等离子体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。在对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，在对收纳有载置被处理基板(G)的载置台(13)的处理空间(100)进行第一、第二处理气体原料的供给的第一、第二处理气体原料供给部(4a、4b)分别设置有第一、第二供给流量调节部(41a、41b)，并且，对于向多个气体喷淋头部(30a～30d)分配上述第一、第二处理气体原料的多个第一、第二分配流路(401、402)也分别设置有第一、第二分配流量调节部(421a～424a、421b～424b)。

【技术实现步骤摘要】
等离子体处理装置
本专利技术涉及利用等离子体化了的处理气体进行被处理基板的等离子体处理的技术。
技术介绍
在液晶显示装置(LCD)等的平板显示器(FPD)的制造工序中，存在对载置于处理空间内的作为被处理基板的玻璃基板供给等离子体化的处理气体进行蚀刻处理、成膜处理等的等离子体处理的工序。上述等离子体处理中使用等离子体蚀刻装置、等离子体CVD装置等各种等离子体处理装置。另一方面，玻璃基板的尺寸逐渐大型化。例如在LCD用的矩形状玻璃基板中，需要对短边×长边的长度为约2200mm×约2400mm、甚至达到约2800mm×约3000mm的尺寸的被处理面内的各位置供给必要量的处理气体，并且在玻璃基板的面内进行均匀的处理。另一方面，伴随上述的玻璃基板的大型化，存在到达玻璃基板的处理气体的浓度和等离子体化的状态等在被处理面内大幅变化的情况。因此，产生由处理气体导致的玻璃基板的处理状态在面内变得不均匀的问题。另外，存在对这样的大型的玻璃基板的各位置供给必要量的处理气体自身也困难的情况。例如，专利文献1中记载了如下技术：将喷淋头内分隔为同心圆状地设置例如3个缓冲器室，从共用的气体供给源分流到这些缓冲器室，向要处理基板的处理容器内供给等离子体蚀刻用的蚀刻气体。根据该专利文献1，通过对向上述的缓冲器室中的、周边部侧的2个缓冲器室供给的蚀刻气体供给用于调整蚀刻特性的附加气体，在基板面内局部调整蚀刻气体的浓度。但是，专利文献1所记载的技术中，在供给附加气体时，在每一个蚀刻气体向各缓冲器室的供给路设置专用的气体供给源，因此，存在气体供给源的结构变得大型化的问题。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利第4358727号公报：权利要求1、第0004、0028、0049～0050段、图5
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题本专利技术是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种能够使用共用的处理气体原料供给部并且在多个气体喷淋头部的每一个调整处理气体的成分的等离子体处理装置。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的等离子体处理装置，其利用等离子体化了的处理气体对进行了真空排气的处理空间内的被处理基板执行等离子体处理，上述等离子体处理装置的特征在于，包括：处理容器，其具有用于载置上述被处理基板的载置台，构成实施上述等离子体处理的处理空间；多个气体喷淋头部，分别设置于构成上述处理空间的顶面并且将上述顶面从中央部侧向周边部侧去在径向分割而成的多个区域，上述多个气体喷淋头部形成有对上述处理空间供给处理气体的气体排出孔；等离子体产生部，用于将从上述多个气体喷淋头部供给到处理空间的处理气体等离子体化；用于供给上述处理气体所含的第一处理气体原料的第一处理气体原料供给部和用于供给第二处理气体原料的第二处理气体原料供给部；第一供给流量调节部，用于对从上述第一处理气体原料供给部向上述处理空间供给的第一处理气体原料进行流量调节；多个第一分配流量调节部，分别设置于多个第一分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第一原料气体进行流量调节，上述多个第一分配流路用于将由上述第一供给流量调节部进行了流量调节的第一处理气体原料分配并供给到上述多个气体喷淋头部；第二供给流量调节部，用于对从上述第二处理气体原料供给部向上述处理空间供给的第二处理气体原料进行流量调节；和多个第二分配流量调节部，分别设置于多个第二分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第二原料气体进行流量调节，上述多个第二分配流路用于将由上述第二供给流量调节部进行了流量调节的第二处理气体原料分配并供给到上述多个气体喷淋头部。专利技术效果本专利技术中，在第一、第二处理气体原料供给部分别设置对第一、第二处理气体原料进行流量调节的第一、第二供给流量调节部，并且，对于向多个气体喷淋头部分配上述第一、第二处理气体原料的多个第一、第二分配流路，也分别设置第一、第二分配流量调节部。