本发明专利技术提供一种对向靶溅射装置和利用该装置的有机电致发光显示装置的制造方法，通过使用圆板型的对向靶来防止薄膜形成时所产生的具有高能量的粒子与基片碰撞而引起的膜损伤，并通过在所述圆板型对向靶的周围旋转多个基片形成薄膜而适于大量生产。本发明专利技术包含：室部，该室部包含形成壳体的室和可以沿着所述室内壁安装多个基片的基片安装部；至少一个溅射靶部，该溅射靶部包含相隔一定距离而对置并形成约束空间的一对对向溅射靶和分别设置在所述一对靶的后面并在所述约束空间中产生磁场的磁场产生单元。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种溅射装置和利用该装置的有机电致发光显示装置的制造方法，尤其涉及一种对向靶溅射装置和利用该装置的有机电致发光显示装置的制造方法，由此通过使用圆板型的对向靶防止薄膜形成时所产生的具有高能量的粒子碰撞基片而引起的膜损伤，并通过在所述圆板型对向靶的周围旋转多个基片而形成薄膜，从而适于大量生产。
技术介绍
通常，有机电致发光显示装置是电子(electron)注入电极(cathode)和空穴(hole)注入电极(anode)分别向发光层(emitting layer)的内部注入电子(electron)和空穴(hole)，当所注入的电子(electron)和空穴(hole)相结合的激子(exciton)由激发态降为基态时发光的发光显示装置。根据这种原理，有机电致发光显示装置与现有的薄膜液晶显示装置不同，不需要另外的光源，从而具有可以减小单元的体积和重量的优点。驱动所述有机电致发光显示装置的方式分为无源矩阵型(passive matrixtype)和有源矩阵型(active matrix type)。所述无源矩阵型有机电致发光显示装置，其结构和制造方法简单，但是存在消耗电力高、难以大面积化和随着配线数量增加其开口率降低的缺陷。因此，对于小型显示单元使用所述无源矩阵型有机电致发光显示装置，而对于大面积的显示单元使用所述有源矩阵型有机电致发光显示装置。并且，所述有机电致发光显示装置在上部电极和下部电极之间设置有机膜，该有机膜包含一般由Alq3构成的发光层。此时，使所述上部电极和下部电极之中的一个为阳极，若使下部电极为阳极，则上、下部电极之中的另一个为阴极，即上部电极作为阴极而发光。这种所述有机电致发光显示装置，虽然根据所述有机电致发光显示装置的发光类型而有所不同，但一般通过溅射法在所述上部电极和下部电极上蒸镀通常的金属膜或透明导电膜而形成。这种溅射法势必代表着有机电致发光显示装置等电子设备的制造工艺的成膜工艺技术，被广泛应用于具有大范围应用领域的干式加工技术之中，是一种通过真空容器中导入如Ar气体的稀有气体、并在靶上以150V以上的高压供应阴极直流(DC)功率或高频(RF)功率而发光(glow)放电来成膜的方法。如上所述的溅射方法，虽然施加电压与形成等离子时从靶飞射出的粒子所具有的能量具有密切关系，但是所述溅射法由于供应150V以上的电源，因而增加具有100eV以上的高能量粒子的生成。在所述溅射工艺中所产生的具有高能量的粒子与基片碰撞，因而存在损伤所述基片的问题。并且，当所述基片上形成其它薄膜时，损伤所述薄膜。尤其，在所述有机电致发光显示装置的具有所述发光层的有机膜上通过溅射方法而形成上部电极时，所述溅射工艺中所产生的具有100eV以上的高能量的粒子与所述有机膜碰撞而损伤所述有机膜。由于这种有机膜的损伤，如图1所示，在有机发光显示装置的反偏压(reverse bias)区域中存在漏电流大幅度增加的问题。另外，为了解决如上所述的问题，韩国专利申请公开“2002-0087839号”说明书中揭示了一种在溅射装置中将两个靶相互对置的对向靶溅射装置。然而，所述对向靶溅射装置只能安装一块基片并溅射而形成薄膜，因而在大量生产中受到限制。
技术实现思路
