发光装置制造方法及图纸

一种发光装置，包含基板、覆晶发光二极管晶片、横向发光二极管晶片、导热胶层与荧光粉层。覆晶发光二极管晶片位于基板上。横向发光二极管晶片位于覆晶发光二极管晶片上。横向发光二极管晶片的波长小于覆晶发光二极管晶片的波长。导热胶层位于覆晶发光二极管晶片与横向发光二极管晶片之间，使得横向发光二极管晶片粘合于覆晶发光二极管晶片。荧光粉层覆盖横向发光二极管晶片。横向发光二极管晶片具有补齐全光谱的功能，使得发光装置的发射光谱在各波长无明显缺陷。

【技术实现步骤摘要】
发光装置
本案是有关于一种发光装置。
技术介绍
在日常生活中，照明设备是不可或缺的。由于传统钨丝灯泡发光时需消耗大量的电能，因此近年来应用发光二极管(Lightemittingdiode；LED)为光源的照明设备已越来越受欢迎。LED光源与钨丝灯泡相较，具有寿命长、耗电量低、耐震、亮度高等优点。一般而言，以LED作为光源的发光装置可由蓝光LED晶片覆盖黄色荧光粉制作。当蓝光LED晶片发光时，蓝光进入黄色荧光粉并将荧光粉激发，经混光而产生白光。然而，这样的设计易在发射光谱(Emissionspectrum)的浅蓝色波长区域，产生明显的缺陷，导致发光装置的演色性指数难以提升。
技术实现思路
本技术的一技术态样为一种发光装置。根据本技术一实施方式，一种发光装置包含基板、覆晶发光二极管晶片、横向发光二极管晶片、导热胶层与荧光粉层。覆晶发光二极管晶片位于基板上。横向发光二极管晶片位于覆晶发光二极管晶片上。横向发光二极管晶片的波长小于覆晶发光二极管晶片的波长。导热胶层位于覆晶发光二极管晶片与横向发光二极管晶片之间，使得横向发光二极管晶片粘合于覆晶发光二极管晶片。荧光粉层覆盖横向发光二极管晶片。在本技术一实施方式中，上述横向发光二极管晶片具有背对覆晶发光二极管晶片的顶面，且此顶面具有导电接点电性连接基板的第一导电接点。在本技术一实施方式中，上述覆晶发光二极管晶片具有朝向基板的底面，且此底面具有导电接点电性连接基板的第二导电接点。在本技术一实施方式中，上述第一导电接点的输入电流大于第二导电接点的输入电流，且第二导电接点的输入电流与第一导电接点的输入电流的比值介于0.1至1。在本技术一实施方式中，上述荧光粉层延伸至基板，且围绕横向发光二极管晶片与覆晶发光二极管晶片。在本技术一实施方式中，上述覆晶发光二极管晶片的宽度大致等于横向发光二极管晶片的宽度。发光装置还包含遮光结构。遮光结构位于基板上，且围绕横向发光二极管晶片、覆晶发光二极管晶片与荧光粉层。在本技术一实施方式中，上述覆晶发光二极管晶片的宽度小于横向发光二极管晶片的宽度。荧光粉层的一部分位于横向发光二极管晶片与基板之间。在本技术一实施方式中，上述横向发光二极管晶片为波长约460nm的蓝光二极管晶片，且覆晶发光二极管晶片为波长约490nm的蓝光二极管晶片。在本技术一实施方式中，上述覆晶发光二极管晶片为红光二极管晶片。在本技术一实施方式中，上述横向发光二极管晶片具有朝向覆晶发光二极管晶片的底面，且包含金属层。金属层位于此底面上且覆盖覆晶发光二极管晶片。金属层具有穿孔。在本技术一实施方式中，上述横向发光二极管晶片具有朝向覆晶发光二极管晶片的底面，且包含滤光层。滤光层位于此底面上且覆盖覆晶发光二极管晶片。在本技术上述实施方式中，由于发光装置具有位于覆晶发光二极管晶片上的横向发光二极管晶片，且横向发光二极管晶片的波长小于覆晶发光二极管晶片的波长，因此当覆晶发光二极管晶片与横向发光二极管晶片发光时，荧光粉层是由两不同波长的光线混光后激发。横向发光二极管晶片具有补齐全光谱的功能，使得发光装置的发射光谱(Emissionspectrum)在各波长无明显缺陷，以提升发光装置的演色性指数(Colorrenderingindex；CRI)。此外，因横向发光二极管晶片是以导热胶层直接粘合在覆晶发光二极管晶片上，可降低发光装置的制造成本。附图说明图1绘示根据本技术一实施方式的发光装置的剖面图；图2A绘示图1的发光装置的发射光谱的示意图；图2B绘示第二导电接点的输入电流与第一导电接点的输入电流在不同比值的绝对强度-波长关系图；图3绘示根据本技术另一实施方式的发光装置的剖面图；图4绘示根据本技术又一实施方式的发光装置的剖面图；图5绘示根据本技术再一实施方式的发光装置的剖面图；图6绘示根据本技术一实施方式的发光装置的剖面图；图7绘示根据本技术另一实施方式的发光装置的剖面图。具体实施方式以下将以附图揭露本技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本技术。也就是说，在本技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示之。图1绘示根据本技术一实施方式的发光装置100的剖面图。如图所示，发光装置100为发光二极管的三维封装结构(3Dpackage)，其包含基板110、覆晶发光二极管(Flip-chipLED)晶片120、横向发光二极管(LateralLED)晶片130、导热胶层140与荧光粉层150。