基板加工装置及基板加工方法制造方法及图纸

公开了一种加工基板的装置和方法，其中，所述装置包括：加工腔室；用于支撑至少一个基板的基板支撑体，其中，所述基板支撑体设置在所述加工腔室中，并朝预定方向旋转；与所述基板支撑体相对的腔室盖，所述腔室盖用于覆盖所述加工腔室；以及具有用于将气体分配给所述基板的多个气体分配模块的气体分配器，其中，每个所述气体分配模块连接到所述腔室盖，其中，每个所述气体分配模块包括彼此相对的电源电极和接地电极，在所述电源电极和所述接地电极之间形成等离子体放电空间，并且所述等离子体放电空间与由所述基板支撑体支撑的所述基板的薄膜形成区域不重叠。

Processing method of substrate and substrate

A device and method for processing a substrate include a processing chamber, a substrate support for supporting at least one substrate, wherein the substrate support is set in the processing chamber and rotates toward a predetermined direction, and a cavity cover relative to the base support body is used for the chamber cover. Each of the gas allocation modules is connected to the chamber cover, wherein each of the gas allocation modules includes a relative electric source electrode and an earthing electrode, and the power supply is used in the power supply. A plasma discharge space is formed between the electrode and the earthing electrode, and the plasma discharge space does not overlap with the film forming region of the substrate supported by the substrate support.

【技术实现步骤摘要】
基板加工装置及基板加工方法本案是分案申请，其母案为于2013年5月28日(优先权日期：2012年5月29日)提交的专利技术名称为“基板加工装置及基板加工方法”、申请号为201380029010.1的申请。
本专利技术涉及一种基板加工装置，更具体地，涉及一种加工基板的装置和方法，其可有助于改善沉积在基板上的薄膜的沉积均匀性。
技术介绍
通常，为了制造太阳能电池、半导体器件和平板显示器件，需要在基板的表面上形成预定的薄膜层、薄膜电路图案或者光学图案。因此，需要实施半导体制造工艺，例如，将预定材料的薄膜沉积在基板上的薄膜沉积工艺、通过使用光敏材料选择性地曝光薄膜的光工艺，以及通过选择性地移除薄膜的被曝光部分来形成图案的蚀刻工艺。该半导体制造工艺在被设计成适合最佳环境的基板加工装置的内部进行。近来，利用等离子体的基板加工装置通常被用于进行沉积或蚀刻工艺。这种使用等离子体的半导体制造工艺可以是用于形成薄膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)装置，或者是用于蚀刻并图案化薄膜的等离子体蚀刻装置。图1示出了根据现有技术的基板加工装置。参见图1，根据现有技术的基板加工装置可以包括腔室10、电源电极20、承托器30，和气体分配构件40。腔室10为基板加工提供了反应空间。在这种情况下，腔室10的底表面的预定部分与用于排放来自反应空间的气体的排气管12连通。电源电极20设置在腔室10上，以便密封该反应空间。电源电极20的一侧通过匹配部件22与RF(射频)电源24电连接。射频电源24产生射频功率，并将产生的射频功率供应给电源电极20。此外，电源电极20的中心部分与为基板加工提供来源气的气体供应管26连通。匹配部件22被连接在电源电极20与射频电源24之间，以使得负载阻抗与射频功率的电源阻抗匹配，所述射频功率从射频电源24供应到电源电极20。承托器30设置在腔室10的内部，并且承托器30支撑从外部载入的多个基板W。承托器30对应于与电源电极20相反的相反电极，并且承托器30通过用于升降承托器30的升降轴32来电气接地。升降轴32通过升降装置(未示出)上下移动。在这种情况下，升降轴32被用于密封升降轴32和腔室10的底表面的波纹管34包围。气体分配构件40设置在电源电极20的下方，其中，气体分配构件40面对基板30。在这种情况下，在气体分配构件40和电源电极20之间形成气体扩散空间42。由穿透电源电极20的气体供应管26提供的来源气在气体扩散空间42的内部扩散。气体分配构件40通过与气体扩散空间42相通的多个气体分配孔44将来源气均匀地分配到反应空间42的整个区域中。在根据现有技术的基板加工装置的情况下，在将基板(W)装载到承托器30上之后，预定的来源气被分配到腔室10的反应空间中，并且将射频功率提供给电源电极20，以便在反应空间中形成等离子体，从而在基板(W)上形成预定的薄膜。然而，在根据现有技术的基板加工装置的情况下，用于分配来源气的空间与用于形成等离子体的空间相同。因此，等离子体放电在基板(W)上进行，基板(W)可能因等离子体放电而受到损害，从而使得在基板(W)上的薄膜的质量下降。
技术实现思路
技术问题本专利技术的一个方面是提供一种加工基板的装置和方法，其有助于防止等离子体放电被转移到基板上，从而防止所述基板被等离子体放电损害，并且防止沉积在基板上的薄膜的质量下降。技术方案为了获得这些优点和其他优点以及根据本专利技术的目的，提供一种基板加工装置，该基板加工装置包括：加工腔室；用于支撑至少一个基板的基板支撑体，其中，所述基板支撑体设置在所述加工腔室中，并且所述基板支撑体朝预定方向旋转；与所述基板支撑体相对的腔室盖，所述腔室盖用于覆盖所述加工腔室的上侧；以及具有用于将气体分配给所述基板的多个气体分配模块的气体分配器，其中所述多个气体分配模块连接到所述腔室盖，其中每个所述气体分配模块包括彼此相对的电源电极和接地电极，等离子体放电空间形成在所述电源电极和所述接地电极之间，并且等离子体放电空间与由所述基板支撑体支撑的基板的薄膜形成区域不重叠。在本专利技术的另一方面中，一种基板加工装置包括：加工腔室；用于支撑至少一个基板的基板支撑体，其中，所述基板支撑体设置在所述加工腔室中，并且所述基板支撑体朝预定方向旋转；与基板支撑体相对的腔室盖，所述腔室盖用来覆盖所述加工腔室的上侧；以及气体分配器，所述气体分配器具有用于将气体分配给所述基板的多个气体分配模块，其中，所述多个气体分配模块连接到所述腔室盖，其中，每个所述气体分配模块包括彼此相对的电源电极和接地电极，等离子体放电空间形成在电源电极和接地电极之间，其中，所述基板支撑体与预定的升降装置连接，当通过使用升降装置使得基板支撑体向下移动时，所述等离子体放电空间与由基板支撑体支撑的基板的薄膜形成区域不重叠，而当通过使用升降装置使得所述基板支撑体向上移动时，所述等离子体放电空间与由所述基板支撑体支撑的基板的薄膜形成区域重叠。在本专利技术的另一方面中，提供一种基板加工方法，所述基板加工方法包括：在加工腔室中安装多个气体分配模块，并且将至少一个基板装载到基板支撑体上；旋转所述基板支撑体；以及将来自多个气体分配模块中的至少一个气体分配模块的气体分配给所述基板，并且产生等离子体放电，其中，每个气体分配模块包括彼此相对的电源电极和接地电极，等离子体放电空间形成在所述电源电极与所述接地电极之间，并且所述等离子体放电空间与由所述基板支撑体支撑的基板的薄膜形成区域不重叠。在本专利技术的另一方面中，提供一种基板加工方法，所述基板加工方法包括：在加工腔室中安装多个气体分配模块，并且将至少一个基板装载到基板支撑体上；旋转所述基板支撑体；将来自多个气体分配模块中的至少一个气体分配模块的气体分配给所述基板，并且产生第一等离子体放电；以及将来自所述多个气体分配模块中的至少一个气体分配模块的第二气体分配给所述基板，并且产生第二等离子体放电；其中，在等离子体放电空间与装载到所述基板支撑体上的基板的薄膜形成区域重叠的条件下进行所述第一等离子体放电，而其中在等离子体放电空间与装载到所述基板支撑体上的基板的薄膜形成区域不重叠的条件下进行所述第二等离子体放电。在本专利技术的另一方面中，提供一种基板加工装置，所述基板加工装置包括：加工腔室；用于支撑至少一个基板的基板支撑体，其中所述基板支撑体设置在加工腔室中，所述基板支撑体朝预定方向旋转，所述基板支撑体的旋转速度是可变的；与所述基板支撑体相对的腔室盖，所述腔室盖用于覆盖所述加工腔室的上侧；以及气体分配器，所述气体分配器具有用于将气体分配给所述基板的多个气体分配模块，其中，所述多个气体分配模块连接到所述腔室盖，其中，每个所述气体分配模块设置有用于分配第一气体的第一气体分配空间和用于分配第二气体的第二气体分配空间，所述第一气体分配空间和所述第二气体分配空间在空间上彼此分离，其中，所述基板支撑体与预定的升降装置连接，并通过使用升降装置上下移动，以便改变所述气体分配模块与所述基板支撑体之间的间距。在本专利技术的另外一方面中，提供一种基板加工方法，所述基板加工方法包括：在加工腔室中安装多个气体分配模块，并且将至少一个基板装载到基板支撑体上；确定所述气体分配模块和所述基板支撑体之间的间距，并且通过移动所述基板支撑体来调整所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板加工方法，包括：在加工腔室中安装多个气体分配模块，并且将至少一个基板装载到基板支撑体上；确定所述气体分配模块和所述基板支撑体之间的间距，并且通过移动所述基板支撑体来调整所述间距；确定所述基板支撑体的旋转速度，并且根据所述旋转速度来旋转所述基板支撑体；以及进行第一薄膜形成工艺以形成第一薄膜层；以及进行第二薄膜形成工艺以在所述第一薄膜层上形成第二薄膜层，其中，所述第一薄膜形成工艺和所述第二薄膜形成工艺分别在不同的加工条件下进行，使得所述第一薄膜层和所述第二薄膜层的质量彼此不同。