本专利技术为了解决所述现有的技术问题而提出，其目的在于提供一种通过使用圆板型的对向靶，防止薄膜形成时所产生的具有高能量的粒子轰击基片而引起的膜损伤的对向靶溅射装置和利用该装置的有机电致发光显示装置的制造方法。并且，本专利技术的另一目的在于提供一种通过在所述圆板型对向靶的周围旋转多个基片而形成薄膜，从而适于大量生产的对向靶溅射装置和利用该装置的有机电致发光显示装置的制造方法。为了解决所述目的，本专利技术所提供的对向靶溅射装置，包含室部，该室部包含形成壳体的室和可以沿着所述室内壁安装多个基片的基片安装部；至少一个溅射靶部，该溅射靶部包含相隔一定距离而对置并形成约束空间的一对对向溅射靶和分别设置在所述一对靶的后面并在所述约束空间中产生磁场的磁场产生单元。所述基片安装部可以沿着所述室的内壁旋转，所述基片安装部的旋转轨道和所述一对对向溅射靶形成同心圆。所述一对对向溅射靶为圆板型，所述一对对向溅射靶由相同物质或互不相同的物质构成。所述室的内压维持0.1mTorr至100mTorr。进一步包含用于冷却所述溅射靶部的磁场产生单元的冷却装置。所述基片最好维持100℃以下的温度。并且，本专利技术所提供的有机电致发光显示装置的制造方法，包含在衬底上形成下部电极的阶段；形成象素定义膜的阶段，该象素定义膜具有使所述下部电极的一部分露出的开口部；在所述象素定义膜上形成至少具有发光层的有机膜的阶段；利用所述的对向靶溅射装置在所述有机膜上形成上部电极的阶段。进一步包含在所述上部电极上形成用于保护所述上部电极和所述有机膜的保护膜的阶段。附图说明图1为用于说明采用现有的溅射装置而形成的有机电致发光显示装置的漏电流的示意图；图2a为用于说明本专利技术的一实施方式所提供的对向靶溅射装置的纵向截面图；图2b为用于说明本专利技术的一实施方式所提供的对向靶溅射装置的平面图；图2c为用于说明本专利技术的一实施方式所提供的对向靶溅射装置的概略示意图；图3为用于说明本专利技术的又一实施方式所提供的对向靶溅射装置的纵向截面图；图4a为用于说明采用本专利技术所提供的对向靶溅射装置的有机电致发光显示装置的制造方法的工程截面图；图4b为用于说明采用本专利技术所提供的对向靶溅射装置的有机电致发光显示装置的制造方法的工程截面图；图5为用于说明采用本专利技术所提供的对向靶溅射装置的有机电致发光显示装置的漏电流的示意图。主要符号说明100为对向溅射装置，200为室部，210为室，220为基片安装部，300、500、600为溅射靶部，311、315为溅射靶，320为磁场产生单元，330为冷却装置，400为电源供应装置，700为绝缘衬底，710为下部电极，720为象素定义膜，725为开口部，730为有机膜，740为上部电极，750为保护膜。具体实施例方式以下，参照附图详细说明本专利技术所提供的实施方式。图2a为用于说明本专利技术的一实施方式所提供的对向靶溅射装置的纵向截面图，图2b为用于说明本专利技术的一实施方式所提供的对向靶溅射装置的平面图，图2c为用于说明本专利技术的一实施方式所提供的对向靶溅射装置的概略示意图。如图2a至2c所示，本专利技术的实施方式所提供的对向靶溅射装置100，包含形成所述对向靶溅射装置100壳体的室部200和设置在所述室内的溅射靶部300以及电源供应装置400而构成。所述室部200包含形成所述对向靶溅射装置100的壳体的室210和安装多个基片的基片安装部220。所述室210为约圆筒形的真空室，室210的内部维持0.1mTorr至100mTorr之间的真空。所述基片安装部220沿着所述室210的内壁安装多个基片S。并且，所述基片安装部220可以沿着所述室210的内壁旋转360°。所述溅射靶部300，包含一对对向溅射靶311、315，由用于溅射在基片S上的物质构成；磁场产生单元320，用于在所述一对对向溅射靶311、315之间的空间产生磁场；冷却装置330，用于冷却所述磁场产生单元320。所述一对对向溅射靶311、315被布置为与所述室210的内壁间隔一定距离并在其间形成本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种对向靶溅射装置，其特征在于包含：室部，该室部包含形成壳体的室和可以沿着所述室内壁安装多个基片的基片安装部；至少一个溅射靶部，该溅射靶部包含相隔一定距离而对置并形成约束空间的一对对向溅射靶和分别设置在所述一对靶的后面并在所 述约束空间中产生磁场的磁场产生单元。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金汉基，李奎成，许明洙，郑京勋，郑锡宪，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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