本实用新型专利技术涉及合成炉技术领域,是一种合成炉喷嘴和三氯氢硅合成炉;该合成炉喷嘴包括喷管和开口朝下的压帽;在喷管的中部外侧一体固定有环台,压帽的下部内侧和环台的外侧固定安装在一起,喷管的上部分别与压帽的顶部和侧部有间距,环台、喷管与压帽之间形成密封喷射腔,在压帽的中部均布有至少两个与密封喷射腔相通的倾斜朝下的喷射口。本实用新型专利技术结构合理而紧凑,使用方便,通过合成炉本体、分隔板和合成炉喷嘴的配合使用,实现合成三氯氢硅的目的,具有安全可靠和供气均匀的特点,防止了合成炉喷嘴的堵塞和漏料的发生,降低了原料的浪费,延长了设备的使用寿命,提高了合成效率,大大降低了生产成本,保证了产品品质。
【技术实现步骤摘要】
合成炉喷嘴和三氯氢硅合成炉
本技术涉及合成炉
,是一种合成炉喷嘴和三氯氢硅合成炉。
技术介绍
三氯氢硅的生产主要是由合成炉内弥散的硅粉与氯化氢在设定温度条件下化合而成。合成炉结构对三氯氢硅合成效率有着很大的影响,特别是供气机构的影响最大。生产中常规合成炉的结构是立式结构,供气结构位于底部,氯化氢气通过气体分布板上排列的合成炉喷嘴从下向上直线喷入到反应段内。现有技术采用直喷供气结构,该结构比较简单,能够有效供气,但所供气呈层流输入,供气不够均匀,在炉内反应段易形成供气盲区或弱区。导致此区域内因供气不均而合成不足,直接降低了合成炉的合成效率,降低了产品品质,甚至会发生高温结焦,造成合成炉喷嘴口堵塞。生产三氯氢硅的主要原料为60目至120目的硅粉,干燥状态下的硅粉流动性特别强,现有的供气结构低流量运行及气流波动时极易造成漏料,漏入供气室的硅粉继续与HCL发生反应,由于温度不受控制,生成的附产物增多,严重时会造成设备损坏;停车检修时,必须拆床清理,导致原料损耗。
技术实现思路
本技术提供了一种合成炉喷嘴和三氯氢硅合成炉,克服了上述现有技术之不足,其能有效解决现有合成炉喷嘴和三氯氢硅合成炉存在供气不均匀,易形成供气盲区或弱区,导致合成效率低、影响产品品质、堵塞合成炉喷嘴口、原料损耗大和设备易损坏的问题。本技术的技术方案之一是通过以下措施来实现的:一种合成炉喷嘴,包括喷管和开口朝下的压帽;在喷管的中部外侧一体固定有环台,压帽的下部内侧和环台的外侧固定安装在一起,喷管的上部分别与压帽的顶部和侧部有间距,环台、喷管与压帽之间形成密封喷射腔,在压帽的中部均布有至少两个与密封喷射腔相通的倾斜朝下的喷射口,喷管的顶端高于喷射口的顶端。下面是对上述技术技术方案之一的进一步优化或/和改进:上述喷射口与竖直面的夹角为45度至60度。上述位于环台下方喷管的中部外侧一体固定有挡台,挡台的外径大于环台的外径。上述在压帽的下部内侧设有环槽,喷管外侧的环台固定安装在压帽的环槽内。上述压帽的上部为上小下大的锥形,压帽的下部外侧为四棱形或六棱形,压帽的下部外径大于压帽的中部外径;或/和,挡台的外侧为四棱形或六棱形;或/和,喷管外侧的环台通过螺纹固定安装在压帽的环槽内。上述在喷管的下部设有外螺纹。本技术的技术方案之二是通过以下措施来实现的:一种使用合成炉喷嘴的三氯氢硅合成炉,包括合成炉本体和合成炉喷嘴;在合成炉本体的下部设有进气端,在合成炉本体的顶部设有出气端,在合成炉本体的中部设有进料端,在合成炉本体的下部腔体内固定安装有分隔板,在分隔板上均布有与合成炉本体的上部腔体和下部腔体相通的安装孔,在分隔板的安装孔上固定安装有合成炉喷嘴,合成炉喷嘴位于合成炉本体的上部腔体内。