一种二维材料的缺陷识别方法以及一种基于二维材料的器件的制备方法技术

一种二维材料的缺陷识别方法以及基于二维材料的器件的制备方法，包括如下步骤：将生长有二维材料的第一基底置于原子层沉积系统中，控制原子层沉积过程的工艺参数，使二维材料的缺陷处沉积生长金属氧化物或金属，而缺陷以外的部位不生长或较少生长金属氧化物或金属；采用光学显微镜对缺陷处生长有金属氧化物或金属的二维材料进行拍照，得到二维材料表面图像，二维材料的缺陷由图像上的金属氧化物或金属所在的位置标定识别。该方法可准确高效地识别二维材料的缺陷，实现对缺陷的跟踪标记，适用于大面积的器件制备及其它需要定位二维材料缺陷的应用。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。

【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟，张臣雄，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44