一种SMD功率增强电感制造技术

技术编号:18310145 阅读:39 留言:0更新日期:2018-06-28 20:23
本实用新型专利技术公开了一种SMD功率增强电感,包括芯片、框架凸台和凸台,芯片上下两端均设置有框架凸台,框架凸台外侧固定有凸台,凸台两端通过框状的内部连接装置固定连接,芯片外部缠绕的线圈上附着有磁胶层,磁胶层上下分别连接有顶部和底部,底部上开设有引脚凹槽,本实用新型专利技术本实用新型专利技术低成本,浪涌能力不减弱强,通过把芯片做到4.5*5MM,把凸台做大。把SMD产品功率不减弱,成本降低高科技发展,要求低成本,通过磁胶层与芯片外部线圈的无缝结合,有效的减少了产品工作时所产生的蜂鸣声,通过底部的金属片电极片的设计,使产品具有超强的抗跌落能力,较传统电感抗跌能力提升5倍以上,为电子类产品稳定工作提供了保障。

A SMD power enhanced inductor

The utility model discloses a SMD power enhanced inductor, including a chip, a frame protruding platform and a convex platform. A frame convex platform is arranged on both ends of the chip, a convex platform is fixed on the outside of the frame convex platform, and the two ends of the protruding platform are fixed by a frame shaped inner connecting device. The utility model of the utility model is low cost, and the surge capacity is not strong, and the chip is made to be 4.5*5MM and the protruding platform is larger. The power of the SMD product is not weakened, the cost is reduced by high technology, and the low cost is required. Through the seamless combination of the magnetic film and the external coils of the chip, the buzz of the product is reduced effectively. The product has a super ability to resist the drop by the design of the metal sheet electrode at the bottom, and it can resist the drop of the traditional inductance. The ability to increase more than 5 times provides a guarantee for the stability of electronic products.

