【技术实现步骤摘要】
多晶硅还原炉
本专利技术涉及一种多晶硅还原炉，主要是用三氯氢硅和氢气在加热的硅芯上 进行化学气相沉积生产多晶硅的还原炉。
技术介绍
目前,国内外生产多晶硅的主要工艺技术是"改良西门子法"用氯气和氢 气合成氯化氢，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进 行分离精馏提纯，提纯后的高纯三氯氢硅与氢气按比例混合后通入多晶硅还原 炉内，在一定的温度和压力下，在通电高温硅芯上进行沉积反应生成多晶硅， 反应温度控制在1080摄氏度左右，最终生成棒状多晶硅产品，同时生成四氯化 硅、二氯二氢硅、氯化氢等副产物。多晶硅还原炉是"改良西门子法"生产多晶硅的主要设备，由底盘、含夹 套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气 管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水 出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产 品的污染。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种多晶硅还原炉，该多晶硅还原炉单炉产量比现有 的多晶硅还原炉单炉产量有大幅度提升。本专利技术多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、 视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水 出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管、连接硅芯与电极的石墨夹头及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污 染，每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上，混和气进气管分为数个喷口均匀的设置在底盘上，其特征是在还原炉底盘上均匀布置24对电极。该种还原炉每批次产量较现有的还原炉有大幅度的...
【技术保护点】
多晶硅还原炉主要由底盘、含夹套冷却水的钟罩式双层炉体、电极、视镜孔、混和气进气管、混和气尾气出气管、炉体冷却水进水管、炉体冷却水出水管、底盘冷却水进水管、底盘冷却水出水管及其他附属部件组成，炉体主体采用不锈钢材质，以减少设备材质对产品的污染，每对电极分正、负极均匀的设置在底盘上，混和气进气管分为数个喷口分布设置在底盘上，其特征是在还原炉底盘上均匀布置２４对电极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱青松，王存惠，
申请(专利权)人：徐州东南多晶硅材料研发有限公司，
类型：实用新型
国别省市：32[中国|江苏]
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