一种阵列基板的过孔结构及光罩制造技术

本发明专利技术公开了一种阵列基板的过孔结构，包括：基板；形成在基板上的TFT层；TFT层上涂布有机光阻形成平坦层，平坦层通过光罩形成过孔，过孔的边缘具有至少一个形成在平坦层上的沟缝；沟缝将过孔的边缘分割成多个坡面，过孔在与多个坡面相对应的位置上依次形成坡角，使过孔整体坡角的坡度变缓。本发明专利技术还公开了一种光罩。实施本发明专利技术的阵列基板的过孔结构及光罩，阵列基板的过孔结构的边缘形成至少一个沟缝，沟缝将过孔形成在平坦层上的边缘分割成多个坡面，过孔在与多个坡面相对应的位置上依次形成坡角，进而使过孔整体坡角的坡度变缓，从而改善液晶显示面板的品质。

An aperture structure and mask of an array substrate

The invention discloses an overhole structure of an array substrate, which comprises a substrate, a TFT layer formed on a substrate, a flat layer coated on the TFT layer, a flat layer forming an overhole through a light mask, and at least one groove formed on the flat layer on the edge of the over hole, and the edge of the groove divides the edges of the holes into a number of slopes. The angle of the through-hole corresponds to the position of a plurality of slopes in turn to form a slope angle, so that the gradient of the overall angle of the through-hole becomes slow. The invention also discloses a kind of light mask. The hole structure and the mask of the array substrate of the invention are carried out. At least one groove is formed on the edge of the over hole structure of the array substrate. The groove is split into a number of slopes on the edge of the flat layer, and the over hole forms the slope angle in the position corresponding to the various slope faces, and then the slope of the overall slope angle of the over hole is slowed down. In order to improve the quality of the LCD panel.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板的过孔结构及光罩
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的过孔结构及光罩。
技术介绍
TFT-LCD液晶显示面板技术是一种通过薄膜晶体管阵列（TFTArray)来控制液晶偏转的显示技术，像素信号由PCB板上的芯片经由数据线和扫描线抵达具体像素点，由于TFT本身存在寄生电容和电阻，因而导致信号的传输过程中存在延迟效应，近年来为了降低TFT中的寄生电容，尤其是数据线与像素ITO之间的寄生电容，业内将滤光膜生长在TFT阵列上(ColorFilteronArray,COA)，既能很好的降低寄生电容，同时也能消除上下基板关于滤光膜的对位问题，但另一方面，这种COA技术，在RGB三种像素的交叠区域，存在色阻材料的交叠，从而导致交叠区域的表面不平整，也即存在牛角，导致该交叠区域的液晶导向发生偏转，产生漏光等现象，降低面板的对比度，影响面板品质。为了改善COA面板色阻交叠区域的牛角问题，业内提出在色阻上方引入一种平坦层，来抹平交叠区域的牛角，实现平整的显示区域，从而降低像素发生漏光等现象的风险。但将色阻生长在TFT基板上，再加上平坦层，使得原有像素与第二层金属之间的导电过孔的深度较原先大了很多，从而导致过孔底部存在像素成膜缺失和像素断裂的情况，使得像素与第二层金属之间的导通出现异常。此外，在PCB与TFT的绑定区域(BondingArea)，太深的过孔容易导致COF(CircuitsonFlexible)不能与TFT上的绑定区域实现有效的接触，为了解决这一问题，业内采用在绑定区域开一个大孔的方式，但该过孔仍然太深，使得过孔边缘的过渡角太陡，存在像素光阻残留的风险，使得过孔底部的像素无法刻蚀出设定的图案，导致在边缘区域，临近BondingLead上方的像素发生短路，导致信号无法有效的导通。这两种情况的发生均由过孔的过渡角过大而造成。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，提供一种光罩结构，将过孔形成在平坦层上的边缘分割成多个坡面，过孔在与多个坡面相对应的位置上依次形成坡角，进而使过孔整体坡角的坡度变缓，从而改善液晶显示面板的品质。为了解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供了一种阵列基板的过孔结构，包括：基板；形成在基板上的TFT层；TFT层上涂布有机光阻形成平坦层，平坦层通过光罩形成过孔，过孔的边缘具有至少一个形成在平坦层上的沟缝；沟缝将过孔的边缘分割成多个坡面，过孔在与多个坡面相对应的位置上依次形成坡角，使过孔整体坡角的坡度变缓。其中，沟缝呈环形排布。