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埋地型铜/硫酸铜参比电极制造技术

技术编号:1816159 阅读:220 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种埋地型铜/硫酸铜参比电极,由电极壳体、双层半透膜、填料、硫酸铜晶体、紫铜丝和电缆线组成,其特征在于电极壳体设为圆筒形,其上部设有镶嵌的帽或螺纹连接的帽,其下部设有双层半透膜座,与电极壳体粘结或螺纹连接,座的上内部设一层半透膜,座的底部设一层半透膜,两层半透膜之间填充有能使离子缓慢均匀渗透的填料,在上层半透膜以上电极壳体内填充有硫酸铜晶体和紫铜丝,硫酸铜晶体充满紫铜丝的孔隙,在帽的中心设有电缆线的接口。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
专利说明 一、
本技术涉及阴极保护防腐系统中所用的一种埋地型铜/硫酸铜参比电极。二
技术介绍
参比电极是阴极保护系统中重要的组成部分之一,尤其是在外加电流阴极保护系统中,它即可用来测量被保护构筑物的电位,又可作为恒电位仪自动控制的信号源。在新建储罐阴极保护中,阴极保护系统的辅助阳极和参比电极都埋设在储罐基础中,如在网状阳极阴极保护系统中。而基础施工中肯定需要动用大型机械设备,如压路机、振动器等,这些设备都有可能对预埋的参比电极造成损坏,因为常规的长效硫酸铜参比电极的电极体是陶瓷罐的,不抗压。三
技术实现思路
本技术的目的是提供一种埋地型铜/硫酸铜参比电极,解决上述已有技术中存在不抗压易损坏的问题。本技术的技术方案是通过以下方式实现的本技术由电极壳体、双层半透膜、填料、硫酸铜晶体、紫铜丝和电缆线组成,其特征在于电极壳体设为圆筒形,其上部设有镶嵌的帽或螺纹连接的帽,其下部设有双层半透膜座,与电极壳体粘结或螺纹连接,座的上内部设一层半透膜,座的底部设一层半透膜,两层半透膜之间填充有能使离子缓慢均匀渗透的填料,在上层半透膜以上电极壳体内填充有硫酸铜晶体和紫铜丝,硫酸铜晶体充满紫铜丝的孔隙,在帽的中心设有电缆线的接口。电极壳体、电极壳帽和双层半透膜座设置为ABS或高强度PVC材料,在两半透膜之间夹层填充有能使离子缓慢均匀渗透的填料。本技术涉及一种抗压长寿命埋地型铜/硫酸铜参比电极,电极体外壳采用ABS或高强度PVC管,并采用双层半透膜结构,内外两层半透膜之间的空间填充特殊填料。有效控制了硫酸铜的渗透速度,在可以承受较大压力的同时大大延长参比电极的使用寿命。四附图说明附图为本技术结构示意图图中1—电极壳体 2—双层半透膜 3—填料 4—硫酸铜晶体 5—紫铜丝 6—电缆线接口五具体实施方式为进一步公开本技术的技术方案,下面结合通过实施例作详细说明本技术由电极壳体1、双层半透膜2、填料3、硫酸铜晶体4、紫铜丝5和电缆线接口5组成,其特征在于电极壳体1为圆筒形,其上部设有镶嵌粘结或螺纹连接的帽,其下设有双层半透膜2座,与电极壳体粘结或螺纹连接,座的上内部设一层半透膜2,座的底部设一层半透膜2,两半透膜之间夹层填充有填料3。在上层半透膜以上电极壳体内填充有硫酸铜晶体4和紫铜丝5,硫酸铜晶体充满紫铜丝的孔隙,在帽的中心设有电缆线的接口6。本技术所涉及的参比电极的电极体外壳采用ABS或高强度PVC管,内填满分析纯硫酸铜晶体,并采用双层半透膜结构,内外两层半透膜之间的空间填充有能使离子缓慢均匀渗透的填料。有效控制了硫酸铜的渗透速度,在可以承受较大压力的同时大大延长参比电极的使用寿命。与现有常规陶瓷罐为电极体的长效埋地式Cu/CuSO4参比电极相比,本技术寿命更长,抗压性能好,尤其当用在储罐基础中时,更加显现其优势。权利要求1.一种埋地型铜/硫酸铜参比电极,由电极壳体、双层半透膜、填料、硫酸铜晶体、紫铜丝和电缆线组成,其特征在于电极壳体设为圆筒形,其上部设有镶嵌的帽或螺纹连接的帽,其下部设有双层半透膜座,与电极壳体粘结或螺纹连接,座的上内部设一层半透膜,座的底部设一层半透膜,两层半透膜之间填充有能使离子缓慢均匀渗透的填料,在上层半透膜以上电极壳体内填充有硫酸铜晶体和紫铜丝,硫酸铜晶体充满紫铜丝的孔隙,在帽的中心设有电缆线的接口。2.根据权利要求1所述的埋地型铜/硫酸铜参比电极,其特征在于所述电极壳体、电极壳帽和双层半透膜座设置为ABS或高强度PVC材料,在两半透膜之间夹层填充有能使离子缓慢均匀渗透的填料。专利摘要一种埋地型铜/硫酸铜参比电极,由电极壳体、双层半透膜、填料、硫酸铜晶体、紫铜丝和电缆线组成,其特征在于电极壳体设为圆筒形,其上部设有镶嵌的帽或螺纹连接的帽,其下部设有双层半透膜座,与电极壳体粘结或螺纹连接,座的上内部设一层半透膜,座的底部设一层半透膜,两层半透膜之间填充有能使离子缓慢均匀渗透的填料,在上层半透膜以上电极壳体内填充有硫酸铜晶体和紫铜丝,硫酸铜晶体充满紫铜丝的孔隙,在帽的中心设有电缆线的接口。文档编号C23F13/10GK2915885SQ20062008508公开日2007年6月27日 申请日期2006年5月30日 优先权日2006年5月30日专利技术者过梦飞, 宋立闽, 黄慧明, 彭娇娇 申请人:过梦飞本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种埋地型铜/硫酸铜参比电极,由电极壳体、双层半透膜、填料、硫酸铜晶体、紫铜丝和电缆线组成,其特征在于电极壳体设为圆筒形,其上部设有镶嵌的帽或螺纹连接的帽,其下部设有双层半透膜座,与电极壳体粘结或螺纹连接,座的上内部设一层半透膜,座的底部设一层半透膜,两层半透膜之间填充有能使离子缓慢均匀渗透的填料,在上层半透膜以上电极壳体内填充有硫酸铜晶体和紫铜丝,硫酸铜晶体充满紫铜丝的孔隙,在帽的中心设有电缆线的接口。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:过梦飞宋立闽黄慧明彭娇娇
申请(专利权)人:过梦飞
类型:实用新型
国别省市:37[中国|山东]

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