【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种磁控溅射靶，具体涉及一种磁控溅射圆柱耙。
技术介绍
目前国内使用的磁控溅射圆柱靶，在生产中，普遍存在靶管两端的刻蚀速 度比靶管中间快，形成深的凹槽现象，造成了耙材的极大浪费。分析溅射过程 中，靶管两端的辉光形状，圆弧部分溅射辉光宽度比其他部分宽一倍以上，因 此靶管两端的溅射速率高。
技术实现思路
本技术为了解决现有技术中存在的不足，提供了一种能够消除靶管两 端刻蚀凹槽，提高靶材利用率的磁控溅射圆柱靶。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是 一种磁控溅射圆柱靶， 包括耙的芯铁，所述的芯铁凹槽上装有强磁铁，所述的强磁铁两端安装有弱磁 铁。所述的强磁铁和弱磁铁两边的凹槽上对应的装有强性磁铁和弱性磁铁。所述的强性磁铁的长为25mm，宽为6mm，高为llmm，所述的弱性磁铁的长 为20咖，宽为6咖，高为11腿。所述的强磁铁的长为25mm，宽为12mm，高为llmm，所述的弱磁铁的长为 20鹏，宽为12mm，高为llmm。与现有技术相比，本技术通过改变磁控溅射圆柱靶两端磁场强度，减 小磁铁长度，从而改变了磁场的安装形式，解决了磁控溅射圆柱靶的靶材两端 溅射后出现凹槽的缺陷，使靶材的利用率由以前的35%提高到70%，同时，延长了靶材更换的周期，降低了劳动强度。附图说明图1为本技术的单条磁铁的靶芯示意图； 图2为图1的A-A视图3为本技术的三条磁铁的靶芯示意图4为图3的A-A视图。图中l强磁铁，2弱磁铁，3强性磁铁，4弱性磁铁，5芯铁，5. l凹槽， 5, 2小凹槽。具体实施方式以下结合附图对本技术作进一步说明。参见图1和图2，在芯铁5凹槽5. l上装有强磁...
【技术保护点】
一种磁控溅射圆柱靶，包括靶的芯铁，其特征在于，所述的芯铁凹槽上装有强磁铁，所述的强磁铁两端安装有弱磁铁。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李建斌，王智建，张明贵，陈革，张好勇，隗方基，章其初，
申请(专利权)人：黄鸣，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]
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