其中，基板为透明基板，TFT层包括缓冲层、栅极绝缘层、层间介电层、以及分布于缓冲层,栅极绝缘层、层间介电层、及平坦层之间的有源层、栅极、及源/漏极。其中，沟缝将过孔的边缘分割成第一坡面和第二坡面，过孔在与第一坡面相对应的位置上形成第一坡角，过孔在与第二坡面相对应的位置上形成第二坡角。其中，第一坡角的角度范围在40度-60度之间，第二坡角的角度范围在30度-50度之间。其中，还包括：沟缝分割过孔的边缘形成的第三坡面和第四坡面，第三坡角和第四坡面的角度范围分别在30度-60度之间。为了解决上述技术问题，本专利技术的实施例还提供了一种光罩，包括：光罩本体；设置在光罩本体上的用以在阵列基板的平坦层上形成过孔的通孔图案，以及接连在通孔图案外周的依次紧密排列的多个缝隙，缝隙排列呈齿形，其中，缝隙在平坦层被显影时，使平坦层形成过孔的位置受到渐变的曝光强度，从而形成具有平缓过渡坡角的过孔，其中：过孔具有至少一个形成在平坦层上的沟缝，沟缝将过孔的边缘分割成多个坡面，过孔在与多个坡面相对应的位置上依次形成坡角。其中，缝隙的齿形深度尺寸取值范围在0.6um-5um之间；缝隙的相邻齿之间的宽度取值范围在0.4um-1.5um之间。其中，缝隙的宽度自接连通孔图案的边缘向外减缩变小。其中，缝隙的截面呈三角形。实施本专利技术所提供的光罩结构，具有如下有益效果：阵列基板的过孔结构的边缘形成至少一个沟缝，沟缝将过孔形成在平坦层上的边缘分割成多个坡面，过孔在与多个坡面相对应的位置上依次形成坡角，进而使过孔整体坡角的坡度变缓，从而改善液晶显示面板的品质。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术阵列基板的过孔结构实施例一的效果示意图。图2是本专利技术阵列基板的过孔结构实施例二的效果示意图。图3是形成本专利技术阵列基板的过孔结构的平坦层光罩实施例一的俯视结构示意图。图4是形成本专利技术阵列基板的过孔结构的平坦层光罩实施例二的俯视结构示意图。图5是形成本专利技术阵列基板的过孔结构的平坦层光罩实施例三的俯视结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，为本专利技术阵列基板的过孔结构的实施例一。本实施例中的阵列基板包括，基板、形成在基板上的TFT层，TFT层上涂布有机光阻形成平坦层1，TFT层包括缓冲层、栅极绝缘层、层间介电层、以及分布于所述缓冲层,栅极绝缘层、层间介电层、及平坦层之间的有源层、栅极、及源/漏极。其它实施方式中，TFT层的结构与现有技术中TFT层的结构一致，而TFT层的平坦层1用于实现平整的显示区域，从而降低像素发生漏光等现象。进一步的，本实施例中的过孔9通过相应的平坦层光罩形成，过孔9的边缘具有至少一个形成在所述平坦层1上的沟缝91，沟缝91的整体形状由平坦层光罩的形状决定，本实施例中沟缝91呈环形排布。本实施例中，通过设置平坦层光罩不同的图案，使过孔9的边缘具有至少一个形成在平坦层1上的沟缝，例如图1所示中的沟缝91a。沟缝将过孔9的边缘分割成多个坡面，过孔9在与多个坡面相对应的位置上依次形成坡角，使过孔9整体坡角的坡度变缓。如图1所示，沟缝91a将过孔9的边缘分割成第一坡面92和第二坡面93，过孔9在与第一坡面92相对应的位置上形成第一坡角A，过孔9在与第二坡面93相对应的位置上形成第二坡角B。本实施例中，第一坡角A的角度范围在40度-60度之间，第二坡角B角度范围在30度-50度之间。如此，通过形成沟缝91a，过孔9边缘的倾斜程度转换为坡度变缓的第一坡角A和第二坡角B的倾斜程度，进而可使过孔9整体坡角的坡度变缓。进一步的，形成具有上述沟缝91a的阵列基板的过孔结构可通过如下平坦层光罩实现。实施时，光罩结构包括：光罩本体10；设置在光罩本体10上的用以在阵列基板的平坦层上形成过孔的通孔图案10a，本实施例中的通孔图案10a呈矩状，以及设置在通孔图案10a外周的至少一个用以影响光照射到平坦层上强度的缝隙2。其中，缝隙2在平坦层1被显影时，使平坦层1形成过孔的位置受到渐变的曝光强度，使过孔9的边缘具有至少一个形成在平坦层1上的沟缝，进而形成具有平缓过渡坡角的过孔。具体实施时，平坦层1使用负性材料或正性材料皆可，只需互换本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板的过孔结构，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上的TFT层；所述TFT层上涂布有机光阻形成平坦层，所述平坦层通过光罩形成过孔，所述过孔的边缘具有至少一个形成在所述平坦层上的沟缝；所述沟缝将所述过孔的边缘分割成多个坡面，所述过孔在与所述多个坡面相对应的位置上依次形成坡角，使所述过孔整体坡角的坡度变缓。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的过孔结构，其特征在于，包括：基板；形成在所述基板上的TFT层；所述TFT层上涂布有机光阻形成平坦层，所述平坦层通过光罩形成过孔，所述过孔的边缘具有至少一个形成在所述平坦层上的沟缝；所述沟缝将所述过孔的边缘分割成多个坡面，所述过孔在与所述多个坡面相对应的位置上依次形成坡角，使所述过孔整体坡角的坡度变缓。2.如权利要求1所述的阵列基板的过孔结构，其特征在于，所述沟缝呈环形排布。3.如权利要求1或2所述的阵列基板的过孔结构，其特征在于，所述基板为透明基板，所述TFT层包括缓冲层、栅极绝缘层、层间介电层、以及分布于所述缓冲层,栅极绝缘层、层间介电层、及平坦层之间的有源层、栅极、及源/漏极。4.如权利要求1或2所述的阵列基板的过孔结构，其特征在于，所述沟缝将所述过孔的边缘分割成第一坡面和第二坡面，所述过孔在与所述第一坡面相对应的位置上形成第一坡角，所述过孔在与所述第二坡面相对应的位置上形成第二坡角。5.如权利要求4所述的阵列基板的过孔结构，其特征在于，所述第一坡角的角度范围在40度-60度之间，所述第二坡角的角度范围在30度-50...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹勇明，李征华，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44