晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，进行加工以便能够对具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道的晶片进行适当地分割。该晶片具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道，该晶片的加工方法包含如下的激光加工步骤：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部并且沿着该间隔道照射该激光束，从而沿着该间隔道在晶片的内部形成在晶片的厚度方向上重叠的多个改质层，如果将对具有与解理方向平行的多条间隔道的晶片进行分割时需要在晶片的厚度方向上重叠地形成的改质层的数量设为n层，则在该激光加工步骤中，在晶片的厚度方向上重叠地形成m层的改质层，其中，n为自然数，m为

Processing method of wafer

A wafer processing method is provided for processing, so that the wafer with multiple spacers with a 45 degree inclination relative to the cleavage direction can be properly segmented. The wafer has a plurality of spacers inclined to 45 degrees relative to the cleavage direction. The processing method of the wafer includes the following laser processing steps: positioning the spotlight of the laser beam with the wavelength of the transmissive of the wafer on the interior of the wafer and irradiating the excited beam along the spacer, and thus along the spacer in the wafer. A plurality of modified layers that overlap in the direction of the thickness of the wafer are formed, and if the number of modified layers that are overlapping in the direction of the wafer thickness in the thickness direction of the wafer is set to the N layer when dividing the wafer with the cleavage direction parallel to the cleavage direction, the thickness direction of the wafer overlaps in the laser processing step. A modified layer of m layer is formed, of which n is natural and M is