其结果，能够将从共用的第一、第二处理气体原料供给部得到的第一、第二处理气体原料以任意的比例混合，向被处理基板的各位置供给。附图说明图1是在实施方式所涉及的等离子体处理装置中进行处理的被处理基板的第一说明图。图2是在等离子体处理装置中进行处理的被处理基板的第二说明图。图3是等离子体处理装置的纵剖侧面图。图4是设置于上述等离子体处理装置的金属窗的平面图。图5是向构成上述金属窗的各气体喷淋头部供给蚀刻气体的供给系统图。图6是在等离子体处理装置中进行处理的另一被处理基板的第一说明图。图7是上述另一被处理基板的第二说明图。图8是在第二实施方式所涉及的等离子体处理装置中进行处理的被处理基板的说明图。图9是对第二实施方式所涉及的等离子体处理装置供给处理气体的供给系统图。图10是对第三实施方式所涉及的等离子体处理装置供给处理气体的供给系统图。图11是表示处理气体的供给流路内的各位置中的压力的说明图。图12是SiCl4气体的温度－蒸气压特性图。附图标记说明G被处理基板30a、30b、30e气体喷淋头部30c、30d周边气体喷淋头部(气体喷淋头部)4aCF4气体供给部4bO2气体供给部4cCl2气体供给部4dN2气体供给部4e含卤添加气体供给部4fSiCl4气体供给部4gN2气体供给部4hSiF4气体供给部4iO2气体供给部401第一分配流路402第二分配流路41a第一供给流量调节部41b第二供给流量调节部421a～424a第一分配流量调节部421b～424b第二分配流量调节部43a～43d气体供给管5高频天线6控制部。具体实施方式在对本专利技术的实施方式所涉及的等离子体处理装置1的具体构成进行说明之前，关于由该等离子体处理装置1实施的等离子体处理的例子、该处理处理的实施中要把握的问题点，参照图1、2进行说明。图1、2表示处理对象的被处理基板G的上表面(被处理面)的不同区域的放大纵剖侧面图。该被处理基板G，在玻璃基板701上，依次叠层有均是含硅膜的SiO膜702、SiN膜703，并且，在SiN膜703的上表面图案化有曝光显影后的光抗蚀剂膜704。例如，被处理基板G由矩形形状的FPD用的玻璃基板701构成。这里，作为FPD，可以例示液晶显示器(LCD)、电致发光(ElectroLuminescence；EL)显示器、等离子体显示器面板(PDP)等。对上述被处理基板G，通过将含有作为第一处理气体原料的四氟化碳(CF4)气体或三氟化氮(NF3)气体中的至少一种和作为第二处理气体原料的氧(O2)气的蚀刻气体等离子体化并进行供给，边缓缓地使光抗蚀剂膜704灰化，边进行除去没有被光抗蚀剂膜704覆盖的区域的SiO膜702、SiN膜703的蚀刻处理。SiO膜702、SiN膜703相当于本实施方式的蚀刻对象膜。关于上述的处理，本专利技术的专利技术人发现，根据被处理基板G的被处理面内的位置不同，形成了图案的光抗蚀剂膜704的纵剖面形状不同，其结果，出现蚀刻处理的结果不同的趋势。例如，在形成于被处理基板G的周边部侧的光抗蚀剂膜704中，如图1的(a)所示，存在形成了图案的光抗蚀剂膜704的端部的倾斜度(锥角)变大的趋势。对该形成了图案的光抗蚀剂膜704的端部的倾斜度大的部分，在使用O2气体的浓度(分压)低的(例如O2气体/CF4气体的流量比为1︰3)的蚀刻气体进行蚀刻处理时，如图1的(b)所示，玻璃基板701上的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子体处理装置，其利用等离子体化了的处理气体对进行了真空排气的处理空间内的被处理基板执行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：处理容器，其具有载置所述被处理基板的载置台，构成实施所述等离子体处理的处理空间；多个气体喷淋头部，分别设置于构成所述处理空间的顶面且将所述顶面从中央部侧向周边部侧去在径向分割而成的多个区域，所述多个气体喷淋头部形成有对所述处理空间供给处理气体的气体排出孔；等离子体产生部，用于将从所述多个气体喷淋头部供给到处理空间的处理气体等离子体化；用于供给所述处理气体所含的第一处理气体原料的第一处理气体原料供给部和用于供给第二处理气体原料的第二处理气体原料供给部；第一供给流量调节部，用于对从所述第一处理气体原料供给部向所述处理空间供给的第一处理气体原料进行流量调节；多个第一分配流量调节部，分别设置于多个第一分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第一原料气体进行流量调节，所述多个第一分配流路用于将由所述第一供给流量调节部进行了流量调节的第一处理气体原料分配并供给到所述多个气体喷淋头部；第二供给流量调节部，用于对从所述第二处理气体原料供给部向所述处理空间供给的第二处理气体原料进行流量调节；和多个第二分配流量调节部，分别设置于多个第二分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第二原料气体进行流量调节，所述多个第二分配流路用于将由所述第二供给流量调节部进行了流量调节的第二处理气体原料分配并供给到所述多个气体喷淋头部。...

