本发明专利技术提供一种铂错合物、有机发光二极管与可发出可见光或近红外光的装置。此铂错合物具有由以下通式(I)所表示的结构：其中A1至A4各自独立地为不饱和的五元环或不饱和的六元环；X为碳或氮；以及具有A1及A4的第一螯合配基的形式电荷数为负一价，且具有A2及A3的第二螯合配基的形式电荷数也为负一价。本发明专利技术的铂错合物结构稳定、发光效率优异且合成步骤简易。
Platinum complexes, organic light-emitting diodes and devices that emit visible or near infrared light.
The invention provides a platinum complex, an organic light emitting diode and a device which can emit visible or near infrared light. The platinum malocclusion has a structure represented by the following general formula (I), in which A1 to A4 separately is unsaturated five membered ring or unsaturated six ring; X is carbon or nitrogen; and the number of charge numbers with the first chelate with A1 and A4 is negative, and the number of second chelating complexes with A2 and A3 is also negative one . The platinum complex of the invention has stable structure, excellent luminous efficiency and simple synthesis steps.
【技术实现步骤摘要】
铂错合物、有机发光二极管与可发出可见光或近红外光的装置
本专利技术涉及一种金属错合物及其应用，特别涉及一种铂错合物、有机发光二极管与可发出可见光或近红外光的装置。
技术介绍
有机发光二极管组件拥有高亮度、屏幕反应速度快、轻薄短小、全彩、无视角差、不需液晶显示器式背光板以及节省能源及耗电量等优点，目前被广泛应用于制作大面积、高亮度、全彩化的平面显示器。为了发展发光范围涵盖可见光区至近红外光区的各项新型发光组件，开发高稳定及高发光效率的各色光发光材料为现今研究OLED的主要目标。目前已知四配位的铂错合物具有适合的放光性质，但其合成过程往往需要较耗时的纯化步骤，造成量产上的困难。
技术实现思路
本专利技术提供一种结构稳定、发光效率优异且合成步骤简易的铂错合物。本专利技术还提供一种包括此铂错合物的有机发光二极管以及可发出可见光或近红外光的装置。本专利技术的铂错合物具有由以下通式(I)所表示的结构：其中A1至A4各自独立地为不饱和的五元环或不饱和的六元环；X为碳或氮；以及具有A1及A4的第一螯合配基的形式电荷数为负一价，且具有A2及A3的第二螯合配基的形式电荷数也为负一价。在本专利技术的一实施例中，上述的铂错合物具有由以下通式(I-1)所表示的结构：其中第一螯合配基与第二螯合配基之间具有氢键。在本专利技术的一实施例中，上述的铂错合物具有由以下通式(IA)所表示的结构：其中X1至X9各自独立地为碳或氮；R1以及R2各自独立地为经取代或未经取代的C1-C6烷基、-CF3、-CF2H、-CFH2、经取代或未经取代的C6-C12芳基或CmF2m+1，m为2～5的整数；R3以及R4各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基、经取代或未经取代的C1-C6烷氧基、经取代或未经取代的C1-C6羧酸酯基、经取代或未经取代的C6-C12芳基或-CnF2n+1，n为0～3的整数；p、q各自独立地为0～3的整数；当X9为碳，R5可为氢、氟、氯或氰基；当p大于或等于2，两个或两个以上的R3可相互连接形成C3-C8芳香环；以及当q大于或等于2，两个或两个以上的R4可相互连接形成C3-C8芳香环。在本专利技术的一实施例中，上述的铂错合物具有由以下通式(IB)所表示的结构：其中X1至X10各自独立地为碳或氮；R1以及R2各自独立地为经取代或未经取代的C1-C6烷基、-CF3、-CF2H、-CFH2、经取代或未经取代的C6-C12芳基或-CmF2m+1，m为2～5的整数；R3以及R4各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基、经取代或未经取代的C1-C6烷氧基、经取代或未经取代的C1-C6羧酸酯基、经取代或未经取代的C6-C12芳基或-CnF2n+1，n为0～3的整数；p、q各自独立地为0～3的整数；当p大于或等于2，两个或两个以上的R3可相互连接形成C3-C8芳香环；当q大于或等于2，两个或两个以上的R4可相互连接形成C3-C8芳香环。本专利技术的铂错合物的两个螯合配基之间若有C-H…N氢键存在，可增强螯合配基与中心铂金属的键结强度，使得本专利技术的铂错合物的结构更加稳固，且会减少螯合配基间的立体障碍、易形成标准平面分子结构。凝结形成固态结构时，也会有利形成无缺陷的线性堆栈。此时由于分子间的Pt…Pt间距缩短、会形成MMLCT激态电子组态，可使放光波长显著红移至近红外光区。此外，本专利技术铂错合物中具有C-Pt配位键结。由于C-Pt的键能较大，故本专利技术的铂错合物的整体键结强度可被提升。此外，本专利技术的铂错合物的合成方法简易，容易进行量产，故具有较高的商品化价值。