钛酸铋钠－钛酸钡铁电单晶的制备方法技术

钛酸铋钠－钛酸钡铁电单晶的制备方法，属于晶体生长领域。本发明专利技术提供的制备方法，包括原料处理、升温熔化、生长和降温一系列单晶生长过程。其中籽晶杆旋转速度１０～５０ｒｐｍ，提拉速率０．１～２０ｍｍ／ｄａｙ，降温速率为１～２０℃／ｄａｙ；晶体生长完成以后的降温速率为１０～１５０℃／ｈ。使用本发明专利技术提供的技术可以生长直径大于４０ｍｍ，长度大于１０ｍｍ的钛酸铋钠－钛酸钡铁电（ＮＢＢＴ）单晶，其压电常数ｄ↓［３３］达到２８０ｐＣ／Ｎ，机电耦合系数ｋ↓［ｔ］达到５０％，其压电性能达到ＰＺＴ陶瓷等含铅压电材料的水平，在实际中可以获得应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种钛酸铋钠-钛酸钡压电单晶的制备方法，属于晶 体生长领域。
技术介绍
目前，在压电换能器、驱动器、滤波器和传感器领域中广泛应用的压电材料都是含铅材料，如PZT陶瓷、PCM陶瓷等。在制备这些铅 基压电材料时都要用到氧化铅作原料，而且用量占原料总质量的70% 左右。氧化铅是一种剧毒物质，在陶瓷烧结过程中很容易挥发，造成 环境污染，危害人体健康；此外含铅废弃物处理成本高难度大而且会 对环境造成二次污染。近几年来，随着人们对可持续发展的关注，各 国开始采取措施限制含铅材料的使用，如欧盟委员会于2003年2月 13日在欧洲共同体《官方公报》上公布的《Waste Electrical & Electronic Equipment》(欧盟第2002/96/EC号指令)和《The Restriction of Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment》(欧盟第2002/95/EC号指令)中明确指出在 欧盟市场上出售的电子电气设备必须禁止使用或限量使用含铅的原 材料。我国出台的《电子信息产品污染防治管理办法》中也明确指出列入电子信息产品污染重点防治目录的电子信息产品中不得含有铅。 因此国际上非常重视高性能无铅压电材料的制备研究。钛酸铋钠-钛酸钡(NBBT)单晶是一种压电性能优良的无铅压电材料。我们的研究结果表明其压电系数d33达到280pC/N，机电耦合系数 kt达到5(m，已经超过商用PZT-4陶瓷的水平。钛酸铋钠基晶体一般 都是采用助熔剂缓冷的方法生长，例如用Na20和Bi^的混合助熔剂 生长钛酸铋钠单晶。采用助熔剂缓冷的方法生长晶体有其固有的 缺点结晶过程是通过自发成核方式实现，成核数量多，晶体生长过 程难以控制；生长的晶体尺寸小，难以达到实用化的目的。虽然有人 用这种助熔剂缓冷的方法在实验室制备出了 NBBT单晶，但是该方法仅能得到毫米量级的晶体，尚 且不能满足实验表征的需要，因此更难于实现规模化生长高质量大尺 寸的NBBT单晶。至今有关NBBT单晶的生长工艺还没有突破实验室的研究水平。与助熔剂缓冷的方法相比，顶部籽晶助熔剂提拉法生长技术可以 实现规模化生长单晶，通过引进籽晶生长，实现晶体尺寸的可控制生 长，晶体生长过程重复性好。然而，迄今为止，没有任何出版物公开 一种用顶部籽晶助熔剂提拉法生长弛豫铁电单晶NBBT的制备方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种生长NBBT单晶的可靠的方法，该生 长工艺容易实现晶体生长的规模化，生长过程可控，重复性好。该生长方法生长的NBBT单晶为纯的钙钛矿结构，晶体结构完整，压电性 能良好，容易实现晶体尺寸的放大，可以生产出替代PZT陶瓷等含铅 压电材料应用的大尺寸、高性能的NBBT单晶。本专利技术生长的NBBT单 晶，其压电性能达到PZT陶瓷等含铅压电材料的水平，在实际中可以 获得应用。本专利技术的具体实施分为三大步第一歩是晶体生长原料的预处 理；第二步是晶体生长坩埚的选择；第三步是选择适当的生长工艺条 件，用顶部籽晶助熔剂提拉法进行NBBT单晶生长。(1)原料的预处理本专利技术使用的原料是碳酸钠、氧化铋、二氧化钛、碳酸钡，原料 干燥后按照设计的晶体化学组成(1-x)Na。.5Bi。.5Ti03-xBaTiO:,配比，其 中x为0 1。优先推荐的化学配比为x二O. 1，即0. 9NaQ5Bi。.5Ti03-0. 1BaTi0:,。 原料的预处理包括配料、混合、热处理和等静压成块。原料的混 合没有严格的限制， 一般的混合器械都可以使用，只要能够使原料混 合均匀即可以。根据配料的多少，优先选择"V"型不锈钢混料桶和 湿法球磨混合。原料可以冷等静压也可以不等静压成块，为了增加柑 埚中装料的质量，减少熔化次数，优选冷等静压成块。混合均匀的碳酸钠、氧化铋、二氧化钛和碳酸钡，置于加盖的铂 金坩埚中在750 135(TC反应1-20小吋热处理，得到钙钛矿结构的NBBT多晶原料。将所得产物细磨、过筛，基于多晶原料总量加入一定比例的碳酸 钠和氧化铋作为助熔剂，碳酸钠助熔剂、氧化铋助熔剂、NBBT多晶 原料的摩尔比为(50-y) : (50-y):100， 0〈y〈50之间，以降低混合粉 料的熔化温度；再将所配原料球磨1 100小时混合均匀，然后置于 加盖的铂金坩埚中在750 135(TC热处理1-20小时。最后将产物粉 碎、细磨、过筛，经压块成型作为顶部籽晶助熔剂提拉法进行NBBT 单晶的生长的起始料。(2) 生长坩埚的选择对NBBT晶体生长坩埚没有严格限制，只要保证坩埚在生长温度 时不与原料反应就可以，例如金属或合金坩埚，特别是贵金属坩埚， 涂覆的氧化物坩埚，氮化物坩埚等等。其中优先选择铂金坩埚。坩埚的厚度没有严格的限制，在能够承受熔体的前提下厚度越薄 越好，以便尽可能地降低成本；对坩埚的形状也没有严格限制，其中 优先选择圆柱形铂金坩埚。本专利技术中的铂金坩埚的直径要与单晶生长 炉的炉膛匹配，亦即生长大晶体需要大的炉膛和坩埚。(3) 生长工艺的选择籽晶采用籽晶进行NBBT晶体生长是本专利技术的一个重要特征。 籽晶种类没有严格限制，可以选择NBBT晶体作为籽晶，也可以选择 异质同构的物质作为籽晶，如Pt丝，BaTi03单晶等，籽晶固定在附 图l所示的籽晶杆8的末端。固液界面的温度梯度5 10(TC/cm。晶体旋转速率单方向旋转，转速在10 50rpm。 晶体提拉速率0. 1 20mm/day。 晶体生长过程的炉温控制在1300 150CTC之间。 晶体生长过程中的降温速率1 2(TC/天。 晶体生长完成后的降温速率10 15(TC/h降至室温。发热体生长炉的发热体并没有严格的限制，只要能提供晶体生长所需要的温度即可。以碳酸钠、氧化铋、二氧化钛、碳酸钡为原料，通过固相反应预合成方法制备出NBBT单晶生长所需的多晶原料；将预合成的多晶原 料和碳酸钠、氧化铋按照比例混合，再次进行固相反应放出二氧化碳， 最后将原料置于生长坩埚中，用顶部籽晶助熔剂提拉法进行NBBT单 晶的生长。附图说明图1是晶体生长装置的剖视图。整个装置由晶体生长炉和提拉机 构两部分组成。图中1为保温盖，2为观察孔，3为保温砖，4和7 为电阻发热元件，5为耐火砖做成的坩锅底座，6为生长坩锅，8为 籽晶杆，9为测温热电偶，10为带动籽晶杆旋转的电机，11为固定 电机的横梁，12为带动籽晶杆上升和下降的装置。图2是用本专利技术提供的制备方法生长的NBBT单晶 (040腿X10腿)。图3是0. 94NBT-0. 06BT晶体的X射线粉末衍射谱，横坐标表示衍射角度2theta(。)，纵坐标表示衍射强度。X射线粉末衍射谱表明生长的晶体为纯钙钛矿相。图4是0. 94NBT-0. 06BT晶体的介电常数"r)、介电损耗(tan S )与温度rc)之间的函数关系。横坐标表示温度rc)，左面纵坐标表示介电常数"r)，右面纵坐标表示介电损耗(tan5)。图中a、 b、 c表 示的测试频率分别为lkHz、 100kHz、 lMHz。图5是0. 90NBT-0. 10BT晶体的阻抗(Q)、相角(。)与频率(Hz) 之间的函数关系。横坐标表示频率(Hz)，左面纵坐标表示本文档来自技高网...

【技术保护点】
钛酸铋钠－钛酸钡铁电单晶的制备方法，其特征在于包括下述步骤：使用碳酸钠、氧化铋、二氧化钛、碳酸钡为原料，按照化学组成（１－ｘ）Ｎａ↓［０．５］Ｂｉ↓［０．５］ＴｉＯ↓［３］－ｘＢａＴｉＯ↓［３］配比原料，其中ｘ为０～１；混合均匀的原料压块成型后，置于加盖的铂金坩埚中在７５０～１３５０℃反应１－２０小时热处理，得到钛酸铋钠－钛酸钡多晶原料；将钛酸铋钠－钛酸钡多晶原料细磨、过筛，加入碳酸钠和氧化铋作为助熔剂，碳酸钠助熔剂、氧化铋助熔剂和钛酸铋钠－钛酸钡多晶原料的摩尔比为（５０－ｙ）∶（５０－ｙ）∶１００，０＜ｙ＜５０之间；再将所配原料混合均匀，然后置于加盖的铂金坩埚中在７５０～１３５０℃热处理１－２０小时；最后将产物粉碎、细磨、经压块成型作为单晶生长起始料；选用金属或合金坩埚或涂覆的氧化物、氮化物坩埚作为晶体生长坩埚；选择与钛酸铋钠－钛酸钡铁电单晶异质同构的物质作为籽晶；控制固液界面的温度梯度５～１００℃／ｃｍ；转速在１０～５０ｒｐｍ；晶体提拉速率０．１～２０ｍｍ／天；晶体生长过程的炉温控制在１３００～１５００℃之间；晶体生长过程中的降温速率１～２０℃／天；晶体生长完成后的降温速率１０～１５０℃／ｈ，降至室温。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：葛文伟，罗豪甦，刘洪，赵祥永，林迪，李晓兵，徐海清，潘晓明，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：31[]