下面是对上述技术技术方案之二的进一步优化或/和改进:上述在合成炉本体的中部外侧固定连接有换热壳,换热壳与对应位置的合成炉本体形成换热环腔,在换热壳的下部设有与换热环腔相通的进水端,在换热壳的上部设有与换热环腔相通的出水端。上述合成炉本体包括炉体和下封头;在炉体和下封头之间安装有分隔板,炉体的下端和下封头的上端通过螺栓和螺帽固定安装在一起,分隔板通过螺栓和螺帽压紧在炉体和下封头之间,在分隔板上均布有与炉体的腔体和下封头的腔体相通的安装孔,喷管的下部通过螺纹固定安装在分隔板的对应安装孔上,在下封头的中部设有进气端,在炉体的中部设有进料端,在炉体的顶部设有出气端,在炉体的下部外侧固定连接有换热壳,换热壳与对应位置的炉体形成换热环腔,在换热壳的下部设有与换热环腔相通的进水端,在换热壳的上部设有与换热环腔相通的出水端。本技术结构合理而紧凑,使用方便,通过合成炉本体、分隔板和合成炉喷嘴的配合使用,实现合成三氯氢硅的目的,具有安全可靠和供气均匀的特点,防止了合成炉喷嘴的堵塞和漏料的发生,降低了原料的浪费,延长了设备的使用寿命,提高了合成效率,大大降低了生产成本,保证了产品品质。附图说明附图1为实施例1的主视剖视放大结构示意图。附图2为附图1中A-A处的剖视结构示意图。附图3为实施例2的主视局部剖视结构示意图。附图中的编码分别为:1为喷管,2为压帽,3为环台,4为密封喷射腔,5为喷射口,6为挡台,7为环槽,8为合成炉喷嘴,9为进气端,10为出气端,11为进料端,12为分隔板,13为安装孔,14为换热壳,15为换热环腔,16为进水端,17为出水端,18为炉体,19为下封头。具体实施方式本技术不受下述实施例的限制,可根据本技术的技术方案与实际情况来确定具体的实施方式。在本技术中,为了便于描述,各部件的相对位置关系的描述均是根据说明书附图1的布图方式来进行描述的,如:前、后、上、下、左、右等的位置关系是依据说明书附图1的布图方向来确定的。下面结合实施例及附图对本技术作进一步描述:实施例1,如附图1、2所示,该合成炉喷嘴8包括喷管1和开口朝下的压帽2;在喷管1的中部外侧一体固定有环台3,压帽2的下部内侧和环台3的外侧固定安装在一起,喷管1的上部分别与压帽2的顶部和侧部有间距,环台3、喷管1与压帽2之间形成密封喷射腔4,在压帽2的中部均布有至少两个与密封喷射腔4相通的倾斜朝下的喷射口5,喷管1的顶端高于喷射口5的顶端。压帽2上的喷射口5为内侧高外侧低的倾斜朝下的喷射口5,这样,便于构成反射式喷气结构,反复折射有利于氯化氢气均匀散开。可根据实际需要,对上述实施例1作进一步优化或/和改进:根据需要,喷射口5与竖直面的夹角为45度至60度。这样,便于更好的将氯化氢气均匀散开。如附图1所示,位于环台3下方喷管1的中部外侧一体固定有挡台6,挡台6的外径大于环台3的外径。这样,挡台6便于对压帽2进行限位。如附图1所示,在压帽2的下部内侧设有环槽7,喷管1外侧的环台3固定安装在压帽2的环槽7内。这样,便于压帽2的安装。如附图1所示,压帽2的上部为上小下大的锥形,压帽2的下部外侧为四棱形或六棱形,压帽2的下部外径大于压帽2的中部外径;或/和,挡台6的外侧为四棱形或六棱形;或/和,喷管1外侧的环台3通过螺纹固定安装在压帽2的环槽7内。