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所示附图作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术的实施例5的化合物(IA-5)的X-光晶体绕射分析图；图2为本专利技术的实施例10的化合物(IA-10)的X-光晶体绕射分析图；图3显示本专利技术实施例1-5所合成的化合物(IA-1)～(IA-5)各自的发光光谱图；图4显示本专利技术实施例12-15所合成的化合物(IA-17)～(IA-20)各自的发光光谱图；图5显示本专利技术实施例7、16与17所合成的化合物(IA-7)、(IA-21)与(IA-22)的发光光谱图；图6显示本专利技术实施例18-21所合成的化合物(IB-1)～(IB-4)的发光光谱图；图7显示本专利技术的化合物(IA-5)在研磨前与研磨后所测得的发光光谱图；图8显示本专利技术的化合物(IA-10)在研磨前与研磨后所测得的发光光谱图。具体实施方式以下将藉由实施方式对本专利技术作进一步说明，但所述实施方式仅为示例说明，而非用以限制本专利技术的范围。本专利技术的铂错合物具有由以下通式(I)所表示的结构：其中A1至A4各自独立地为不饱和的五元环或不饱和的六元环；X为碳或氮；以及具有A1及A4的第一螯合配基的形式电荷数(或价数)为负一价，且具有A2及A3的第二螯合配基的形式电荷数(或价数)为负一价。在本专利技术的一实施例中，A1至A4各自独立地为包含0、1或2个选自氮、氧、硫的原子的不饱和五元环或不饱和六元环。由于本专利技术的铂错合物的两个配基的总负电荷数与中心铂金属离子的正电荷数相同，可以形成中性的铂错合物。中性错合物一般而言具有较好的挥发性，故可以使用蒸镀法制作多层的OLED发光组件，其发光效率较佳。在本专利技术的一实施例中，本专利技术的铂错合物具有由以下通式(I-1)所表示的结构：其中，第一螯合配基与第二螯合配基之间具有分子内以及配基间的氢键使分子结构更加稳固。如通式(I-1)所示，本专利技术的铂错合物的两个配基之间存在至少一组氢键(例如，两组氢键)，可增强配基与中心铂金属的键结强度，使得本专利技术的铂错合物具有的平面四方形(squareplanar)结构更加稳定。稳定的结构可使本专利技术的铂错合物的分子间堆栈更好，更容易具有较长的放光波长。在本专利技术的一实施例中，通式(I-1)所示的铂错合物可包括如以下通式(IA)或通式(IB)所示的铂错合物。在本专利技术的一实施例中，当A1为六元环，A2为六元环，A3为六元环，A4为五元环时，本专利技术的铂错合物具有由以下通式(IA)所表示的结构：其中X1至X9各自独立地为碳或氮；R1以及R2各自独立地为经取代或未经取代的C1-C6烷基、-CF3、-CF2H、-CFH2、经取代或未经取代的C6-C12芳基或CmF2m+1，m为2～5的整数；R3以及R4各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基、经取代或未经取代的C1-C6烷氧基、经取代或未经取代的C1-C6羧酸酯基、经取代或未经取代的C6-C12芳基或-CnF2n+1，n为0～3的整数；p、q各自独立地为0～3的整数；当X9为碳，R5可为氢、氟、氯或氰基；当p大于或等于2，两个或两个以上的R3可相互连接形成C3-C8芳香环；以及当q大于或等于2，两个或两个以上的R4可相互连接形成C3-C8芳香环。在本专利技术的一实施例中，R1包括-CnF2n+1，n为0～3的整数。在本专利技术的一实施例中，本专利技术的铂错合物具有由式(IA-1)至式(IA-22)中任一个所表示的结构：在本专利技术的一实施例中，当A1为六元环，A2为六元环，A3为六元环，A4为六元环时，本专利技术的铂错合物具有由以下通式(IB)所表示的结构，具有反式的构型：其中X1至X10各自独立地为碳或氮；R1以及R2各自独立地本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种铂错合物，其特征在于，具有由以下通式(I)所表示的结构：
【技术特征摘要】
1.一种铂错合物，其特征在于，具有由以下通式(I)所表示的结构：其中A1至A4各自独立地为不饱和的五元环或不饱和的六元环；X为碳或氮；以及具有A1及A4的第一螯合配基的形式电荷数为负一价，且具有A2及A3的第二螯合配基的形式电荷数为负一价。2.根据权利要求1所述的铂错合物，其特征在于，具有由以下通式(I-1)所表示的结构：其中，所述第一螯合配基与所述第二螯合配基之间具有氢键。3.根据权利要求1所述的铂错合物，其特征在于，具有由以下通式(IA)所表示的结构：其中X1至X9各自独立地为碳或氮；R1以及R2各自独立地为经取代或未经取代的C1-C6烷基、-CF3、-CF2H、-CFH2、经取代或未经取代的C6-C12芳基或CmF2m+1，m为2～5的整数；R3以及R4各自独立地为氢、经取代或未经取代的C1-C12烷基、经取代或未经取代的C1-C6烷氧基、经取代或未经取代的C1-C6羧酸酯基、经取代或未经取代的C6-C12芳基或-CnF2n+1，n为0～3的整数；p、q各自独立地为0～3的整数；当X9为碳，R5可为氢、氟、氯或氰基；当p大于或等于2，两个或两个以上的R3可相互连接形成C3-C8芳香环；以及当q大于或等于2，两个或两个以上的R4可相互连接形成C3-C8芳香环。4.根据权利要求3所述的铂错合物，其特征在于，其中R1包括-CnF2n+1，n为0～3的整数。5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：季昀，拉贾卡努，纳达，
申请(专利权)人：季昀，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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