覆晶发光二极管晶片120位于基板110上。横向发光二极管晶片130位于覆晶发光二极管晶片120上。横向发光二极管晶片130的波长小于覆晶发光二极管晶片120的波长。举例来说，横向发光二极管晶片130可以为波长约460nm的蓝光二极管晶片，而覆晶发光二极管晶片120可以为波长约490nm的蓝光二极管晶片。在本文中，“约”或“大致”可意指制造上的误差，例如±2％的误差范围。横向发光二极管晶片130与覆晶发光二极管晶片120可以包含蓝宝石基板(氧化铝)与氮化镓(GaN)，并包含不同比例的铟(In)，使其具有不同的波长，但并不用以限制本技术。导热胶层140位于覆晶发光二极管晶片120与横向发光二极管晶片130之间，可将横向发光二极管晶片130直接粘合于覆晶发光二极管晶片120，以降低发光装置100的制造成本。在本实施方式中，导热胶层140可以为透明的，以让覆晶发光二极管晶片120的光线通过。此外，荧光粉层150覆盖横向发光二极管晶片130。荧光粉层150其内具有多个黄色荧光粉。在本实施方式中，荧光粉层150除了覆盖横向发光二极管晶片130的顶面132外，还延伸至基板110，且围绕横向发光二极管晶片130与覆晶发光二极管晶片120。在实际应用上，发光装置100可作为手机的闪光灯，但并不用以限制本技术。当覆晶发光二极管晶片120与横向发光二极管晶片130发光时，由于发光装置100具有覆晶发光二极管晶片120与横向发光二极管晶片130，且横向发光二极管晶片130的波长与覆晶发光二极管晶片120的波长不同，因此荧光粉层150是由两不同波长的光线混光后激发。在本实施方式中，波长较小的横向发光二极管晶片130在上，波长较大的覆晶发光二极管晶片120在下，可避免光线互相干扰，影响混光。图2A绘示图1的发光装置100的发射光谱(Emissionspectrum)的示意图，其纵轴为光度(Watts/nm)，横轴为波长(nm)。同时参阅图1与图2A，横向发光二极管晶片130具有补齐全光谱的功能，使得发光装置100的发射光谱在各波长无明显缺陷，且同时提升提升发光装置100的演色性指数(Colorrenderingindex；CRI)以及亮度。在本实施方式中，藉由横向发光二极管晶片130的设置，能有效改善发光装置100的发射光谱在波长460nm至540nm的区域，补齐了蓝色区域至绿色区域的部分波长，避免如已知LED发光装置在浅蓝色波长区域产生明显缺陷。请参阅图1，横向发光二极管本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包含：一基板；一覆晶发光二极管晶片，位于该基板上；一横向发光二极管晶片，位于该覆晶发光二极管晶片上，其中该横向发光二极管晶片的波长小于该覆晶发光二极管晶片的波长；一导热胶层，位于该覆晶发光二极管晶片与该横向发光二极管晶片之间，使得该横向发光二极管晶片粘合于该覆晶发光二极管晶片；以及一荧光粉层，覆盖该横向发光二极管晶片。

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，包含：一基板；一覆晶发光二极管晶片，位于该基板上；一横向发光二极管晶片，位于该覆晶发光二极管晶片上，其中该横向发光二极管晶片的波长小于该覆晶发光二极管晶片的波长；一导热胶层，位于该覆晶发光二极管晶片与该横向发光二极管晶片之间，使得该横向发光二极管晶片粘合于该覆晶发光二极管晶片；以及一荧光粉层，覆盖该横向发光二极管晶片。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该横向发光二极管晶片具有背对覆晶发光二极管晶片的一顶面，且该顶面具有一导电接点电性连接该基板的一第一导电接点。3.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，该覆晶发光二极管晶片具有朝向该基板的一底面，且该底面具有一导电接点电性连接该基板的一第二导电接点。4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该第一导电接点的输入电流大于该第二导电接点的输入电流，且该第二导电接点的输入电流与该第一导电接点的输入电流的比值介于0.1至1。5.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该荧光粉层延伸至该基板，且围绕该横向发光二极管晶片与该覆晶发光二极管晶片。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宗庆，吴建荣，
申请(专利权)人：扬州艾笛森光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32