硅片清洗剂及硅片清洗方法技术

本发明专利技术涉及一种硅片清洗剂及硅片清洗方法。该硅片清洗剂，含有螯合剂、活性剂、可溶性碱、醇类添加剂、消泡剂、基材湿润剂、抗氧化剂和去离子水。该硅片清洗方法是将待清洗的硅片依次经纯水漂洗、药剂清洗、纯水漂洗、超声漂洗、提拉烘干，得到表面洁净的硅片。上述硅片清洗剂及硅片清洗方法，能够降低硅片崩边、隐裂、脏污的比例，清洗后不出现黑边，硅片在清洗过程中不容易被氧化。同时，上述硅片清洗剂及硅片清洗方法还能够降低万片清洗剂的使用量，改善脱胶清洗员工的作业环境，提高硅片清洗速度。

Silicon cleaning agent and silicon wafer cleaning method

The invention relates to a silicon wafer cleaning agent and a silicon wafer cleaning method. The silicon wafer cleaning agent contains chelating agent, active agent, soluble alkali, alcohol additive, defoamer, base material wetting agent, antioxidant and deionized water. The silicon wafers are cleaned by pure water rinsing, medicament cleaning, pure water rinsing, ultrasonic rinsing, and drawing drying to get clean silicon wafers. The cleaning method of silicon wafer cleaning agent and silicon wafer can reduce the proportion of disintegration, cleft and dirty, without black edge after cleaning, and the silicon wafer is not easy to be oxidized during the cleaning process. At the same time, the cleaning method of silicon wafer cleaning agent and silicon wafer can also reduce the use of 10000 pieces of cleaning agent, improve the working environment of degumming and cleaning staff, and improve the cleaning speed of silicon wafer.