压帽2的下部外侧为四棱形或六棱形;挡台6的外侧为四棱形或六棱形;这样,便于使用工具对压帽2和喷管1进行安装或拆卸。根据需要,在喷管1的下部设有外螺纹。这样,便于喷管1的的安装和拆卸。实施例2,如附图1、2、3所示,该使用合成炉喷嘴8的三氯氢硅合成炉,包括合成炉本体和合成炉喷嘴8;在合成炉本体的下部设有进气端9,在合成炉本体的顶部设有出气端10,在合成炉本体的中部设有进料端11,在合成炉本体的下部腔体内固定安装有分隔板12,在分隔板12上均布有与合成炉本体的上部腔体和下部腔体相通的安装孔13,在分隔板12的安装孔13上固定安装有合成炉喷嘴8,合成炉喷嘴8位于合成炉本体的上部腔体内。采用本技术合成炉喷嘴8后能够保证气流速度均匀、不偏流,流化质量高、无死角,不漏料,增加了与弥散的硅粉合成反应机会,提高了合成效率;这样,通过合成炉本体、分隔板12和合成炉喷嘴8的配合使用,实现合成三氯氢硅的目的,具有安全可靠和供气均匀的特点,防止了合成炉喷嘴8的堵塞和漏料的发生,降低了原料的浪费,延长了设备的使用寿命,提高了合成效率,大大降低了生产成本,保本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种合成炉喷嘴,其特征在于包括喷管和开口朝下的压帽;在喷管的中部外侧一体固定有环台,压帽的下部内侧和环台的外侧固定安装在一起,喷管的上部分别与压帽的顶部和侧部有间距,环台、喷管与压帽之间形成密封喷射腔,在压帽的中部均布有至少两个与密封喷射腔相通的倾斜朝下的喷射口,喷管的顶端高于喷射口的顶端。
【技术特征摘要】
1.一种合成炉喷嘴,其特征在于包括喷管和开口朝下的压帽;在喷管的中部外侧一体固定有环台,压帽的下部内侧和环台的外侧固定安装在一起,喷管的上部分别与压帽的顶部和侧部有间距,环台、喷管与压帽之间形成密封喷射腔,在压帽的中部均布有至少两个与密封喷射腔相通的倾斜朝下的喷射口,喷管的顶端高于喷射口的顶端。2.根据权利要求1所述的合成炉喷嘴,其特征在于喷射口与竖直面的夹角为45度至60度。3.根据权利要求1或2所述的合成炉喷嘴,其特征在于位于环台下方喷管的中部外侧一体固定有挡台,挡台的外径大于环台的外径。4.根据权利要求3所述的合成炉喷嘴,其特征在于压帽的下部内侧设有环槽,喷管外侧的环台固定安装在压帽的环槽内。5.根据权利要求4所述的合成炉喷嘴,其特征在于压帽的上部为上小下大的锥形,压帽的下部外侧为四棱形或六棱形,压帽的下部外径大于压帽的中部外径;或/和,挡台的外侧为四棱形或六棱形;或/和,喷管外侧的环台通过螺纹固定安装在压帽的环槽内。6.根据权利要求3所述的合成炉喷嘴,其特征在于喷管的下部设有外螺纹。7.根据权利要求1或2或4或5所述的合成炉喷嘴,其特征在于喷管的下部设有外螺纹。8.一种使用根据权利要求1或2或3或4或5所述的合成炉喷嘴的三氯氢硅合成炉,其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员:张成兵,赵永禄,王世刚,黄胜兵,王志军,
申请(专利权)人:新疆中泰新鑫化工科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:新疆,65
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