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，利用激光束对晶片的内部进行改质。
技术介绍
在以移动电话或个人计算机为代表的电子设备中，具有电子电路等器件的器件芯片是必须的结构要素。对于器件芯片，例如在利用多条间隔道(分割预定线)对由硅等半导体材料形成的晶片的正面进行划分而在各区域形成器件之后，沿着该间隔道对晶片进行分割，从而制造器件芯片。作为对晶片进行分割的方法之一，已知有被称为SD(StealthDicing，隐形切割)的方法，使透过性的激光束会聚在晶片的内部，形成利用多光子吸收进行了改质的区域(以下称为改质层)(例如，参照专利文献1)。在沿着间隔道形成了改质层之后，通过对晶片施加力，能够以改质层为起点对晶片进行分割。但是，在该SD中，多数情况下改质层容易残留于器件芯片中，无法充分提高其抗折强度。因此，也实用化一种被称为SDBG(StealthDicingBeforeGrinding，先隐形切割在研磨)的方法，在形成了改质层之后，对晶片的背面进行磨削，从而去除改质层并将晶片分割成多个器件芯片(例如，参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2002-192370号公报专利文献2：日本特开2004-111428号公报在上述的SDBG中，为了促进分割成器件芯片，通常沿着与多个解理面对应的解理方向设定间隔道，其中该解理面相对于晶片的主面垂直。另外，构成器件的晶体管的配置也与该间隔道的朝向一致地确定。与此相对，近年来，研究了如下的方法，相对于以往的常规配置使晶片旋转45°而形成器件，从而使pMOS晶体管的驱动电流增大。但是，在该方法中，间隔道的朝向也变成相对于解理方向倾斜45°，因此即使按照以往的常规条件形成改质层，有时也无法对晶片进行适当地分割。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，进行加工以便能够对具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道的晶片进行适当地分割。根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，该晶片具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道，该晶片的加工方法的特征在于，该方法包含如下的激光加工步骤：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部并且沿着该间隔道照射该激光束，从而沿着该间隔道在晶片的内部形成在晶片的厚度方向上重叠的多个改质层，如果将对具有与解理方向平行的多条间隔道的晶片进行分割时需要在晶片的厚度方向上重叠地形成的改质层的数量设为n层，则在该激光加工步骤中，在晶片的厚度方向上重叠地形成m层的改质层，其中，n为自然数，m为以上的自然数。在本专利技术的一个方式中，优选晶片是以(100)面作为主面的硅晶片。另外，在本专利技术的一个方式中，优选该方法还包含如下的分割步骤：在该激光加工步骤之后，沿着该改质层将晶片分割成多个芯片。如果将对具有与解理方向平行的多条间隔道的晶片进行分割时所需的改质层的数量设为n层(n为自然数)，则在本专利技术的一个方式的晶片的加工方法中，形成m层(m为以上的自然数)的改质层，因此能够对具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道的晶片进行适当地分割。附图说明图1的(A)是示意性示出晶片的结构例的立体图，图1的(B)是示意性示出在晶片上粘贴保护部件的情况的立体图。图2的(A)和(B)是示意性示出激光加工步骤的局部剖视侧视图。图3的(A)是示意性示出激光加工步骤之后的晶片的状态的剖视图，图3的(B)是示意性示出分割步骤的局部剖视侧视图。标号说明11：晶片；11a：正面(主面)；11b：背面(主面)；11c：裂纹；13：间隔道(分割预定线)；15：器件；17a：第一改质层；17b：第二改质层；17c：第三改质层；21：保护部件；21a：正面；21b：背面；2：激光加工装置；4：卡盘工作台；4a：保持面；6：激光照射单元；12：磨削装置；14：卡盘工作台；14a：保持面；16：磨削单元；18：主轴；20：安装座；22：磨削磨轮；24：磨轮基台；26：磨削磨具；D1、D2：解理方向；L：激光束；P1：第一深度的位置；P2：第二深度的位置。具体实施方式参照附图，对本专利技术的一个方式的实施方式进行说明。本实施方式的晶片的加工方法包含激光加工步骤(参照图2的(A)、(B)和图3的(A))和分割步骤(参照图3的(B))。在激光加工步骤中，照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的内部形成在厚度方向上重叠的多个改质层，其中，该晶片具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道(分割预定线)。另外，如果将对具有与解理方向平行的间隔道的晶片进行分割时所需的改质层的数量设为n层(n为自然数)，则在该激光加工步骤中形成m层(m为以上的自然数)的改质层。在分割步骤中，对晶片的背面侧进行磨削而使晶片变薄，并且以改质层为起点分割成多个芯片。以下，对本实施方式的晶片的加工方法进行详细说明。图1的(A)是示意性示出利用本实施方式的晶片的加工方法进行加工的晶片的结构例的立体图。利用本实施方式进行加工的晶片11例如是使用结晶性的硅而形成为圆盘状的硅晶片，具有由(100)面构成的正面(主面)11a和背面(主面)11b。该晶片11例如沿着与相对于晶片11的正面11a(或背面11b)垂直的多个解理面对应的解理方向D1、D2(解理方向D1、D2与正面11a(或背面11b)平行且相互垂直)解理。另外，上述的解理面例如是与正面11a(或背面11b)垂直的{110}面，解理方向D1、D2与该解理面平行。晶片11的正面11a侧被呈格子状排列的间隔道(分割预定线)13划分成多个区域，在各区域中形成有IC、LSI等器件15。该间隔道13设定为相对于晶片11的解理方向D1、D2倾斜了45°的方向。另外，在本实施方式中，使用由结晶性的硅形成的圆盘状的硅晶片作为晶片11，但对于晶片11的材质、形状、构造、大小等没有限制。例如也可以使用由其他结晶性的材料形成的晶片11。同样地，对于器件15的种类、数量、大小、配置等也没有限制。在实施本实施方式的晶片的加工方法之前，可以预先在上述的晶片11的正面11a侧粘贴保护部件。图1的(B)是示意性示出在晶片11上粘贴保护部件的情况的立体图。保护部件21例如是具有与晶片11相同的直径的圆形的膜(带)，在其正面21a侧设置有具有粘接力的浆糊层。因此，如图1的(B)所示，若使保护部件21的正面21a侧与被加工物11的正面11a侧密合，则能够在被加工物11的正面11a侧粘贴保护部件21。通过在被加工物11的正面11a侧粘贴保护部件21，能够缓和在之后的各步骤中施加的冲击，能够防止器件15的破损等。在晶片11的正面11a侧粘贴了保护部件21之后，进行在该晶片11的内部形成改质层的激光加工步骤。图2的(A)和(B)是示意性示出激光加工步骤的局部剖视侧视图。如图2的(A)和(B)所示，在本实施方式中使用的激光加工装置2具有用于对晶片11进行吸引、保持的卡盘工作台4。卡盘工作台4与电动机等旋转驱动源(未图示)连结，绕与铅垂方向大致平行的旋转轴进行旋转。另外，在卡盘工作台4的下方设置有移动机构(未图示)，卡盘工作台4通过该移动机构在水平方向上移动。卡盘工作台4的上表面的一部分作为对晶片11的正面11a侧(保护部件21的背面21b侧)进行吸引、保持的保持面4a。保持面4a通过形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片的加工方法，该晶片具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道，该晶片的加工方法的特征在于，该方法包含如下的激光加工步骤：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部并且沿着该间隔道照射该激光束，从而沿着该间隔道在晶片的内部形成在晶片的厚度方向上重叠的多个改质层，如果将对具有与解理方向平行的多条间隔道的晶片进行分割时需要在晶片的厚度方向上重叠地形成的改质层的数量设为n层，则在该激光加工步骤中，在晶片的厚度方向上重叠地形成m层的改质层，其中，n为自然数，m为

【技术特征摘要】
2016.11.29 JP 2016-2307921.一种晶片的加工方法，该晶片具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道，该晶片的加工方法的特征在于，该方法包含如下的激光加工步骤：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部并且沿着该间隔道照射该激光束，从而沿着该间隔道在晶片的内部形成在晶片的厚度方向上重叠的多个改质层，如果将对具有与解理方向平行...

【专利技术属性】
技术研发人员：裵泰羽，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP