柱型封闭式钼舟制造技术

一种柱型封闭式钼舟，它包括电极（１、５），电阻带（２、４），蒸发腔（３），其技术特征在于：正负电极（１、５）分别连接电阻带（２、４）及蒸发腔（３），蒸发腔（３）为一封闭式柱型腔。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
专利说明 一、
本技术涉及一种应用于石英晶体频率调整中专用电热蒸发元件——柱型封闭式钼舟。二
技术介绍
目前，国内石英晶体企业普遍使用是从国外引进的微调机专用设备钼舟，其结构分为三部分构成一是正、负电极、二、是电阻带、三是蒸发腔。当额定电流通过电极进入电阻带后，蒸发腔可达到一定的温度，使装入腔内的银丝在高温下蒸发，喷镀在石英晶体电极处，通过设备的自动频率控制系统，使晶体达到所设定的标准频率。该钼舟的蒸发腔是一个开启式的长方形蒸发盒，通过折边后，盒体大多数均采用人工折成后的自然状态，其结合处有较大缝隙，无法合拢，达不到密封的程度。尤其是在高温工作状态时，腔体受热膨胀的影响，开裂现象还会加大，导致银丝在蒸发过程中自由扩散，渗漏。特别是高频晶体，调频后受二次扩散银的影响，频率的一致性受到一定程度的影响，同时，需要经常清理，扩散在蒸发碗内的银层，使设备受到一定程度的损伤。三、专利技术的内容本技术的目的是提供一种银丝在蒸发过程中喷射方向集中，不渗漏不扩散的柱型封闭式钼舟。本技术是这样来实现的它包括正、负电极，电阻带，蒸发腔，正、负电极分别连接电阻带及蒸发腔，蒸发腔为一封闭式柱型体。本技术提供的柱型封闭式钼舟，结构新颖，银丝在蒸发过程中不扩散，不渗漏，喷射方向集中。柱型封闭式钼舟采用了宽电阻带的设定，钼舟的使用寿命从原来的最多8小时提高到现在的24小时，使用寿命提高2倍以上；低频晶体降低银丝耗量达30％以上；高频晶体降低银丝耗量达50％左右。四附图说明附图1为本技术结构示意图。其中1、5——正、负电极， 2、4——电阻带， 3——蒸发腔。五、实现方式参照附图，本技术提供一种柱型封闭式钼舟，它包括电极(1、5)，电阻带(2、4)，蒸发腔(3)，其技术特征在于正负电极(1、5)分别连接电阻带(2、4)及蒸发腔(3)，蒸发腔(3)为一封闭式柱型腔。权利要求1.一种柱型封闭式钼舟，它包括电极(1、5)，电阻带(2、4)，蒸发腔(3)，其技术特征在于正负电极(1、5)分别连接电阻带(2、4)及蒸发腔(3)，蒸发腔(3)为一封闭式柱型腔。专利摘要本技术提供一种柱型封闭式钼舟，它包括电极，电阻带，蒸发腔，正、负电极分别连接电阻带及蒸发腔，蒸发腔为一封闭式柱型腔。本技术提供的柱型封闭式钼舟，结构新颖，设计独特，银丝在蒸发过程中不扩散，不渗漏，喷射方向集中。柱型封闭式钼舟采用了宽电阻带的设计，钼舟的使用寿命从原来的最多8小时提高到现在的24小时，使用寿命提高2倍以上；低频晶体降低银丝耗量达30％以上；高频晶体降低银丝耗量达50％左右。文档编号C23C14/24GK2560646SQ0226205公开日2003年7月16日 申请日期2002年8月14日 优先权日2002年8月14日专利技术者张士先 申请人:张士先本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张士先，
申请(专利权)人：张士先，
类型：实用新型
国别省市：