筒，内筒的内侧设有钼屏，钼屏内部为导流通道，导流筒底部设有导流板，坩埚内部架设有环形钼屏，其外部平行设置有加热器。本实用新型专利技术在生产中的热屏中间加上一层钼屏，此方法可以在生产中加大热场的横向梯度，造成热屏中间的温度略低于石英坩埚四周的温度，且温度稳定为晶棒长晶提供有利条件，更能提高长晶的速度，提高了生产效率；在坩埚外部平行设置有加热器，在生产过程中可增加热场的稳定性，更能弥补在氩气流量对热场热量的消耗，有利于稳定的温度，且晶棒长晶过程减少晶棒位错的形成，提高了晶棒的品质。

A stable heat field of a single crystal furnace

The utility model discloses a stable heat field of a single crystal furnace, including a flow guide tube, a crucible and a heater, an outer tube with an outer tube, an inner tube inside the inside of the outer cylinder, a molybdenum screen inside the inside of the inner cylinder, a flow guide channel inside the molybdenum screen, a flow guide plate at the bottom of the flow guide tube, and a circular molybdenum screen on the crucible inner frame. The external parallel of the crucible is parallel to the external parallel. Set up with a heater. The utility model adds a layer of molybdenum screen to the middle of the heat screen in production. This method can increase the transverse gradient of the heat field in production, and cause the temperature in the middle of the heat screen to be slightly lower than the temperature around the quartz crucible, and the temperature is stable for the crystal rod long crystal, which can increase the speed of the long crystal and improve the production efficiency; in the crucible, the crucible can be improved. In the production process, the heater can increase the stability of the heat field in the process of production. It can make up the consumption of heat in the heat field of the argon flow, which is beneficial to the stable temperature, and the crystal rod long crystal process reduces the formation of the dislocation of the crystal rod and improves the quality of the crystal rod.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶炉稳定热场
本技术涉及单晶制造设备
，具体涉及一种单晶炉稳定热场。
技术介绍
单晶炉热屏是热场中重要的组成部分，具有良好的耐热性能、力学性能和一定的保温性能，从而降低生产能耗，并有效控制热场温度梯度。现有单晶炉热场，由于有氩气的流量在生产过程中对加热器所产出的热量有所消耗，而导致热场的温度产生非控制行紊乱，使得晶棒位错的形成增多，不利于生产控制。
技术实现思路
本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种单晶炉稳定热场，本技术通过以下技术方案来实现上述目的：一种单晶炉稳定热场，包括导流筒、坩埚和加热器，所述导流筒最外层设有外筒，所述外筒内侧设有内筒，所述内筒顶部向外弯曲形成钩部，所述钩部与所述外筒固定连接，所述内筒的内侧设有钼屏，所述钼屏内部为导流通道，所述导流筒底部设有导流板，所述导流板通过连接机构与所述外筒的下端凸出部固定连接，所述导流板与所述导流通道之间设有隔板，所述坩埚内部架设有环形钼屏，其外部平行设置有加热器，所述加热器最外侧设有保温屏，所述保温屏内部设有加热管，所述加热管之间通过弧形固定杆连接。进一步的，所述导流板上设有导流孔。进一步的，所述导流筒和所述坩埚同轴设置，所述坩埚为石英坩埚。进一步的，所述钼屏和所述环形钼屏包括多个单层钼片，所述钼片上设有通孔和支撑相邻层钼片的凸起。