The utility model relates to a low voltage bus signal latch. The low voltage bus signal latch is made up of two low threshold inverters. A small forward feedback current is generated by the second inverter to return to the input of the first inverter. This can effectively increase the input current of the level transition period, so that the circuit can enter quickly. To the normal state of the input level, the input level is latched through feedback, and the final level signal is locked in a stable state until the next bus signal comes. When the circuit has latch function, even if the bus is in invalid state, the input terminals of the bus node will also remain in the state of the last input signal. The first second inverter is composed of a CMOS tube with low threshold voltage, and the Schottky barrier diode used in the second inverter realizes the normal operation of the bus signal latch circuit under low voltage conditions.
【技术实现步骤摘要】
低压总线信号锁存器
本技术涉及电子电路领域,具体涉及低压总线信号锁存器。
技术介绍
总线信号锁存器是通过反相器对来自输出信号的输入端口的正反馈,其形成了双稳态电路(锁存的)。总线信号锁存器被用于防止如下情形:当其连接至三态网络时,互补金属氧化物半导体CMOS门输入得到浮动值。另外,门中的两个晶体管应当被打开,由此电源和地将被短路,这将毁坏CMOS门。总线信号锁存器通过将输入上拉至网络上最后一个有效的逻辑水平(0或1)来防止这种情形。这种电路通常与三态网络并行地布置在一起。由常规阈值器件构成的总线信号锁存器可以工作在TTL(Transistor-TransistorLogic)和CMOS(ComplementaryMetalOxideSemicondutor)逻辑电平下,但是随着技术和工艺的发展以及设备低功耗等要求,供电电压越来越低,LVTTL(LowVoltageTTL)和LVCMOS(LowVoltageCMOS)分别在TTL和CMOS的基础上发展起来。LVTTL和LVMOS常用的供电电压有3.3V、2.5V、1.8V,一些处理器等高速芯片还会用到更低的逻辑电平。当常规阈值器件构成的总线信号锁存器运用于LVTTL和LVCMOS甚至电压更低的逻辑电平时,会出现功能失效的情况。通常反相器的最低工作电压必须高于N管的阈值电压与P管阈值电压之和,否则将会出现电源到地的漏电,电路不能正常工作。常规器件的阈值电压在0.7V左右,限制了电源电压的范围。在总线信号由低跳高时,上拉通路无足够反馈电流流过,对信号无锁存功能。如果这时总线信号消失,端口信号为不定态,不能保持在 ...
【技术保护点】
1.低压总线信号锁存器电路,其特征在于,包括晶体管P1、晶体管N1、晶体管P2、晶体管N2和二极管D1;所述晶体管P1的栅极与N1的栅极连接,并作为锁存器电路的数据输入端,P1的漏极与N1的漏极连接,并作为锁存器电路的数据输出端;P1的源极与电源连接,N1的源极接地;所述晶体管P2的栅极、N2的栅极与数据输出端连接,P2的源极与电源连接,N2的源极接地,P2的漏极通过二极管D1与N2的漏极、数据输入端连接。
【技术特征摘要】
1.低压总线信号锁存器电路,其特征在于,包括晶体管P1、晶体管N1、晶体管P2、晶体管N2和二极管D1;所述晶体管P1的栅极与N1的栅极连接,并作为锁存器电路的数据输入端,P1的漏极与N1的漏极连接,并作为锁存器电路的数据输出端;P1的源极与电源连接,N1的源极接地;所述晶体管P2的栅极、N2的栅极与数据输出端连接,P2的源极与电源连接,N2的源极接地,P2的漏极通过二极管D1与N2的漏极、数据输入端连接。2.如权利要求1所述低压总线信号锁存器电路,其特征在于,所述晶体管P1、P2为PMOS晶体管,所述晶体管N...
【专利技术属性】
技术研发人员:林雨佳,
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第四十七研究所,
类型:新型
国别省市:辽宁,21
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