【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种测量熔态晶体生长过程中温场用的模型晶体。从熔态生长晶体(合金冶炼)尤其是区熔生长，温场控制十分重要。通常只能探测加热体的温度，而无法在生长时测量熔体的温度。为了长好晶体，就需反复试验，以期掌握用加热体温度值来控制生长过程。这有很大程度靠经验，以至有人把晶体生长称作“艺术”。空间晶体生长对这一问题更为突出，因为它只有一次实验机会。以前常用的测量方法是，在熔体中或晶体周围气氛中的温度可以通过放置热电偶测量，而晶体中的温度，或是把热电偶长入晶体中进行测量，或是在晶体的不同位置钻不同深度的孔，将热电偶插入，再将该晶体与熔体熔接起来，继续生长时进行测量。这在闵乃本所著《晶体生长的物理基础》1982年版第8页，以及Scott，R.A.M.在《晶体生长杂志》(J.Cryst.Growth)1971年第10卷39页和Brice，J.C.在《晶体生长杂志》(J.Cryst.Growth)1968年第2卷395页中有比较详细的说明。这种方法的主要缺点是使用了比较昂贵的晶体，花费很高，而且无法重复测量。因此这种方法是不适于用来确定晶体生长工艺的。本技术的主要目的是制作一种成本低，能够进行重复实验，便于测量熔态生长晶体生长过程中温场分布的模型晶体，可确定晶体生长工艺，本技术的目的是这样完成的本技术由外套、填料、2～20付热电偶组成，其中外套可由石英管、不锈钢组成，填料可以是硅锭、刚玉粉，在填料中根据需要在不同位置插入2～20付热电偶，用外壳将其封住，从一端引出热电偶接测温仪器。本专利技术的优点是1.能够重复进行实验。2.能够迅速完成实际晶体生长程序的调试。3....
【技术保护点】
一种空间晶体生长炉用模型晶体，其特征在于：由外套、填料、热电偶组成，在填料中插入２～２０付热电偶，用外套将其封住，从一端引出热电偶。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：葛培文，翟永亮，居彬，庞玉璋，许燕萍，黄卫东，
申请(专利权)人：中国科学院物理研究所，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。