一种MOS管驱动电压的控制电路制造技术

本实用新型专利技术实施例公开了一种MOS管驱动电压的控制电路，该控制电路包括第一MOS管、稳压电路和微控芯片，还包括升压电路和第二MOS管；其中微控芯片的第一输出端与第二MOS管的栅极相连，用于输出控制信号控制第二MOS管的开关状态；微控芯片的第二输出端与升压电路相连，用于输出方波信号；升压电路的输出端分别与第一MOS管的栅极和第二MOS管的漏极相连，用于根据方波信号产生第一MOS管的目标驱动电压；目标驱动电压与第二MOS管的开关状态相结合，用于控制第一MOS管的开关状态。通过采用上述方案，第一MOS管的驱动电压得到提升。当第一MOS管导通时，其内阻降低，耐温度特性增强，同时也达到了降低功耗的效果。

A control circuit for driving voltage of MOS tube

The utility model discloses a control circuit for a MOS tube driving voltage. The control circuit includes a first MOS tube, a voltage stabilizing circuit and a micro control chip, and also includes a boost circuit and a second MOS tube; the first output end of the microchip is connected to the gate of the second MOS tube, for the output of the output control signal control second MOS tube. The second output end of the microchip is connected to the boost circuit to output a square wave signal; the output end of the boost circuit is connected to the gate of the first MOS tube and the drain of the second MOS tube, which is used to produce the target driving voltage of the first MOS tube based on the square wave signal; the target drive voltage and the switching state of the second MOS tube are in phase. It is used to control the switching state of the first MOS tube. By adopting the above scheme, the driving voltage of the first MOS tube is raised. When the first MOS tube is turned on, its internal resistance decreases, and its temperature resistance is enhanced. At the same time, the effect of reducing power consumption is achieved.

【技术实现步骤摘要】
一种MOS管驱动电压的控制电路
本技术实施例涉及控制电路领域，尤其涉及一种MOS管驱动电压的控制电路。
技术介绍
MOS管作为开关器件是各种控制系统中常见的组件，利用MOS管可以使电路中的电流中断、导通或者流到其它的电路中，从而控制机电设备的工作状态。一般情况下，基于行业标准，对于像MOS管等大多数电子元器件的供电电压为5V。对于NPN型MOS管，当栅极和源极之间的电压Vgs＝5V时，MOS管导通；当Vgs＝0V时，MOS管关断。然而，当MOS管的工作电压为5V时，MOS管的内阻较大，进而导致MOS管的热功率较大。若MOS管导通时的工作电流也较大时，MOS管由于热功率过高很容易被烧毁。同时，当MOS管的工作电压为5V时，MOS管的内阻受温度的影响也较大，即当温度发生较大的变化时，MOS管的内阻也会随之发生较大的变化，不利于MOS管性能的稳定。因此，参照MOS管工作时的功耗以及耐温度特性，当MOS管的驱动电压为5V时，MOS管的功耗较大，同时其耐温性能也较差。
技术实现思路
为解决相关技术问题，本技术提供一种MOS管驱动电压的控制电路，使得MOS管的驱动电压增加，进而降低MOS管的内阻，提升MOS管的耐温度特性。为实现上述目的，本技术实施例采用如下技术方案：第一方面，本技术实施例提供了一种MOS管驱动电压的控制电路，包括：第一MOS管、稳压电路和微控芯片，其中，还包括：升压电路和第二MOS管；其中，所述稳压电路的输入端与电源相连，输出端分别与所述微控芯片和所述升压电路相连，用于将电源电压转化为供电电压，分别给所述微控芯片和所述升压电路供电；所述微控芯片的第一输出端与所述第二MOS管的栅极相连，用于输出控制信号控制所述第二MOS管的开关状态；所述微控芯片的第二输出端与所述升压电路相连，用于基于所述供电电压输出方波信号；所述升压电路的输出端分别与所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的漏极相连，用于根据所述方波信号产生所述第一MOS管的目标驱动电压；所述目标驱动电压与所述第二MOS管的开关状态相结合，用于控制所述第一MOS管的开关状态。进一步的，当所述微控芯片的第一输出端输出高电平信号时，所述第二MOS管导通；当所述微控芯片的第一输出端输出低电平信号时，所述第二MOS管关断。进一步的，所述升压电路包括分压电阻，分别与所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的漏极相连；当所述第二MOS管导通时，所述分压电阻通过所述第二MOS管接地，所述第一MOS管关断；当所述第二MOS管关断时，所述第一MOS管在所述目标驱动电压的驱动下导通。进一步的，所述控制电路还包括：电机，与所述第一MOS管的漏极相连；当所述第一MOS管导通时，控制所述电机转动；当所述第一MOS管关断时，控制所述电机停止转动。进一步的，所述升压电路为二倍压整流电路。进一步的，所述稳压电路输出端的供电电压为5V；通过所述二倍压整流电路，产生的所述第一MOS管的目标驱动电压为10V。进一步的，所述升压电路包括：第一电容、第二电容、第一二极管和第二二极管，其中，所述第一二极管的阳极与所述稳压电路的输出端相连，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阳极相连；所述第二二极管的阴极作为所述升压电路的输出端，通过所述第二电容接地；所述第一电容的输入端与所述微控芯片相连，输出端与所述第二二极管的阳极相连。进一步的，所述稳压电路为稳压器。进一步的，所述第一MOS管和所述第二MOS管均为NPN型MOS管。本技术实施例的技术方案中，稳压电路的输入端与电源相连，输出端分别与微控芯片和升压电路相连，用于将电源电压转化为供电电压，分别给微控芯片和升压电路供电。通过将微控芯片的第一输出端与第二MOS管的栅极相连，用于输出控制信号控制第二MOS管的开关状态。通过将微控芯片的第二输出端与升压电路相连，用于基于供电电压输出方波信号。升压电路的输出端分别与第一MOS管的栅极和第二MOS管的漏极相连，用于根据方波信号产生第一MOS管的目标驱动电压；目标驱动电压与第二MOS管的开关状态相结合，用于控制第一MOS管的开关状态。通过采用上述技术方案，驱动第一MOS管导通的目标驱动电压相对于现有技术的驱动电压得到有效提升，当第一MOS管导通时，其内阻降低，第一MOS管的耐温度特性增强，进而有利于第一MOS管性能的稳定。此外，第一MOS管内阻的降低也可达到降低功耗的效果。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对本技术实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据本技术实施例的内容和这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例一提供的一种MOS管驱动电压的控制电路的结构示意图；图2为本技术实施例一提供的一种优选的MOS管驱动电压的控制电路示意图；图3为本技术实施例二提供的一种升压电路的示意图。具体实施方式为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本技术实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一图1为本技术实施例一提供的一种MOS管驱动电压的控制电路的结构示意图。如图1所示，该控制电路100包括第一MOS管110、稳压电路120、微控芯片130、升压电路140和第二MOS管150。其中，稳压电路120的输入端与电源相连，输出端分别与微控芯片130和升压电路140相连，用于将电源电压转化为供电电压，分别给微控芯片130和升压电路140供电。微控芯片130的第一输出端与第二MOS管150的栅极相连，用于输出控制信号控制第二MOS管150的开关状态；微控芯片130的第二输出端与升压电路140相连，用于基于供电电压输出方波信号。升压电路140的输出端分别与第一MOS管110的栅极和第二MOS管150的漏极相连，用于根据方波信号产生第一MOS管110的目标驱动电压。目标驱动电压与第二MOS管的开关状态相结合，用于控制第一MOS管110的开关状态。示例性的，微控芯片可以为如单片机等微控制单元。微控芯片的第一输出端输出的控制信号可以为类似于方波信号的高低电平信号，用于控制第二MOS管的导通和关断。例如，当微控芯片的第一输出端输出高电平信号时，第二MOS管导通；当微控芯片的第一输出端输出低电平信号时，第二MOS管关断。示例性的，升压电路可以为二倍压整流电路，即可以将较低的交流电压，通过耐压较高的整流二极管和电容器，得到一个较高的直流电压。而如果二倍压整流电路的输入为直流电压时，则该二倍压整流电路在控制电路中所起到的作用是：提升二倍压整流电路的输出电压，使得输出电压增大到输入电压的二倍。例如，当稳压电路输出端的供电电压为5V时，通过二倍压整流电路，输出的第一MOS管的目标驱动电压为10V。因此，通过二倍压整流电路，第一MOS管的驱动电压得到有效提升。当第一MOS管的驱动电压由现有技术中的5V提升本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS管驱动电压的控制电路，包括：第一MOS管、稳压电路和微控芯片，其特征在于，还包括：升压电路和第二MOS管；其中，所述稳压电路的输入端与电源相连，输出端分别与所述微控芯片和所述升压电路相连，用于将电源电压转化为供电电压，分别给所述微控芯片和所述升压电路供电；所述微控芯片的第一输出端与所述第二MOS管的栅极相连，用于输出控制信号控制所述第二MOS管的开关状态；所述微控芯片的第二输出端与所述升压电路相连，用于基于所述供电电压输出方波信号；所述升压电路的输出端分别与所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的漏极相连，用于根据所述方波信号产生所述第一MOS管的目标驱动电压；所述目标驱动电压与所述第二MOS管的开关状态相结合，用于控制所述第一MOS管的开关状态。

【技术特征摘要】
1.一种MOS管驱动电压的控制电路，包括：第一MOS管、稳压电路和微控芯片，其特征在于，还包括：升压电路和第二MOS管；其中，所述稳压电路的输入端与电源相连，输出端分别与所述微控芯片和所述升压电路相连，用于将电源电压转化为供电电压，分别给所述微控芯片和所述升压电路供电；所述微控芯片的第一输出端与所述第二MOS管的栅极相连，用于输出控制信号控制所述第二MOS管的开关状态；所述微控芯片的第二输出端与所述升压电路相连，用于基于所述供电电压输出方波信号；所述升压电路的输出端分别与所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的漏极相连，用于根据所述方波信号产生所述第一MOS管的目标驱动电压；所述目标驱动电压与所述第二MOS管的开关状态相结合，用于控制所述第一MOS管的开关状态。2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于：当所述微控芯片的第一输出端输出高电平信号时，所述第二MOS管导通；当所述微控芯片的第一输出端输出低电平信号时，所述第二MOS管关断。3.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述升压电路包括分压电阻，分别与所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的漏极相连；当所述第二MOS管导通时，所述分压电阻通过所述第二MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：缪建民，
申请(专利权)人：华景传感科技无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32