智能化瓷砖真空离子镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备。一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备，包括与真空抽气系统相连的真空室、转件架式多功能样品台、均布于真空室两侧的电弧金属离子源和ＰＬＣ可编程集中控制器，其特征是转件架式多功能样品台与真空室绝缘，气体离子清洗源的清洗电极位于转件架式多功能样品台上，并与真空室外气体离子清洗电源相连，电弧金属离子源为３０个，离子源与镀件间距为１５０ｍｍ。具有镀膜层的质量和效果好，低损耗、体积小，膜－基结合力强的优点。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于真空镀膜
，具体涉及一种智 能化瓷砖真空离子镀膜设备。技术背景市场对建筑陶瓷制品、陶瓷工艺制品表面和氮化铝陶 瓷基片表面金属化性能要求愈来愈高，为了使瓷砖等陶瓷制品产品档 次升级，出现了利用真空镀膜设备对陶瓷表面进行镀膜，而现有的真 空镀膜设备采用的是工频铁芯弧焊机进行镀膜，存在体积大、损耗高、 镀膜效果差，且操作复杂、生产效率低的缺陷。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术不足，提供一种镀膜 工艺和操作程序简单，生产效率高，镀膜效果好的智能化瓷砖真空离 子镀膜设备。本技术的技术方案是 一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备， 包括与真空抽气系统相连的真空室、转件架式多功能样品台、均布于 真空室两侧的电弧金属离子源和PLC可编程集中控制器，其特征是转 件架式多功能样品台与真空室绝缘，气体离子清洗源的清洗电极位于 转件架式多功能样品台上，并与真空室外气体离子清洗电源相连，电 弧金属离子源为30个，离子源与镀件间距为150ram。其中，所述电弧金属离子源的电源采用IGBT逆变式开关电源， 工作电压20-30V，工作电流50-150A。所述逆变式开关电源整流部分采用三相全桥整流模块，滤波部分由8只470uf/450v的电解电容C广Cs串、并联组成，正负极两端并 联30K/12W放电电阻Ri、 R2，直流与交流变换器采用移相控制全桥逆 变结构，开关管Vt厂Vt4分别由两只IGBT单管并联组成，并通过各自 单一分开的栅极电阻与移相控制电路相连，谐振电感Lr与主功率变 压器T初级线圈串联，防偏磁隔直电容采用4只1 u f/630V的CBB电 容C9-d2并联组成，主功率变压器T磁芯采用铁氧体磁芯，变比N二8， 次级采用中心抽头的全波整流方式。由于采用上述技术方案，与现有技术相比具有对镀件进行气体离 子清洗，镀膜层的质量和效果好；均布于真空室两侧30个电弧离子 源与镀件间距为150mm，可最大限度的减少膜层中的微粒，使膜层致 密光亮，增强膜-基结合力，并大幅度的縮短了膜层镀制时间；采用 IGBT逆变式开关电源，用阴极电弧光放电离化阴极靶材，与传统工 频铁芯弧焊机相比具有低损耗、体积小，且电源输出为高频脉冲波形， 提高了阴极耙材离化率，使薄膜细致，增强了膜-基结合力的优点。附图说明以下结合附图和具体实施例来对本技术的技术方 案做进一步说明。图1是本技术的结构示意图。图2是图1的左视图。图3是本技术的逆变式开关电源的电路原理图。具体实施方式参考图l一图3， 一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备，包括与真空抽气系统7相连的真空室4、转件架式多功能样品 台5、均布于真空室两侧的电弧金属离子源2和PLC可编程集中控制 器，转件架式多功能样品台5与真空室绝缘，气体离子清洗源的清洗 电极6位于转件架式多功能样品台5上，并与真空室外气体离子清洗 电源1相连，电弧金属离子源2为30个，离子源与镀件3间距为150mm。 电弧金属离子源的电源采用IGBT逆变式开关电源，工作电压20-30V， 工作电流50-150A 。逆变式开关电源整流部分采用三相全桥整流模块， 滤波部分由8只470uf/450v的电解电容d-Cs串、并联组成，正负 极两端并联30K/12W放电电阻Rh R2，直流与交流变换器采用移相控 制全桥逆变结构，.开关管Vt厂V"U分别由两只IGBT单管并联组成，并 通过各自单一分开的栅极电阻与移相控制电路相连，谐振电感Lr与 主功率变压器T初级线圈串联，防偏磁隔直电容采用4只luf/630V 的CBB电容C9-d2并联组成，主功率变压器T磁芯采用铁氧体磁芯， 变比N-8，次级采用中心抽头的全波整流方式。权利要求1、一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备，包括与真空抽气系统(7)相连的真空室(4)、转件架式多功能样品台(5)、均布于真空室两侧的电弧金属离子源(2)和PLC可编程集中控制器，其特征是转件架式多功能样品台(5)与真空室绝缘，气体离子清洗源的清洗电极(6)位于转件架式多功能样品台(5)上，并与真空室外气体离子清洗电源(1)相连，电弧金属离子源(2)为30个，离子源与镀件(3)间距为150mm。2、 按权利要求1所述的一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备，其 特征是所述电弧金属离子源的电源采用IGBT逆变式开关电源，工作 电压20-30V，工作电流50-150A。3、 按权利要求2所述的一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备，其 特征是所述逆变式开关电源整流部分采用三相全桥整流模块，滤波部 分由8只470p f/450v的电解电容d-Cs串、并联组成，正负极两端 并联30K/12W放电电阻Ri、 R2，直流与交流变换器采用移相控制全桥 逆变结构，开关管Vt「Vt4分别由两只IGBT单管并联组成，并通过各 自单一分开的栅极电阻与移相控制电路相连，谐振电感Lr与主功率 变压器T初级线圈串联，防偏磁隔直电容采用4只1 u f/630V的CBB 电容C9-d2并联组成，主功率变压器T磁芯采用铁氧体磁芯，变比N =8，次级采用中心抽头的全波整流方式。专利摘要本技术属于真空镀膜
，具体涉及一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备。一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备，包括与真空抽气系统相连的真空室、转件架式多功能样品台、均布于真空室两侧的电弧金属离子源和PLC可编程集中控制器，其特征是转件架式多功能样品台与真空室绝缘，气体离子清洗源的清洗电极位于转件架式多功能样品台上，并与真空室外气体离子清洗电源相连，电弧金属离子源为30个，离子源与镀件间距为150mm。具有镀膜层的质量和效果好，低损耗、体积小，膜-基结合力强的优点。文档编号C23C14/24GK201165546SQ20082001875公开日2008年12月17日 申请日期2008年3月4日 优先权日2008年3月4日专利技术者栾国栋, 栾庚祖, 王桂岳, 隋洪文 申请人:王桂岳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种智能化瓷砖真空离子镀膜设备，包括与真空抽气系统（７）相连的真空室（４）、转件架式多功能样品台（５）、均布于真空室两侧的电弧金属离子源（２）和ＰＬＣ可编程集中控制器，其特征是转件架式多功能样品台（５）与真空室绝缘，气体离子清洗源的清洗电极（６）位于转件架式多功能样品台（５）上，并与真空室外气体离子清洗电源（１）相连，电弧金属离子源（２）为３０个，离子源与镀件（３）间距为１５０ｍｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王桂岳，栾国栋，栾庚祖，隋洪文，
申请(专利权)人：王桂岳，
类型：实用新型
国别省市：37[中国|山东]