一种离子液体电沉积金属钴的方法技术

一种离子液体电沉积金属钴的方法，它涉及一种离子液体电沉积金属的方法。它解决了目前用含ＥＭＩＣ的离子液体电沉积钴的方法在基体表面容易形成合金沉积层的缺陷。本发明专利技术的离子液体电沉积金属钴的方法按以下步骤进行：（一）ＥＭＩＣ、无水氯化钴和有机醇按１∶０．３～２∶２．５～１８的摩尔比混合；（二）将基体放入离子液体电沉积液，采用电流密度为３０～１５０Ａ／ｍ↑［２］、温度为６０～１００℃的恒电流电沉积，阳极不与离子液体电沉积液发生化学反应，阳极与基体间的距离为１～１０ｃｍ；（三）将带有电沉积层的基体从离子液体电沉积液中取出后依次用乙醇和蒸馏水冲洗，再经过干燥，即在基体表面得到钴沉积层；其中步骤（一）在真空手套箱中进行。本发明专利技术可在基体上电沉积得到均匀的、具有金属光泽的纯钴沉积层。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种离子液体电沉积金属钴的方法，其特征在于离子液体电沉积金属钴的方法按以下步骤进行：（一）ＥＭＩＣ、无水氯化钴和在室温条件下为液态、浓度为分析纯的有机醇按１∶０．３～２∶２．５～１８的摩尔比混合，配制成离子液体电沉积液；（二）将经过预处理的基体放入离子液体电沉积液，采用电流密度为３０～１５０Ａ／ｍ↑［２］的恒电流方式电沉积，电沉积阳极不与离子液体电沉积液发生化学反应，阳极与基体之间的距离为１～１０ｃｍ，电沉积温度为６０～１００℃；（三）将带有电沉积层的基体从离子液体电沉积液中取出后依次用乙醇和蒸馏水冲洗，再经过干燥，即在基体表面得到钴沉积层；其中步骤（一）在真空手套箱中进行。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨培霞，安茂忠，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：93[中国|哈尔滨]