【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及金属镍薄膜制备方法和γ射线辐照应用技术。现有制备金属镍薄膜的方法一般采用真空蒸发、真空溅射或电镀，但真空蒸发和真空溅射的设备要求较高，可使用的衬底尺寸有限，形状不能复杂；电镀虽然设备简单但要求衬底必须导电。为了用电镀法在绝缘的高聚物或玻璃衬底上生长镍薄膜，必须先采用化学镀方法在相应衬底上镀上一层导电涂层，然后再进行电镀，工艺麻烦，不能一步完成，且镀层质量难以保证。目前尚未见到将γ射线辐照用于金属成膜的报导。本专利技术的目的是，提出一种采用γ射线辐照法、在含镍离子的液相环境中、在导电或不导电的衬底上一步完成生长金属镍薄膜的方法。这种，其特征是在液相环境中用水合电子作还原剂，该方法包括以下步骤(1)配制如下组成的含镍盐水溶液(单位为摩尔/升)醋酸镍0.01-0.10异丙醇1-2醋酸铵0.05-0.10氨水 0.5-1.0(2)把欲生长金属镍薄膜的衬底放入上述含镍水溶液中；(3)将放置有衬底的含镍水溶液置于γ射线源中辐照，控制辐照剂量为3×104--5×105Gy。由于含有镍离子的水溶液在受到γ射线辐照时，产生强还原剂即水合电子，它将镍离子逐级还原成镍原子，在生成金属镍团簇粒子的同时在衬底上沉积形成金属镍薄膜。采用本专利技术，不论衬底导电与否，均可一步生成金属镍薄膜，适用的衬底材料包括玻璃、高聚物、陶瓷、宝石、半导体硅、二氧化硅和金属等。本专利技术方法可在常温常压下操作，工艺简单易行，生成的金属镍薄膜厚度一般可控制在几百至几千埃范围内，根据需要，可通过调节溶液浓度和辐照剂量使膜厚增加，膜层表面光亮呈镜面状。本专利技术可适合于任何衬底形状在其...
【技术保护点】
一种金属镍薄膜的制备方法，其特征在于将衬底置于含有镍离子的水溶液中，以γ射线辐照３×１０↑［４］－５×１０↑［６］Ｇｙ，所述含镍离子的水溶液中含有摩尔／升的下列物质：醋酸镍 ０．０１－０．１０异丙醇 １－２醋酸铵 ０．０５－０． １０氨水 ０．５－１．０。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈祖耀，陈旻，朱玉瑞，钱逸泰，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：34[中国|安徽]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。