一种复合图形衬底及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种复合图形衬底及其制作方法，该制作方法包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底表面沉积AlxGa1‑xN缓冲层，0≤X≤1；S2：在缓冲层表面沉积低折射率介质层，低折射率介质层的折射率小于1.8；S3：刻蚀低折射率介质层，得到凹陷结构，凹陷结构暴露出缓冲层。本发明专利技术获得的复合图形衬底，可以直接放入量产MOCVD中进行生产；使用复合图形衬底生长的外延片在对光的提取效率较同种规格的蓝宝石图形衬底提高3‑5％；使用复合图形衬底生长的外延片，特别适合通过激光剥离方法制作垂直LED芯片，并且剥离后的蓝宝石衬底可以重复利用。

A composite graphic substrate and its fabrication method

The invention provides a composite graphic substrate and a manufacturing method, which comprises the following steps: S1: providing a sapphire substrate, depositing a AlxGa1 xN buffer layer on the sapphire substrate, 0 less than X < 1; S2: low refractive index medium layer on the surface of the buffer layer, and the refractive index of the low refractive index medium layer less than 1.8; S3: engraved. The low refractive index medium is etched, and the concave structure is obtained. The concave structure exposes the buffer layer. The composite graphics substrate obtained by the invention can be produced directly into the mass production MOCVD, and the epitaxial film grown by the composite graphics substrate is 3 higher than that of the same size sapphire graphics substrate, and the epitaxial film grown with a composite graphic substrate is suitable for making a vertical piece by laser stripping. Straight LED chip, and the sapphire substrate after stripping can be reused.

【技术实现步骤摘要】
一种复合图形衬底及其制作方法
本专利技术涉及半导体材料领域，特别是涉及一种复合图形衬底及其制作方法。
技术介绍
半导体发光二极管(light-emissiondiodes,LEDS)因其具有体积小、能耗低、寿命长、环保耐用等优点，蓝、绿光GaN基LED芯片在显示、照明领域发展迅速；国内LED照明已经取代普通照明约30％份额，为继续提高LED在照明市场普及率，需要继续提升LED在光亮度、光品质方面的性能。目前主流蓝绿GaN基LED外延片95％以上都是使用蓝宝石基板做衬底材料，蓝宝石衬底因硬度大、透光率高、工艺成熟等特点，在今后主流LED市场仍将会是最主要的衬底材料。目前采用的蓝宝石衬底基本上都是进行了图形化(PatternedSapphireSubstrate,PSS)加工后再用于LED外延生长。因为在PSS衬底上生长氮化镓外延层可以减少外延缺陷，提高外延层晶体质量以提高LED电学特性；另外，蓝宝石的折射率为1.8，氮化镓的折射率为2.5，由于折射率的差异，当光从氮化镓外延层进入蓝宝石图形衬底时，会形成全反射，从而改善GaN基发光二极管出光率。基于PSS衬底的外延材料制成的LED器件参数表明，其20A/cm2电流密度下相同尺寸芯片的光功率相比蓝宝石平片衬底制作的器件光功率增加约30％，因此采用PSS衬底是提高氮化镓基发光二极管出光效率的一种有效方法。随着GaN基LED外延及芯片加工技术进步，目前主流蓝光LED内量子效率已经提高到80％以上，外量子效率仅达到约60％，因GaN基LED物理特性的限制，内量子效率的提升已经非常难，现在主要通过提高LED芯片的光的提取效率以提高芯片的外量子效率。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种复合图形衬底及其制作方法，该复合图形衬底减小芯片内部光的折射，提高光的反射，提高LED芯片的出光效率，并且可以提高生产效率，降低生产成本。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种复合图形衬底的制作方法，至少包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底表面沉积AlxGa1-xN缓冲层，0≤X≤1；S2：在所述缓冲层表面沉积低折射率介质层，所述低折射率介质层的折射率小于1.8；S3：刻蚀所述低折射率介质层，得到凹陷结构，所述凹陷结构暴露出所述缓冲层。于本专利技术的一实施方式中，所述凹陷结构将所述低折射率介质层分割为若干介质柱。于本专利技术的一实施方式中，所述介质柱的横截面包括圆形、椭圆形或多边形。于本专利技术的一实施方式中，所述介质柱的横截面积自下而上一致，或者自下而上逐渐减小，且所述介质柱的横截面积范围是1-1000μm2。于本专利技术的一实施方式中，在步骤S1中，所述缓冲层的沉积速率为5-50nm/min，沉积温度为300-1000℃；所述缓冲层厚度为20-200nm。于本专利技术的一实施方式中，在步骤S1中，采用化学气相沉积法制备所述缓冲层。于本专利技术的一实施方式中，复合图形衬底的制作方法，还包括以下特征的任意一项或多项：1)在步骤S2中，所述低折射率介质层的材料为氧化硅或氮化硅；2)在步骤S2中，沉积所述低折射率介质层的速率温度为300-1000℃；所述低折射率介质层的厚度为1-4μm。于本专利技术的一实施方式中，在步骤S3中，在刻蚀所述低折射率介质层的过程中，包括以下步骤：S3-1：在所述低折射率介质层上制备掩模图形；S3-2：刻蚀所述低折射率介质层，将所述掩模图形转移至所述低折射率介质层上。于本专利技术的一实施方式中，在步骤S3-2中，刻蚀的深度不小于所述低折射率介质层的厚度，并且刻蚀后位于所述凹陷结构底部的缓冲层厚度不小于10nm。本专利技术还公开一种如上述所述的复合图形衬底的制作方法获得的复合图形衬底。为了提高LED的出光效率，本专利技术提出一种利用低于蓝宝石折射率材料为介质制作图形衬底的方案，通过低折射率介质取代蓝宝石制作成图形衬底，以减小芯片内部光的折射，提高光的反射，提高LED芯片的出光效率。根据光的传播原理，光从光密介质(折射率n2)传到光疏介质(折射率n1)时，在光线入射角等于全反射临界角时，光线只发生反射，不发生折射；全反射临界角ic为：ic＝arcsinn1/n2；在蓝宝石图形衬底的GaN外延层内，蓝宝石折射率n1＝1.8，GaN折射率n2＝2.5，ic1＝arcsinn1/n2＝arcsin1.8/2.5＝46.1°，则入射角大于46.1°时，入射的光会发生全反射。当使用折射率低于蓝宝石的材料制作成图形衬底时，全反射的入射角会变小，那反射光的占比增大，比如使用SiO2作为介质制作成图形衬底时，图形尺寸规格与蓝宝石图形衬底相同条件下，因SiO2的折射率n1＝1.4，则全反射临界角ic2＝34.1°，因此相比较蓝宝石图形衬底，利用SiO2的图形衬底，对光的反射范围增加46.1°-34.1°＝12°，以图形衬底的图形规格为2.8*0.2*1.7来估算，使用SiO2的图形衬底后对光的反射会增加约4.8％。使用低折射率介质制作图形衬底，不仅可以提升LED芯片光的提取效率，而且图形衬底的加工效率提升20-30％，生产成本降低约10％。如上所述，本专利技术提供一种复合图形衬底及其制作方法，具有以下有益效果：本专利技术获得的复合图形衬底，可以直接放入量产MOCVD中进行生产；此种复合图案衬底在外延生长过程具可避免原位低温缓冲层生长过程，由原来的先低温后高温的二部生长方法，变为直接高温生长的一部生长法，单炉可以节约生长时间0.5-1h，产出率可以提升10％以上；使用复合图形衬底生长的外延片在对光的提取效率较同种规格的蓝宝石图形衬底提高3-5％；使用复合图形衬底生长的外延片，特别适合通过激光剥离方法制作垂直LED芯片，并且剥离后的蓝宝石衬底可以重复利用。附图说明图1显示为本专利技术的复合图形衬底的制作方法流程示意图。图2～图3显示为本专利技术的复合图形衬底的制造方法步骤S1所呈现的结构示意图。图4显示为本专利技术的复合图形衬底的制造方法步骤S2所呈现的结构示意图。图5显示为本专利技术获得具有圆锥状介质柱的复合图形衬底结构示意图。图6显示为本专利技术获得具有圆柱状介质柱的复合图形衬底结构示意图。图7显示为本专利技术的具有圆柱状介质柱复合图形衬底的OM俯视结构示意图。元件标号说明1蓝宝石衬底2缓冲层3低折射率介质层4圆柱状介质柱5圆锥状介质柱S1～S5步骤具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1至图7，需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。如图1所示，本专利技术提供了一种复合图形衬底的制作方法，包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底表面沉积缓冲层；S2：在缓冲层表面沉积低折射率介质层；S3：刻蚀低折射率介质层，获得复合图形衬底；S4：清洗复合图形衬底，然后检本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合图形衬底的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底表面沉积AlxGa1‑xN缓冲层，0≤X≤1；S2：在所述缓冲层表面沉积低折射率介质层，所述低折射率介质层的折射率小于1.8；S3：刻蚀所述低折射率介质层，得到凹陷结构，所述凹陷结构暴露出所述缓冲层。

【技术特征摘要】
1.一种复合图形衬底的制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在所述蓝宝石衬底表面沉积AlxGa1-xN缓冲层，0≤X≤1；S2：在所述缓冲层表面沉积低折射率介质层，所述低折射率介质层的折射率小于1.8；S3：刻蚀所述低折射率介质层，得到凹陷结构，所述凹陷结构暴露出所述缓冲层。2.根据权利要求1所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于：所述凹陷结构将所述低折射率介质层分割为若干介质柱。3.根据权利要求2所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于：所述介质柱的横截面包括圆形、椭圆形或多边形。4.根据权利要求2所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于：所述介质柱的横截面积自下而上一致，或者自下而上逐渐减小，且所述介质柱的横截面积范围是1-1000μm2。5.根据权利要求1所述的复合图形衬底的制作方法，其特征在于，在步骤S1中，所述缓冲层的沉积速率为5-50nm/min，沉积温度为300-1000℃；所述缓冲层厚度为20-200nm。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘尧波，唐军，刘亚柱，陶淳，
申请(专利权)人：合肥彩虹蓝光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34