进一步的，所述通孔内贯穿设有钼螺钉，所述钼螺钉的一头带有钼螺帽，另一头带有螺纹并与所述内筒螺纹连接。进一步的，所述钼螺钉两头带有钼螺帽。进一步的，所述相邻的钼片之间通过所述凸起形成间隙层。进一步的，所述加热管上连接有铜环电极，所述铜环电极穿过所述保温屏的一端设有引出装置。有益效果在于：本技术在生产中的热屏中间加上一层钼屏，此方法可以在生产中加大热场的横向梯度，造成热屏中间的温度略低于石英坩埚四周的温度，且温度稳定为晶棒长晶提供有利条件，更能提高长晶的速度，提高了生产效率；在坩埚外部平行设置有加热器，在生产过程中可增加热场的稳定性，更能弥补在氩气流量对热场热量的消耗，有利于稳定的温度，且晶棒长晶过程减少晶棒位错的形成，提高了晶棒的品质。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术结构示意图；图2是本技术钼屏的结构视图；图3是本技术环形钼屏的结构视图；图4是本技术加热器结构视图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本技术的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本技术所保护的范围。参见图1-图4所示，本技术提供了一种单晶炉稳定热场，包括导流筒10、坩埚20和加热器30，所述导流筒10最外层设有外筒15，所述外筒15内侧设有内筒14，所述内筒14顶部向外弯曲形成钩部，所述钩部与所述外筒15固定连接，所述内筒14的内侧设有钼屏12，所述钼屏12内部为导流通道13，所述导流筒10底部设有导流板17，所述导流板17通过连接机构11与所述外筒15的下端凸出部固定连接，所述导流板17与所述导流通道13之间设有隔板16，所述坩埚20内部架设有环形钼屏23，其外部平行设置有加热器30，所述加热器30最外侧设有保温屏31，所述保温屏31内部设有加热管32，所述加热管32之间通过弧形固定杆34连接。所述导流板17上设有导流孔18。所述导流筒10和所述坩埚20同轴设置，所述坩埚20为石英坩埚21。所述钼屏12和所述环形钼屏23包括多个单层钼片121，所述钼片121上设有通孔124和支撑相邻层钼片的凸起122。所述通孔124内贯穿设有钼螺钉126，所述钼螺钉126的一头带有钼螺帽125，另一头带有螺纹并与所述内筒14螺纹连接。所述钼螺钉126两头带有钼螺帽125。所述相邻的钼片121之间通过所述凸起122形成间隙层123。所述加热管32上连接有铜环电极33，所述铜环电极33穿过所述保温屏31的一端设有引出装置35。需要说明的是，本技术为一种单晶炉稳定热场，工作时，架设在石英坩埚21内部的环形钼屏23以及设在内筒14内侧的钼屏12可以在温度达到生产温度后，通过自身的调节功能，在热场中形成一个小范围的横向温度梯度热场，其温度略低于石英坩埚四周的温度，为晶棒长晶提供有利条件，更能提高长晶的速度，提高了生产效率。其中单层钼片121至少设置为一层，横向热场的温度梯度值可以通过单层钼片121的数量来调整。在坩埚20外部平行设置有加热器30，在生产过程中可增加热场的稳定性更能弥补在氩气流量是对热场热量的消耗。有利于稳定的温度，且晶棒长晶过程减少晶棒位错的形成，提高了晶棒的品质。以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶炉稳定热场，其特征在于：包括导流筒（10）、坩埚（20）和加热器（30），所述导流筒（10）最外层设有外筒（15），所述外筒（15）内侧设有内筒（14），所述内筒（14）顶部向外弯曲形成钩部，所述钩部与所述外筒（15）固定连接，所述内筒（14）的内侧设有钼屏（12），所述钼屏（12）内部为导流通道（13），所述导流筒（10）底部设有导流板（17），所述导流板（17）通过连接机构（11）与所述外筒（15）的下端凸出部固定连接，所述导流板（17）与所述导流通道（13）之间设有隔板（16），所述坩埚（20）内部架设有环形钼屏（23），其外部平行设置有加热器（30），所述加热器（30）最外侧设有保温屏（31），所述保温屏（31）内部设有加热管（32），所述加热管（32）之间通过弧形固定杆（34）连接。

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉稳定热场，其特征在于：包括导流筒（10）、坩埚（20）和加热器（30），所述导流筒（10）最外层设有外筒（15），所述外筒（15）内侧设有内筒（14），所述内筒（14）顶部向外弯曲形成钩部，所述钩部与所述外筒（15）固定连接，所述内筒（14）的内侧设有钼屏（12），所述钼屏（12）内部为导流通道（13），所述导流筒（10）底部设有导流板（17），所述导流板（17）通过连接机构（11）与所述外筒（15）的下端凸出部固定连接，所述导流板（17）与所述导流通道（13）之间设有隔板（16），所述坩埚（20）内部架设有环形钼屏（23），其外部平行设置有加热器（30），所述加热器（30）最外侧设有保温屏（31），所述保温屏（31）内部设有加热管（32），所述加热管（32）之间通过弧形固定杆（34）连接。2.根据权利要求1所述一种单晶炉稳定热场，其特征在于：所述导流板（17）上设有导流孔（18）。3.根据权利要求1所述一种单晶炉稳定热场，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：史二庆，
申请(专利权)人：四川高铭科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51