【技术实现步骤摘要】
硅片清洗剂及硅片清洗方法
本专利技术涉及光伏产品加工
，特别是涉及一种硅片清洗剂及硅片清洗方法。
技术介绍
随着太阳能快速高效的发展，硅片的大直径化、超薄化和组件结构的高集成化，对硅片清洗要求越来越高。在清洗过程中，一旦出现污渍、崩边、隐裂整个硅片将会报废。目前，对于硅片的清洗，所采用的清洗液通常为由氢氧化钾与水所配置成的碱性溶液。但是，氢氧化钾溶液的清洗能力有限，且在清洗过程中容易产生大量泡沫，泡沫漂浮在清洗液的表面将硅微粉附着在硅晶片上边缘会形成至少宽1-2mm的黑印，难以漂洗。目前行业中针对这类问题，一般采用两种方法：一种是成倍增加碱液用量；一种是增加超声漂洗过程中超声波的振幅。这两种方法是的缺点是，增加碱液的用量，会增加成本，并且有可能造成硅片的二次污染；增强超声波的振幅，则会对硅片产生损伤，使硅片的隐裂和崩缺指数上升。因此，迫切需要开发一种新型的硅片清洗剂及硅片清洗方法。
技术实现思路
基于此，有必要针对硅片清洗效果不理想的问题，提供一种硅片清洗剂及硅片清洗方法。一种硅片清洗剂，含有如下质量百分比的组分：螯合剂5％-8％活性剂0.5％-1％可溶性碱20％-25％醇类添加剂1％-2％消泡剂0％-2％基材湿润剂0.5％-1％抗氧化剂1％-2％，去离子水59.4％-72％。上述硅片清洗剂，能够降低硅片崩边、隐裂、脏污的比例，清洗后不出现黑边，硅片在清洗过程中不容易被氧化。在其中一个实施例中，所述螯合剂选自乙二胺四乙酸、氮川三乙酸、二乙撑三胺五乙酸、N-羟乙基乙胺三乙酸中的一种或几种。在其中一个实施例中，所述活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、十二烷基硫酸钠中的一种或几种。在其中一个实施例中，所述可溶性碱选自氢氧化钠、氢氧化钾、氨水中的一种或几种。在其中一个实施例中，所述醇类添加剂选自丙三醇、二缩三乙二醇、二丙酮醇中的一种或几种。在其中一个实施例中，所述消泡剂选自聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚、高碳醇脂肪酸酯复合物、聚丙二醇、聚二甲基硅氧烷中的一种或几种。在其中一个实施例中，所述基材湿润剂选自聚醚改性聚硅氧烷、聚醚改性二甲基硅氧烷、丙二醇中的一种或几种。在其中一个实施例中，所述抗氧化剂选自特丁基对苯二酚、二叔丁基对甲酚中的一种或几种。在其中一个实施例中，所述硅片清洗剂含有如下质量百分比的组分：乙二胺四乙酸8％脂肪醇聚氧乙烯醚0.95％氢氧化钠24.5％丙三醇2％聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚2％聚醚改性聚硅氧烷1％特丁基对苯二酚2％，去离子水59.55％。一种硅片清洗方法，将待清洗的硅片依次经初次漂洗、药剂清洗、二次漂洗、超声漂洗、提拉烘干，得到表面洁净的硅片，所述药剂清洗中使用的清洗剂选自如前所述的清洗剂。上述硅片清洗方法还能够降低万片清洗剂的使用量，改善脱胶清洗员工的作业环境，提高硅片清洗速度。在其中一个实施例中，所述药剂清洗先采用清洗剂与水的混合液清洗1次，再采用清洗剂、氢氧化钾与水的混合液清洗2次，药剂清洗的水温为60±5℃。在其中一个实施例中，所述清洗剂与水的混合液中两者的比例为1:33，所述清洗剂、氢氧化钾与水的混合液中三者的比例为1:0.08:33。在其中一个实施例中，所述超声漂洗的次数为1-3次。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，以下结合具体实施方式，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。实施例本专利技术提供了一种硅片清洗剂，包含如下质量百分比的组分：螯合剂5％-8％活性剂0.5％-1％可溶性碱20％-25％醇类添加剂1％-2％消泡剂0％-2％基材湿润剂0.5％-1％抗氧化剂1％-2％，去离子水59.4％-72％。除上述组分外，还可以添加其他组分，只要改清洗剂的最低作用效果能够实现即可。优选地，所述螯合剂选自乙二胺四乙酸、氮川三乙酸、二乙撑三胺五乙酸、N-羟乙基乙胺三乙酸中的一种或几种。优选地，所述活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、十二烷基硫酸钠中的一种或几种。优选地，所述可溶性碱选自氢氧化钠、氢氧化钾、氨水中的一种或几种。优选地，所述醇类添加剂选自丙三醇、二缩三乙二醇、二丙酮醇中的一种或几种。优选地，所述消泡剂选自聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚、高碳醇脂肪酸酯复合物、聚丙二醇、聚二甲基硅氧烷中的一种或几种。优选地，所述基材湿润剂选自聚醚改性聚硅氧烷、聚醚改性二甲基硅氧烷、丙二醇中的任意或几种。优选地，所述抗氧化剂选自特丁基对苯二酚、二叔丁基对甲酚中的一种或几种。进一步优选地，所述硅片清洗剂含有如下质量百分比的组分：乙二胺四乙酸8％脂肪醇聚氧乙烯醚0.95％氢氧化钠24.5％丙三醇2％聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚2％聚醚改性聚硅氧烷1％特丁基对苯二酚2％，去离子水59.55％。一种硅片清洗方法，将待清洗的硅片依次经初次漂洗、药剂清洗、二次漂洗、超声漂洗、提拉烘干，得到表面洁净的硅片，所述药剂清洗中使用的清洗剂选自如前所述的清洗剂。优选地，所述药剂清洗先采用清洗剂与水的混合液清洗1次，再采用清洗剂、氢氧化钾与水的混合液清洗2次，药剂清洗的水温为60±5℃。优选地，所述清洗剂与水的混合液中两者的比例为1:33，所述清洗剂、氢氧化钾与水的混合液中三者的比例为1:0.08:33。优选地，所述超声漂洗的次数为1-3次。本专利技术的专利技术人经过实践发现，通过采用上述硅片清洗剂及清洗方法，能够降低硅片崩边、隐裂、脏污的比例，清洗后不出现黑边，硅片在清洗过程中不容易被氧化。同时，还能够降低万片清洗剂的使用量，改善脱胶清洗员工的作业环境，提高硅片清洗速度。以下结合具体实施例对本专利技术作进一步阐述。按照表1的重量百分比，将乙二胺四乙酸、脂肪醇聚氧乙烯醚、氢氧化钠、丙三醇、聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚、聚醚改性聚硅氧烷、特丁基对苯二酚和去离子水在常温下充分搅拌，即得硅片清洗剂1-5。表1按照表2的重量百分比，将氮川三乙酸、十二烷基硫酸钠、氨水、二丙酮醇、聚丙二醇、丙二醇、二叔丁基对甲酚和去离子水在常温下充分搅拌，即得硅片清洗剂6-10。表2设置11组清洗机，每组清洗机根据清洗本专利技术的硅片清洗工艺要求相应地具有漂洗槽1、药剂槽2-4、漂洗槽5、超声漂洗槽6-8、提拉烘干槽9。在进行硅片清洗前，先将每组清洗机的药剂槽2-4中加入等量的纯水，水温为60±5℃。然后在第1-10组清洗机的药剂槽2中按照水:清洗剂为3:1的比例分别加入清洗剂1-10，在药剂槽3-4中按照清洗剂:氢氧化钾:水为1:0.08:33的比例分别加入清洗剂1-10和氢氧化钾；另外，在第11组清洗机的药剂槽2-4中按照水:氢氧化钾为29:1的比例加入氢氧化钾，作为对比例。按照初次漂洗、药剂清洗、二次漂洗、超声漂洗、提拉烘干的工艺顺序进行硅片的清洗，1h后分选测量硅片的黑边率、氧化率、脏片率，12h后测量万片清洗剂用量，测试结果见表3。表3通过表3的数据可以看出，采用本专利技术的硅片清洗剂及硅片清洗方法，相比于单纯采用氢氧化钾的清洗效果而言，硅片黑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅片清洗剂，其特征在于，包含如下质量百分比的组分：螯合剂 5％‑8％活性剂 0.5％‑1％可溶性碱 20％‑25％醇类添加剂 1％‑2％消泡剂 0％‑2％基材湿润剂 0.5％‑1％抗氧化剂 1％‑2％，去离子水 59.4％‑72％。

