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光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置制造方法及图纸

技术编号:1828249 阅读:236 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置。它解决了目前人工晶体的生成装置温度控制精度低,含氘量易受影响等问题,具有结构简单,使用方便,能有效保证晶体生成所需的氘量,并能提高温控精度等优点。其结构为:它有外壳,其内设有晶体生成容器,所述晶体生成容器为透明容器,在其外壁上布满反射层,在透明容器底部设有光加热装置,该装置与温度控制装置连接。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种光浴法培育高质量高氘量DKDP晶体的装置,它有外壳(1),其内设有晶体生成容器,其特征是:所述晶体生成容器为透明容器(2),在其外壁上设有反射层(3),其底部则设有光加热装置,该装置与温度控制装置连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:钟毅钟鸣
申请(专利权)人:钟毅钟鸣
类型:发明
国别省市:88[中国|济南]

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