晶圆识别方法及设备技术

本公开提供一种晶圆识别方法及设备。晶圆识别方法包括通过获取一第一晶圆的一影像来获得包括一第一向量的影像信息，其中该第一晶圆是已知为一良品；通过获取一第二晶圆的一影像来获得包括一第二向量的影像信息，其中该第二晶圆是已知为一不良品；基于与该第一向量及该第二向量相关的一共变异数矩阵，计算一投影向量；通过获取待测的一第三晶圆的一影像来获得包括一第三向量的影像信息；将该第一向量、该第二向量及该第三向量的各者投影到该投影向量上；及基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。本公开提供的晶圆识别方法及设备可以提高不良晶圆的识别率。

Method and equipment for wafer recognition

The present disclosure provides a wafer recognition method and device. The method of wafer recognition includes obtaining image information including a first vector by obtaining an image of a first wafer, in which the first wafer is known as a good product; the image information including a second vector is obtained by obtaining an image of a second wafer, in which the second wafer is known as a bad product; A projection vector is calculated with the total variance matrix associated with the first vector and the second vector; the image information including a third vector is obtained by obtaining an image of the third wafer to be measured; the first vector, the second vector and the third vector are cast on the projection vector; and based on the Sutra, The projection first vector, the projection second vector and the projection third vector classify the third wafer into the good or the defective product. The wafer recognition method and device provided in this disclosure can improve the recognition rate of defective wafers.

【技术实现步骤摘要】
晶圆识别方法及设备
本公开涉及微电子
，具体而言，涉及一种晶圆识别方法及设备。
技术介绍
晶圆一般是用作为建构半导体装置的基础。在制造半导体装置的制程期间，晶圆可能受损。例如，可能在晶圆上发生外来粒子污染或其它污染、区域缺陷、或不良的保护层。此
技术介绍
的讨论章节仅为提供
技术介绍
数据。于此
技术介绍
的讨论中的陈述并非承认于此章节中公开的标的构成本公开的现有技术，且此章节没有任何部分可用于作为承认本申请案的任何部分，包括此
技术介绍
章节，构成本公开的现有技术。
技术实现思路
本公开的一实施方式提供一种晶圆识别方法。该晶圆识别方法包括通过获取一第一晶圆的一影像来获得包括一第一向量的影像信息，其中该第一晶圆是已知为一良品；通过获取一第二晶圆的一影像来获得包括一第二向量的影像信息，其中该第二晶圆是已知为一不良品；基于与该第一向量及该第二向量相关的一共变异数矩阵，计算一投影向量；通过获取待测的一第三晶圆的一影像来获得包括一第三向量的影像信息；将该第一向量、该第二向量及该第三向量的各者投影到该投影向量上；及基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。在一些实施例中，该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该第一向量及该第二向量计算该共变异数矩阵。在一些实施例中，该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该共变异数矩阵计算一第一特征值及一第二特征值。在一些实施例中，该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该第一特征值及该第二特征值二者计算一第一特征向量及一第二特征向量。在一些实施例中，该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该第一特征向量及该第二特征向量二者计算该投影向量。在一些实施例中，该基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量且根据最近邻规则(nearestneighborrule，NNR)将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。在一些实施例中，该基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：计算在该经投影第一向量与该经投影第三向量之间的一第一距离；计算在该经投影第二向量与该经投影第三向量之间的一第二距离；及基于该第一距离及该第二距离将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。在一些实施例中，该基于该第一距离及该第二距离的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：当该第一距离小于该第二距离时，将该第三晶圆分类成该良品。在一些实施例中，该基于该第一距离及该第二距离的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：当该第一距离大于该第二距离时，将该第三晶圆分类成该不良品。本公开的另一实施方式提供一种晶圆识别方法。该晶圆识别方法包括通过获取一第一晶圆的一影像来获得包括一第一向量的影像信息，其中该第一晶圆是已知为一良品；通过获取一第二晶圆的一影像来获得包括一第二向量的影像信息，其中该第二晶圆是已知为一不良品；基于该第一向量及该第二向量计算一共变异数矩阵；基于该共变异数矩阵计算一第一特征值及一第二特征值；比较该第一特征值与该第二特征值；当该第一特征值大于该第二特征值时，基于该第一特征值而非基于该第一特征值及该第二特征值二者，计算一特征向量；基于该特征向量获得一投影向量；将该第一向量、该第二向量及该第三向量的各者投影到该投影向量上；及基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。在一些实施例中，该基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量且根据最近邻规则(NNR)将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。在一些实施例中，该基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：计算在该经投影第一向量与该经投影第三向量之间的一第一距离；计算在该经投影第二向量与该经投影第三向量之间的一第二距离；及基于该第一距离及该第二距离将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。在一些实施例中，该基于该第一距离及该第二距离的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：当该第一距离小于该第二距离时，将该第三晶圆分类成该良品。在一些实施例中，该基于该第一距离及该第二距离的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：当该第一距离大于该第二距离时，将该第三晶圆分类成该不良品。本公开的另一实施方式提供一种晶圆识别设备。该晶圆识别设备包括一影像获取装置及一处理装置。该影像获取装置是经配置获取一第一晶圆的一影像、一第二晶圆的一影像及一第三晶圆的一影像，其中该第一晶圆是已知为一良品，该第二晶圆是已知为一不良品，且该第三晶圆一待测物。该处理装置是经配置基于该第一晶圆的该影像来获得包括一第一向量的影像信息；基于该第二晶圆的该影像来获得包括一第二向量的影像信息；基于该第三晶圆的该影像来获得包括一第三向量的影像信息；基于与该第一向量及该第二向量相关的一共变异数矩阵，计算一投影向量；将该第一向量、该第二向量及该第三向量的各者投影到该投影向量上；及基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。在一些实施例中，该处理装置是进一步经配置基于该第一向量及该第二向量计算该共变异数矩阵。在一些实施例中，该处理装置是进一步经配置基于该共变异数矩阵计算一第一特征值及一第二特征值。在一些实施例中，该处理装置是进一步经配置基于该第一特征值及该第二特征值二者计算一第一特征向量及一第二特征向量。在一些实施例中，该处理装置是进一步经配置基于该第一特征向量及该第二特征向量二者计算该投影向量。在本公开的实施例中，该处理装置使用上述分析所获取影像的一特定演算法来识别一待测晶圆。因此，不良晶圆的一识别率是相对高。相比之下，在一些现有晶圆识别设备中，这些设备基于光学手段识别晶圆。例如，提供一光源，将将光照射在于一待测晶圆上。之后，所述现有设备基于从该晶圆反射的光判定该晶圆是否具有一缺陷。这种手段是相对不精确。再者，在一些现有设备中是利用手动识别待测晶圆。上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及技术优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得优选了解。本公开的额外技术特征及优点将描述于下文且形成本公开的权利要求标的。本公开所属
中技术人员应了解，可相当容易地利用所公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属
中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。附图说明对于本公开的更完整理解是可通过参考详细说明及权利要求而结合附图考虑时衍生，其中在整个附图中，类似参考编号指代类似的元件，且：图1例示本公开一些实施例的晶圆识别设备的示意图。图2例示本公开一些实施例的晶圆识别方法的第一操作的流程图。图3例示本公开一些实施例的晶圆识别方法的第一操作之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆识别方法，其包含：通过获取一第一晶圆的一影像来获得包括一第一向量的影像信息，其中该第一晶圆是已知为一良品；通过获取一第二晶圆的一影像来获得包括一第二向量的影像信息，其中该第二晶圆是已知为一不良品；基于与该第一向量及该第二向量相关的一共变异数矩阵，计算一投影向量；通过获取待测的一第三晶圆的一影像来获得包括一第三向量的影像信息；将该第一向量、该第二向量及该第三向量的各者投影到该投影向量上；及基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。