【技术特征摘要】
2017.01.20 JP 2017-008718;2017.12.25 JP 2017-247931.一种等离子体处理装置，其利用等离子体化了的处理气体对进行了真空排气的处理空间内的被处理基板执行等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括：处理容器，其具有载置所述被处理基板的载置台，构成实施所述等离子体处理的处理空间；多个气体喷淋头部，分别设置于构成所述处理空间的顶面且将所述顶面从中央部侧向周边部侧去在径向分割而成的多个区域，所述多个气体喷淋头部形成有对所述处理空间供给处理气体的气体排出孔；等离子体产生部，用于将从所述多个气体喷淋头部供给到处理空间的处理气体等离子体化；用于供给所述处理气体所含的第一处理气体原料的第一处理气体原料供给部和用于供给第二处理气体原料的第二处理气体原料供给部；第一供给流量调节部，用于对从所述第一处理气体原料供给部向所述处理空间供给的第一处理气体原料进行流量调节；多个第一分配流量调节部，分别设置于多个第一分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第一原料气体进行流量调节，所述多个第一分配流路用于将由所述第一供给流量调节部进行了流量调节的第一处理气体原料分配并供给到所述多个气体喷淋头部；第二供给流量调节部，用于对从所述第二处理气体原料供给部向所述处理空间供给的第二处理气体原料进行流量调节；和多个第二分配流量调节部，分别设置于多个第二分配流路，用于对向各气体喷淋头部供给的第二原料气体进行流量调节，所述多个第二分配流路用于将由所述第二供给流量调节部进行了流量调节的第二处理气体原料分配并供给到所述多个气体喷淋头部。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：在将所述顶面在径向分割而成的所述多个区域中的周边部侧的环状的区域，在将该环状的区域在圆周方向分割而成的多个区域，设置有作为气体喷淋头部的多个周边气体喷淋头部，所述多个周边气体喷淋头部形成有向所述处理空间供给处理气体的气体排出孔，第一处理气体原料、第二处理气体原料从设置有所述第一分配流量调节部的第一分配流路和设置有第二分配流量调节部的第二分配流路也分配并供给到对所述各周边气体喷淋头部。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述顶面的平面形状为矩形形状，在所述周边气体喷淋头部设置有包含所述矩形形状的角部的周边气体喷淋头部和夹在相邻的所述角部之间的、包含所述矩形形状的边部的周边气体喷淋头部，所述第一、第二处理气体原料从共用的第一、第二分配流路分配并供给到所述角部的周边气体喷淋头部，所述第一、第二处理气体原料从与所述角部的周边气体喷淋头部不同的共用的第一、第二分配流路分配供给到所述边部的周边气体喷淋头部。4.如权利要求2或3所述的等离子体处理装置，其特征在于：用于进行所述处理空间内的真空排气的排气口设置于设有所述周边气体喷淋头部的环状的区域的下方位置、或者设置于比该下方位置靠外侧的位置。5.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：所述第二分配流路分别与所述第一分配流量调节部的下游侧的第一分配流路合流...

【专利技术属性】
技术研发人员：松井久，齐藤英树，片桐崇良，窪田真树，冨山和哉，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP