导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极技术

本发明专利技术涉及一种导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极。更具体地，根据本发明专利技术的实施例的导电结构包括：设置在基板上的金属层；以及设置在所述金属层的至少一侧的光反射减少层，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。

Conductive structure, manufacturing method of the conductive structure and electrode including the conductive structure

The invention relates to a conductive structure, a manufacturing method of the conductive structure and an electrode including the conductive structure. More specifically, the conductive structure according to the embodiment of the present invention includes: a metal layer set on a substrate, and a light reflection reduction layer set at least side of the metal layer, wherein the light reflection reduction layer includes: including aluminum, molybdenum, titanium, zirconium, yttrium, silicon, silver, nickel, manganese, niobium, gold, chromium and cobalt. More than one metal oxide, nitride or nitrogen oxides; zinc; and copper.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极
本申请要求于2015年12月7日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0173536的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。本说明书涉及一种导电结构、该导电结构的制造方法及包括该导电结构的电极。
技术介绍
液晶显示器是近来在多媒体领域中使用的最重要的显示装置，广泛用于手机、计算器的监控器、笔记本式计算机和电视机。液晶显示装置具有扭曲向列(TN)模式，在扭曲向列(TN)模式中，包括排列成扭曲形式的向列型液晶的液晶层插设在两片正交偏振板之间，然后电场沿垂直方向施加于基板。在TN模式方案中，当液晶显示装置显示黑色时，液晶在与基板垂直的方向上排列，从而处于倾斜视角的液晶分子发生双折射，并且光泄漏。为了解决TN模式方案的视角问题，引入了一种平面转换(IPS：in-planeswitching)模式，在平面转换模式中，在一个基板上形成两个电极，并且利用在两个电极之间产生的横向电场调节液晶的指向(director)。也就是说，IPS模式方案的液晶显示装置也称作平面转换液晶显示器或横向电场方案液晶显示器，电极设置在液晶所在的单元内的同一平面上，从而液晶不在竖直方向上排列，而是排列成在电极的横向上平行于表面。然而，IPS模式方案可能具有难以通过像素电极和公用电极的高光反射率来实现高图像品质的问题。
技术实现思路
技术问题本说明书提供一种导电结构，其能够实现具有高图像品质的显示器。技术方案本说明书的示例性实施例提供一种导电结构，所述导电结构包括：基板；金属层，设置在所述基板上；以及光反射减少层，设置在所述金属层的至少一个表面上，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。本说明书的示例性实施例提供所述导电结构的制造方法。该方法包括：制备基板；在所述基板上形成金属层；以及在所述金属层上形成光反射减少层，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。本说明书的示例性实施例提供一种包括所述导电结构的电极。本说明书的示例性实施例提供一种包括所述电极的显示装置。有益效果根据本说明书的示例性实施例的导电结构可以通过控制金属层的光反射率来实现低光反射率。根据本说明书的示例性实施例的导电结构可以包括具有微小线宽和低光反射率的导线(conductiveline)，由此实现高可视性。根据本说明书的示例性实施例的导电结构当应用于诸如显示装置的电子装置时，可以根据工艺环境将导电结构的电导率的减小最小化。附图说明图1至图3示出了根据本说明书的示例性实施例的导电结构的堆叠结构。图4示出了根据本说明书的示例性实施例的在导电结构被图案化的情况下的堆叠结构。图5示出了根据示例1的导电结构中的光反射减少层的表面的光反射率。图6示出了在根据实验例1的恒温恒湿测试之前和之后的根据示例2的导电结构的光反射率的变化。图7示出了在根据实验例1的恒温恒湿测试之前和之后的根据比较例1的导电结构的光反射率的变化。图8示出了在根据实验例1的恒温恒湿测试之前和之后的根据比较例2的导电结构的光反射率的变化。100：基板200：金属层210：金属图案层300：光反射减少层310：光反射减少图案层具体实施方式在本说明书中，当特定部件位于另一部件“上”时，其包括其他部件存在于两个部件之间的情况以及特定部件与另一部件接触的情况。在本说明书中，在特定部分“包括”特定的构成要素时，除非明确地说明与之相反，否则其表示进一步包括其他构成要素而不排除其他的构成要素。在本说明书中，at％基于构成光反射减少层的材料的100％。在下文中，将更详细地描述本说明书。本说明书的示例性实施例提供一种导电结构，包括：基板；金属层，设置在所述基板上；以及光反射减少层，设置在所述金属层的至少一个表面上，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以包括：包含铝、镍和铌中的一种或两种的金属的氧化物或氮氧化物；锌；以及铜。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以包括：包含铝、镍和铌中的一种或两种的金属的氧化物；锌；以及铜。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以基本上包括锌。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以基本上包括锌，并且相对于光反射减少层，Zn的含量可以为5at％以上且30at％以下，或者15at％以上且30at％以下。具体地，光反射减少层可以基本上包括锌，并且相对于光反射减少层，锌的含量可以为20at％以上且30at％以下。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以基本上包括氧，并且氧的含量可以为15at％以上且50at％以下，或者25at％以上且50at％以下。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以以5at％以上且30at％以下的含量包含锌，并且可以以15at％以上且55at％以下的含量包含氧。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以以1at％以上且10at％以下的含量包含铜。具体地，根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以以5at％以上且10at％以下的含量包含铜。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由四元系材料(fourcomponentsystemmaterial)构成，在该四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，并且锌的含量可以为20at％以上且30at％以下，铜的含量可以为1at％以上且10at％以下，铝的含量可以为30at％以上且40at％以下，氧的含量可以为25at％以上且45at％以下。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由四元系材料构成，在该四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，并且光反射减少层可以以25at％以上且30at％以下的含量包含锌。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由四元系材料构成，在该四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，并且光反射减少层可以以4at％以上且6at％以下的含量包含铜。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由四元系材料构成，在该四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，并且光反射减少层可以以33at％以上且38at％以下的含量包含铝。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由四元系材料构成，在该四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，并且光反射减少层可以以25at％以上且35at％以下的含量包含氧。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由锌、镍、铌、铜以及氧的五元系材料(fivecomponentsystemmaterial)构成，并且锌的含量可以为20at％以上且30at％以下，镍的含量可以为20at％以上且30at％以下，铌的含量可以为5at％以上且15at％以下，铜的含量可以为1at％以上且10at％以下，氧的含量可以为15at％以上且50at％以下。根据本说明书的示例性实施例，光反射减少层可以由锌、镍、铌、铜以及氧的五元系材料构成，并且光反射减少层可以以20at％以上且2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电结构，包括：基板；金属层，设置在所述基板上；以及光反射减少层，设置在所述金属层的至少一个表面上，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.07 KR 10-2015-01735361.一种导电结构，包括：基板；金属层，设置在所述基板上；以及光反射减少层，设置在所述金属层的至少一个表面上，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、钼、钛、锆、钇、硅、银、镍、锰、铌、金、铬和钴中的一种或两种以上的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。2.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述光反射减少层包括：包含铝、镍和铌中的一种或两种的金属的氧化物、氮化物或氮氧化物；锌；以及铜。3.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述光反射减少层以5at％以上且30at％以下的含量包含锌，并且以15at％以上且55at％以下的含量包含氧。4.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述光反射减少层以1at％以上且10at％以下的含量包含铜。5.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述光反射减少层由四元系材料构成，在所述四元系材料中，锌、铜及铝与氧结合，锌的含量为20at％以上且30at％以下，铜的含量为1at％以上且10at％以下，铝的含量为30at％以上且40at％以下，并且氧的含量为25at％以上且45at％以下。6.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述光反射减少层由锌、镍、铌、铜以及氧的五元系材料构成，锌的含量为20at％以上且30at％以下，镍的含量为20at％以上且30at％以下，铌的含量为5at％以上且15at％以下，铜的含量为1at％以上且10at％以下，并且氧的含量为15at％以上且50at％以下。7.根据权利要求1所述的导电结构，其中，所述光反射减少层的厚度为10nm以上且100nm以下。8.根据权利要求1所述的导电结构，其中，对于波长为380nm至780nm的光，所述光反射减少层的表面的平均光反射率为25％以下。9.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：李一翻，闵进赫，金起焕，朴赞亨，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国,KR