【技术特征摘要】
1.一种硅片清洗剂，其特征在于，包含如下质量百分比的组分：螯合剂5％-8％活性剂0.5％-1％可溶性碱20％-25％醇类添加剂1％-2％消泡剂0％-2％基材湿润剂0.5％-1％抗氧化剂1％-2％，去离子水59.4％-72％。2.根据权利要求1所述的硅片清洗剂，其特征在于，所述螯合剂选自乙二胺四乙酸、氮川三乙酸、二乙撑三胺五乙酸、N-羟乙基乙胺三乙酸中的一种或几种。3.根据权利要求1所述的硅片清洗剂，其特征在于，所述活性剂选自脂肪醇聚氧乙烯醚、十二烷基硫酸钠中的一种或几种。4.根据权利要求1所述的硅片清洗剂，其特征在于，所述消泡剂选自聚氧丙烯氧化乙烯甘油醚、高碳醇脂肪酸酯复合物、聚丙二醇、聚二甲基硅氧烷中的一种或几种。5.根据权利要求1所述的硅片清洗剂，其特征在于，所述基材湿润剂选自聚醚改性聚硅氧烷、聚醚改性二甲基硅氧烷、丙二醇中的一种或几种。6.根据权利要求1所述的硅片清洗剂，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：申世峰，
申请(专利权)人：常州协鑫光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32