【技术特征摘要】
2017.01.12 US 15/404,6271.一种晶圆识别方法，其包含：通过获取一第一晶圆的一影像来获得包括一第一向量的影像信息，其中该第一晶圆是已知为一良品；通过获取一第二晶圆的一影像来获得包括一第二向量的影像信息，其中该第二晶圆是已知为一不良品；基于与该第一向量及该第二向量相关的一共变异数矩阵，计算一投影向量；通过获取待测的一第三晶圆的一影像来获得包括一第三向量的影像信息；将该第一向量、该第二向量及该第三向量的各者投影到该投影向量上；及基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。2.如权利要求1所述的晶圆识别方法，其中该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该第一向量及该第二向量计算该共变异数矩阵。3.如权利要求2所述的晶圆识别方法，其中该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该共变异数矩阵计算一第一特征值及一第二特征值。4.如权利要求3所述的晶圆识别方法，其中该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该第一特征值及该第二特征值二者计算一第一特征向量及一第二特征向量。5.如权利要求4所述的晶圆识别方法，其中该基于与该第一向量及该第二向量相关的该共变异数矩阵的该投影向量的计算进一步包含：基于该第一特征向量及该第二特征向量二者计算该投影向量。6.如权利要求1所述的晶圆识别方法，其中该基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量且根据最近邻规则(nearestneighborrule，NNR)将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。7.如权利要求1所述的晶圆识别方法，其中该基于该经投影第一向量、该经投影第二向量及该经投影第三向量的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：计算在该经投影第一向量与该经投影第三向量之间的一第一距离；计算在该经投影第二向量与该经投影第三向量之间的一第二距离；及基于该第一距离及该第二距离将该第三晶圆分类成该良品或该不良品。8.如权利要求7所述的晶圆识别方法，其中该基于该第一距离及该第二距离的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：当该第一距离小于该第二距离时，将该第三晶圆分类成该良品。9.如权利要求7所述的晶圆识别方法，其中该基于该第一距离及该第二距离的该第三晶圆为该良品或该不良品的分类包含：当该第一距离大于该第二距离时，将该第三晶圆分类成该不良品。10.一种晶圆识别方法，其包含：通过获取一第一晶圆的一影像来获得包括一第一向量的影像信息，其中该第一晶圆是已知为一良品；通过获取一第二晶圆的一影像来获得包括一第二向量的影像信息，其中该第二晶圆是已知为一不良...

【专利技术属性】
技术研发人员：方伟力，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71