【技术实现步骤摘要】
一种SMD功率增强电感
本技术涉及SMD功率增强领域,具体为一种SMD功率增强电感。
技术介绍
SMD功率电感目前广范应用于计算机系统,通讯设备,交/直流电源,汽车,家用电器,仪器仪表,数字相机的保护,共模/差模,工控回路,等各个电路板防护邻域,同时也应用于MP3,GPS,CDMA,GSM,USB,接触器噪音的抑制等各个领域,可见SMD功率电感所涉及的领域已经占有很大的市场比例,且随着科技的迅速发展,包括手机在内的各种移动数码产品的尺寸越来越小。由于环境的变化带来的对电磁辐射,交叉干扰与电磁污染管制越来越严格,电感器在电路中担当重要的吸收突波功能,而其中的功率电感器的抗跌落能力、EMI特性还满足不了市场的要求。当前市场的小尺寸片式功率电感器大都不是一体成型的构造,存在电感量偏低、易漏磁、可靠性差等缺点,以及EMI特性不好的现实困难,同时,在生产产品时会产生蜂鸣声,对生产环境产生较大的噪音污染,且目前市场上所涉及的SMD功率电感由于体积有限,导致SMD产品功率减弱功率,且生产成本高,浪涌能力也比较弱。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有SMD功率电感生产成本高,且SMD产品功率弱的缺陷,提供一种SMD功率增强电感,从而解决上述问题。为了解决上述技术问题,本技术提供了如下的技术方案:本技术一种SMD功率增强电感,包括芯片、框架凸台和凸台,芯片上下两端均设置有框架凸台,框架凸台外侧固定有凸台,凸台两端通过框状的内部连接装置固定连接,芯片外部缠绕的线圈上附着有磁胶层,磁胶层上下分别连接有顶部和底部,底部上开设有引脚凹槽。作为本技术的一种优选技术方案,芯片设置有两个,且芯片间紧密粘合,提高本技术功率增强的作用,且降低生产成本。作为本技术的一种优选技术方案,芯片尺寸为4.5*5MM,凸台设置为长方形,且尺寸为3.7*4.3MM,提高工作效率,降低生产成本。作为本技术的一种优选技术方案,磁胶层是由环氧树脂和磁性粉末按重量比1∶1进行搅拌混合后形成的磁胶层,加强磁胶层的连接作用。作为本技术的一种优选技术方案,顶部2和底部3均设有金属电极片,且金属电极片表面镀有一层铁氧体磁芯,便于芯片1的引脚焊接在底部金属电极片上,便于SMD工作展开。本技术所达到的有益效果是:本技术低成本,浪涌能力不减弱强,通过把芯片做到4.5*5MM,把凸台做大,把SMD产品功率不减弱,成本降低高科技发展,要求低成本,通过磁胶层与芯片外部线圈的无缝结合,有效的减少了产品工作时所产生的蜂鸣声,通过底部的金属片电极片的设计,使产品具有超强的抗跌落能力,较传统电感抗跌能力提升5倍以上,为电子类产品稳定工作提供了保障。同时采用闭合磁路设计,漏磁少,抗EMI能力强,屏蔽性可达30-80dB。附图说明附图用来提供对本技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本技术的实施例一起用于解释本技术,并不构成对本技术的限制。在附图中:图1是本技术外部结构示意图;图2是本技术内部侧面结构示意图;图3是本技术正面结构示意图。图中标号:1、芯片;2、顶部;3、底部;4、磁胶层;5、引脚凹槽;6、框架凸台;7、凸台;8、内部连接装置。具体实施方式以下结合附图对本技术的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本技术,并不用于限定本技术。在本技术的描述中,需要说明的是,术语“竖直”、“上”、“下”、“水平”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。实施例:如图1-3所示,本技术提供一种SMD功率增强电感,包括芯片1、框架凸台6和凸台7,芯片1上下两端均设置有框架凸台6,框架凸台6外侧固定有凸台7,凸台7两端通过框状的内部连接装置8固定连接,芯片1外部缠绕的线圈上附着有磁胶层4,磁胶层4上下分别连接有顶部2和底部3,底部3上开设有引脚凹槽5。芯片1设置有两个,且芯片1间紧密粘合,提高本技术功率增强的作用,且降低生产成本,芯片1尺寸为4.5*5MM,凸台7设置为长方形,且尺寸为3.7*4.3MM,提高工作效率,降低生产成本,磁胶层4是由环氧树脂和磁性粉末按重量比1∶1进行搅拌混合后形成的磁胶层,加强磁胶层4的连接作用,顶部2和底部3均设有金属电极片,且金属电极片表面镀有一层铁氧体磁芯,便于芯片1的引脚焊接在底部金属电极片上,便于SMD工作展开。。具体的,通过双层芯片1的设计,本技术能“吸收”功率高达数千瓦的浪涌信号,瞬态抑制二极管(TransientVoltageSuppressor)j简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两级受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度将两极的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压钳位电压位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件(IC)免受各种浪涌脉冲的损坏,由于它有响应快,瞬态功率大,漏电流低,击穿电压偏差,钳位电压易控制,无损坏极限,体积小等优点,在电路里它需要承受5000W(10/1000)的浪涌能力,之前的工艺成本高,需要两颗芯片才可以到达此功率,现利用现有的封装尺寸,增加芯片版面用一颗做极限可以到达5000W,且通过设置的框架凸台6和凸台7,芯片1能够和内部连接装置8稳定连接,且通过引脚凹槽5的设计,能够方便的将内部芯片1上包裹的线圈引脚引出。最后应说明的是:以上仅为本技术的优选实施例而已,并不用于限制本技术,尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本技术的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
一种SMD功率增强电感

【技术保护点】
1.一种SMD功率增强电感,其特征在于,包括芯片(1)、框架凸台(6)和凸台(7),芯片(1)上下两端均设置有框架凸台(6),框架凸台(6)外侧固定有凸台(7),凸台(7)两端通过框状的内部连接装置(8)固定连接,芯片(1)外部缠绕的线圈上附着有磁胶层(4),磁胶层(4)上下分别连接有顶部(2)和底部(3),底部(3)上开设有引脚凹槽(5)。

【技术特征摘要】
1.一种SMD功率增强电感,其特征在于,包括芯片(1)、框架凸台(6)和凸台(7),芯片(1)上下两端均设置有框架凸台(6),框架凸台(6)外侧固定有凸台(7),凸台(7)两端通过框状的内部连接装置(8)固定连接,芯片(1)外部缠绕的线圈上附着有磁胶层(4),磁胶层(4)上下分别连接有顶部(2)和底部(3),底部(3)上开设有引脚凹槽(5)。2.根据权利要求1所述的一种SMD功率增强电感,其特征在于,芯片(1)设置有两个,且芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员:李运鹏郭小红黄传传李强
申请(专利权)人:萨锐微电子上海有限公司
类型:新型
国别省市:上海,31

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