太阳电池平板式PECVD设备辅助工装制造技术

一种太阳电池平板式ＰＥＣＶＤ设备辅助工装，包括方形硅基片底板和方形硅基片盖板，在底板中部设有３０ｍｍ×３０ｍｍ的方形孔，在盖板中部设有５０ｍｍ×５０ｍｍ的方形孔。采用本实用新型专利技术太阳电池平板式ＰＥＣＶＤ设备辅助工装，只需使用３英寸的圆片即可完成测量，同时，在测量过程中，圆片被完全固定不会晃动。使得本实用新型专利技术在测量的精确性及节约成本两方面都达到了理想的效果。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种工装，特别涉及一种太阳电池平板式PECVD设备辅 助工装。
技术介绍
太阳电池作为新兴的清洁可再生能源，因具有直接将太阳能转换为电能， 且寿命长、维护简单、可实现无人值守等优势而备受瞩目。太阳能电源系统取 得了越来越广泛的应用。现有的晶体硅太阳电池在制作过程中通过PECVD工 艺在硅片表面沉积一层氮化硅膜，以达到减反射的效果。该工序需要控制的主要工艺参数包括折射率及膜厚，折射率及膜厚需要使 用椭圆偏正仪(简称椭偏仪)进行测量。但是，椭偏仪只能测量表面经过抛光 处理的圆片。而晶体硅太阳电池所用基片为方片，PECVD工艺所使用的工装 也是针对方片，圆片无法直接放置在工装上，这为折射率及膜厚的测量带来了 难度。有方法使用不锈钢丝作为支撑架，使用5英寸或6英寸圆片进行测量。这 种方法对不锈钢丝的弯曲程度有较高要求，必须要与工装挂钩处于同一平面 上，同时，圆片所留出的空隙部分较大，在反应过程中，容易因气体流动造成 晃动，从而影响测量结果的准确性。
技术实现思路
本技术的目的，在于克服上述现有技术存在的问题，提供一种太阳电 池平板式PECVD设备辅助工装。本技术的目的是这样实现的 一种太阳电池平板式PECVD设备辅助 工装，包括方形硅基片底板和方形硅基片盖板，在底板中部设有30mmX30mm 的方形孔，在盖板中部设有50mmX50mm的方形孔。所述的方形硅基片底板的厚度为200pm。 所述的方形硅基片盖板的厚度为300pm。采用本技术太阳电池平板式PECVD设备辅助工装，只需使用3英寸 的圆片即可完成测量，同时，在测量过程中，圆片被完全固定不会晃动。使得 本技术在测量的精确性及节约成本两方面都达到了理想的效果。附图说明图1是本技术太阳电池平板式PECVD设备辅助工装的结构示意图。具体实施方式参见图1，本技术太阳电池平板式PECVD设备辅助工装，包括方形 硅基片底板1和方形硅基片盖板2，在底板1中部设有30mmX30mm的方形孔 11，在盖板2中部设有50mmX50mm的方形孔21。方形硅基片底板的厚度为 20(Him，方形硅基片盖板的厚度为30(Him，其中的方孔利用激光划片的方法割 出。本技术太阳电池平板式PECVD设备辅助工装的使用方法可结合图1 说明如下测量时，先将底板1放于PECVD设备工装上，然后将3英寸圆片 3置于底板1的方形孔11上，因为圆片3的尺寸大于方形孔11，所以不会从 底座1上掉落。最后将盖板2盖在圆片上，即可进行测量。权利要求1、一种太阳电池平板式PECVD设备辅助工装，其特征在于包括方形硅基片底板和方形硅基片盖板，在底板中部设有30mm×30mm的方形孔，在盖板中部设有50mm×50mm的方形孔。2、 如权利要求1所述的太阳电池平板式PECVD设备辅助工装，其特征在 于所述的方形硅基片底板的厚度为200tai。3、 如权利要求1所述的太阳电池平板式PECVD设备辅助工装，其特征在 于所述的方形硅基片盖板的厚度为300Pm。专利摘要一种太阳电池平板式PECVD设备辅助工装，包括方形硅基片底板和方形硅基片盖板，在底板中部设有30mm×30mm的方形孔，在盖板中部设有50mm×50mm的方形孔。采用本技术太阳电池平板式PECVD设备辅助工装，只需使用3英寸的圆片即可完成测量，同时，在测量过程中，圆片被完全固定不会晃动。使得本技术在测量的精确性及节约成本两方面都达到了理想的效果。文档编号C23C16/513GK201220963SQ200820059219公开日2009年4月15日 申请日期2008年5月30日 优先权日2008年5月30日专利技术者许瑞峰 申请人:上海太阳能科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳电池平板式ＰＥＣＶＤ设备辅助工装，其特征在于：包括方形硅基片底板和方形硅基片盖板，在底板中部设有３０ｍｍ×３０ｍｍ的方形孔，在盖板中部设有５０ｍｍ×５０ｍｍ的方形孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许瑞峰，
申请(专利权)人：上海太阳能科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]