【技术特征摘要】
2012.05.29 KR 10-2012-0057041;2012.05.30 KR 10-2011.一种基板加工方法，包括：在加工腔室中安装多个气体分配模块，并且将至少一个基板装载到基板支撑体上；确定所述气体分配模块和所述基板支撑体之间的间距，并且通过移动所述基板支撑体来调整所述间距；确定所述基板支撑体的旋转速度，并且根据所述旋转速度来旋转所述基板支撑体；以及进行第一薄膜形成工艺以形成第一薄膜层；以及进行第二薄膜形成工艺以在所述第一薄膜层上形成第二薄膜层，其中，所述第一薄膜形成工艺和所述第二薄膜形成工艺分别在不同的加工条件下进行，使得所述第一薄膜层和所述第二薄膜层的质量彼此不同。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一薄膜形成工艺在所述基板上形成所述第一薄膜层，所述第一薄膜层的质量与一般的CVD工艺的质量相似，其中，所述第二薄膜形成工艺在所述第一薄膜层上形成所述第二薄膜层，所述第二薄膜层的质量与一般的ALD工艺的质量相似。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一薄膜形成工艺在所述基板支撑体与所述气体分配模块之间的间距被设置成第一间距的条件下进行，所述第一薄膜层的质量与一般的CVD工艺的质量相似，其中，所述第二薄膜形成工艺在所述基板支撑体与所述气体分配模块之间的间距被设置成第二间距的条件下进行，其中，所述第二间距小于所述第一间距，所述第二薄膜层的质量与一般的ALD工艺的质量相似。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩政勋，黃喆周，徐承勋，李相敦，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR