镀膜设备及镀膜设备用的遮板单元制造技术

一种镀膜设备，其特征在于，包含：　　　　一镀膜腔体；　　　　一基板承载机构，其位于该镀膜腔体中，并用以承载数个基板；　　　　至少二镀膜源，其包含一第一镀膜源及一第二镀膜源，该第一镀膜源及该第二镀膜源位于该镀膜腔体中、并与该基板承载机构相对而设；以及　　　　至少二遮板单元，其包含位于该镀膜腔体的一第一遮板单元及一第二遮板单元，该第一遮板单元及该第二遮板单元分别与该第一镀膜源及该第二镀膜源相对而设、并具有一遮蔽状态及一未遮蔽状态，　　　　其中，当利用该第一镀膜源进行镀膜制程时，该第一遮板单元处于该遮蔽状态，以介于该第一镀膜源及该基板承载机构之间，该第二遮板单元处于该未遮蔽状态，而当利用该第二镀膜源进行镀膜制程时，该第二遮板单元处于该遮蔽状态以介于该第二镀膜源及该基板承载机构之间，该第一遮板单元处于该未遮蔽状态。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种镀膜设备，特别是一种用以控制镀膜均匀性的镀膜设备及镀膜设备用的遮板单元。
技术介绍
随着工业不断的发展以及科技产品日趋轻薄短小的需求下，镀膜技术在各种产业的应用亦日趋广泛而重要。由于镀膜品质及功能需求多样化的趋势，如何精密控制镀膜技术成为应用上的重要关键之一。在镀膜技术中，为有效控制镀膜层的均匀性，通常会利用一遮板单元来遮蔽于镀膜源与基板之间，以便修整不同基板上的镀膜层厚度。请参照图1所示，现有的镀膜设备1包括一镀膜腔体11、一基板承载机构13、一镀膜源15、以及一遮板单元17。其中，基板承载机构13、镀膜源15及遮板单元17设置于镀膜腔体11中，基板承载机构13用以承载数个基板131，镀膜源15与基板承载机构13相对而设，而遮板单元17介于镀膜源15与基板承载机构13之间，并贴近基板承载机构13。因此，在进行镀膜制程时，虽然镀膜源15至位于基板承载机构13不同位置的基板131的距离不同，但是，通过遮板单元17的遮蔽效果之后，位于基板承载机构13不同位置的基板131上的镀膜厚度的均匀性能够进一步提升。然而，在制造光电产品时，例如制造滤光片、DWDM等，必须在玻璃基板上依序镀上数层膜层，且这些膜层的材料的基本特性通常有很大的差异，例如其折射率不同，因此，要使用数个不同材料的镀膜源来进行镀膜制程。在这种情况下，若只使用单支遮板单元修整所有镀膜源的镀膜效果，则通常无法精确地控制所有膜厚的均匀性。因此，如何在使用数个镀膜源进行镀膜制程时，能够有效地控制膜厚的均匀性，正是当前镀膜制程的重要课题之一。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提供一种在使用数个镀膜源进行镀膜制程时能够有效地控制膜厚均匀性的镀膜设备及镀膜设备用的遮板单元。为达上述目的，本技术的镀膜设备包括一镀膜腔体、一基板承载机构、至少二镀膜源、以及至少二遮板单元。在本技术中，基板承载机构、镀膜源及遮板单元位于镀膜腔体中，而基板承载机构用以承载数个基板。在本实施态样中，上述的镀膜源包括与基板承载机构相对而设的一第一镀膜源及一第二镀膜源，而且上述的遮板单元包括一第一遮板单元及一第二遮板单元，其分别与第一镀膜源及第二镀膜源相对而设、并分别具有一遮蔽状态及一未遮蔽状态。其中，当利用第一镀膜源进行镀膜制程时，第一遮板单元处于遮蔽状态以介于第一镀膜源及基板承载机构之间，此时的第二遮板单元处于未遮蔽状态；另外当利用第二镀膜源进行镀膜制程时，第二遮板单元处于遮蔽状态以介于第二镀膜源及基板承载机构之间，此时第一遮板单元处于未遮蔽状态。另外，本技术亦揭露一种镀膜设备用的遮板单元，其包括一支撑部以及一轴设于支撑部的遮板部。在本技术中，当遮板单元处于一遮蔽状态时，遮板部遮蔽于镀膜设备的镀膜源与基板承载机构之间；而当遮板单元处于一未遮蔽状态时，遮板部未遮蔽于镀膜源与基板承载机构之间。承上所述，因依本技术的镀膜设备用的遮板单元具有遮蔽状态及未遮蔽状态，而且针对每一镀膜源分别设置一遮板单元，所以在使用数个镀膜源进行镀膜制程时，能够精确地修整来自镀膜源的材料，进而有效地控制形成在基板上的膜厚均匀性。附图说明图1为显示现有的镀膜设备的示意图；图2为显示依本技术较佳实施例的镀膜设备的示意图，其中第一遮板单元处于遮蔽状态，第二遮板单元处于未遮蔽状态；图3为显示依本技术较佳实施例的镀膜设备的示意图，其中第一遮板单元处于未遮蔽状态，第二遮板单元处于遮蔽状态；图4为显示依本技术较佳实施例的镀膜设备用的遮板单元的示意图，其处于遮蔽状态；图5为显示依本技术较佳实施例的镀膜设备用的遮板单元的示意图，其处于未遮蔽状态。图中符号说明1 镀膜设备11镀膜腔体13基板承载机构131 基板15镀膜源17遮板单元2 镀膜设备21镀膜腔体22基板承载机构221 基板223 旋转轴23第一镀膜源24第二镀膜源25离子辅助源26第一遮板单元 261支撑部262遮板部27 第二遮板单元271支撑部272遮板部4 遮板单元41 支撑部411延伸杆座412延伸杆412a 螺纹部413旋转控制件414螺纹座415穿通连接件42 遮板部421第一支点422第二支点具体实施方式以下将参照相关附图，说明依本技术较佳实施例的镀膜设备及镀膜设备用的遮板单元，其中相同的组件将以相同的参照符号加以说明。请参照图2与图3所示，依本技术较佳实施例的镀膜设备2包括一镀膜腔体21、一基板承载机构22、一第一镀膜源23、一第二镀膜源24、一离子辅助源25、一第一遮板单元26、以及一第二遮板单元27。镀膜腔体21具有一空间，以便容置基板承载机构22、第一镀膜源23、第二镀膜源24、离子辅助源25、第一遮板单元26及第二遮板单元27。一般而言，镀膜腔体21可以提供真空状态，以进行真空镀膜制程。基板承载机构22具有数个承载部，其用以承载数个基板221；另外，在进行镀膜制程时，基板承载机构22能够以旋转轴223为轴心旋转，以便提升膜厚的均匀度。需注意的是，本实施例所示的基板承载机构22为一伞具式基板承载座，此外，基板承载机构22亦可以是其它类型的基板承载座，例如为行星式基板承载座(图中未显示)。第一镀膜源23及第二镀膜源24设置于镀膜腔体21中，并与基板承载机构22相对而设。在本实施例中，第一镀膜源23及第二镀膜源24可以是任意一种现有的镀膜源，当进行镀膜制程时，第一镀膜源23及第二镀膜源24交替作动，以便在基板221上进行数层镀膜；举例而言，第一镀膜源23可以是具高折射率的氧化钽(Oxide Tantalum，Ta2O5)、钛(Titanium)、或铌(Niobium)，而第二镀膜源24可以是具有低折射率的氧化硅(SiO2)。如图2所示，此时第一镀膜源23作动以便将高折射率材料镀至基板221上，同时第二镀膜源24并未作动；另外，如图3所示，此时第二镀膜源24作动以便将低折射率材料镀至基板221上，同时第一镀膜源23并未作动。如图2与图3所示，离子辅助源25是一额外的离子束枪，其与基板承载机构22相对而设，以便面对基板221喷以离子束，其目的在于提供一额外撞击作用，来促进镀膜的结晶，并改善镀膜的微观组织与致密性。第一遮板单元26及第二遮板单元27分别与第一镀膜源23及第二镀膜源24相对而设、并具有一遮蔽状态及一未遮蔽状态。在本实施例中，当利用第一镀膜源23进行镀膜制程时，第一遮板单元26处于遮蔽状态，以介于第一镀膜源23及基板承载机构22之间，此时第二遮板单元27处于未遮蔽状态(如图2所示)；另外，当利用第二镀膜源24进行镀膜制程时，第二遮板单元27处于遮蔽状态，以介于第二镀膜源24及基板承载机构22之间，此时第一遮板单元26处于未遮蔽状态(如图3所示)。如图2与图3所示，第一遮板单元26与第二遮板单元27具有相同的结构，其中第一遮板单元26具有一支撑部261及一遮板部262；第二遮板单元27则具有一支撑部271及一遮板部272。以第一遮板单元26为例，遮板部262轴设于支撑部261；其中，当第一遮板单元26处于遮蔽状态时，遮板部262遮蔽于第一镀膜源23与基板承载机构22之间，而当第一遮板单元26处于未遮蔽状态时，遮板部262未遮蔽于第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐振源，廖为松，谢治洪，
申请(专利权)人：精碟科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：