成膜方法和成膜装置、自发光元件的制造方法和制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题是，在通过电子束蒸镀来形成金属薄膜时，防止二次电子等到达被成膜面，并且防止阳离子到达被成膜面，从而避免金属薄膜处于带电状态。作为解决手段，一种成膜装置，通过电子束蒸镀而在基板（１）的被成膜面（１ａ）上形成Ａｌ等的金属薄膜，具有通过电子束发生器（电子枪）把电子束Ｅ↓［Ｂ］照射到收容在成膜源（２）内的金属材料（３）上的电子束照射单元（４），并且具有电荷轨迹变更单元（５），其变更通过向成膜源（２）照射电子束而产生的电子Ｅ↓［ｓ］和阳离子Ｐｏ的前进轨迹，使得不会到达被成膜面（１ａ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及成膜方法和成膜装置、自发光元件的制造方法和制造装置。
技术介绍
作为把金属材料成膜于被成膜面上的方法之一，公知有电子束蒸镀法。该电子束蒸镀法与一般的加热蒸镀相比，可以得到较高的成膜速度，所以用于有机EL(Organic Electro Luminescence，有机电致发光)元件等自发光元件的金属电极膜形成中，可以缩短制造时间。图1为说明通过现有的电子束蒸镀形成金属薄膜的说明图。按照此图，把基板J1配置在真空的成膜室内，由电子束发生器(电子枪)J4对收容于成膜源(坩埚)J2内的金属材料J3照射电子束J5，使其熔化，产生的金属蒸汽蒸镀到基板J1的被成膜面J1a上，形成金属薄膜。在通过这样的电子束蒸镀法形成金属薄膜的情况下，存在的问题是把电子束J5照射到金属材料J3上时，如图1所示那样，从金属材料J3飞溅出二次电子J6，飞溅出的二次电子J6撞击到被成膜面J1a上，对被成膜面J1a造成损伤。此外存在的问题是产生接触到金属材料J3的电子束J5没有被金属材料J3吸收而被反弹的反弹电子，由于其与被成膜面J1a撞击而对被成膜面J1a造成损伤。在通过上述的电子束蒸镀法来对有机EL元件的金属电极进行成膜的情况下，由于有机EL元件具有在基板上形成透明电极、且在其上对由包括发光层在内的各种功能层构成的有机层进行成膜、再在其上对金属电极膜进行成膜的层叠结构，所以在与被成膜面J1a相接触的有机层的表面上产生因二次电子或反弹电子造成的损伤，从而存在破坏有机层而降低发光效率、或造成产生泄漏的原因等的问题。因此研究出防止在电子束蒸镀法中的二次电子或反弹电子撞击被成膜面J1a的相应对策，提出了如下述专利文献1中所记载的现有技术。由此，如图1所示，通过磁铁J7A、J7B，在被成膜面J1a和成膜源J2之间形成与被成膜面J1a平行的磁场M，利用该磁场M来弯曲上述的二次电子J6等的前进方向，从而防止它们到达被成膜面J1a。专利文献1 日本特许第3568189号公报
技术实现思路
根据这样的现有技术，由于与被成膜面J1a平行地形成的磁场M，二次电子J6等电子的前进方向弯曲，从而可以避免因该电子的撞击造成的对被成膜面J1a的损伤。可是，伴随二次电子J6的产生所产生的阳离子J8具有较大的惯性，所以几乎不会受到磁场M的影响，到达被成膜面J1a。由此，在利用设置了防止二次电子J6等到达被成膜面J1a的磁场M的电子束蒸镀法，对被成膜面J1a进行成膜的情况下，会有在所形成的金属薄膜上积蓄阳离子而处于带正电的状态的问题。这样，如果处于在所形成的金属薄膜上积蓄了阳离子的状态，出现的问题是因其带电所形成的静电对周围产生不良影响，并且在通过这样的电子束蒸镀形成自发光元件的金属电极的情况下，由于阳离子的积蓄所形成的静电而形成了对自发光元件施加很大电场的状态，例如当形成在一对电极之间挟持有机层而构成的有机EL元件时，由于在金属电极上产生的正电，而有较大的电场施加到有机层之间，并因该电场而产生较强的应力，从而产生元件劣化和电极之间短路等的问题。此外，在针对有机EL元件的阴极发生这样的阳离子积蓄的情况下，由于有很大的反向电压施加到有机层上，所以有发生有机层的绝缘被破坏等元件功能降低的可能性。本专利技术就是把应对这样的问题作为了课题的一个例子。即，本专利技术的目的是，在通过电子束蒸镀形成金属薄膜时，防止二次电子等到达被成膜面，并且防止阳离子到达被成膜面，从而避免金属薄膜处于带电状态，另外，在通过这样的电子束蒸镀而形成有机EL元件等自发光元件的金属电极时，避免金属电极处于带电状态，防止元件劣化和电极之间短路等的问题，或者，将由于功能层的绝缘破坏等造成的元件功能降低的现象防患于未然等。为了达到这样的目的，本专利技术的成膜方法和成膜装置、自发光元件的制造方法和制造装置至少具备以下各独立权利要求的结构。一种成膜方法，通过电子束蒸镀，在被成膜面上形成金属薄膜，其特征在于，在通过向成膜源照射电子束而从该成膜源蒸发出金属材料时，变更由于向上述成膜源照射电子束而产生的电子和阳离子的前进轨迹，使得不会到达上述被成膜面。一种成膜装置，通过电子束蒸镀，在被成膜面上形成金属薄膜，其特征在于，具有成膜源；电子束照射装置，其向该成膜源照射电子束以从该成膜源蒸发出金属材料；以及电荷轨迹变更单元，其变更由于向上述成膜源照射电子束而产生的电子和阳离子的前进轨迹，使得不会到达上述被成膜面。一种自发光元件的制造方法，通过电子束蒸镀，在自发光元件中的功能层上的被成膜面上形成金属电极膜，其特征在于，在通过向成膜源照射电子束而从该成膜源蒸发出金属材料时，变更由于向上述成膜源照射电子束而产生的电子和阳离子的前进轨迹，使得不会到达上述被成膜面。一种自发光元件的制造装置，通过电子束蒸镀，在自发光元件中的功能层上的被成膜面上形成金属电极膜，其特征在于，具有成膜源；电子束照射单元，其向该成膜源照射电子束以从该成膜源蒸发出金属材料；电荷轨迹变更单元，其变更由于向上述成膜源照射电子束而产生的电子和阳离子的前进轨迹，使得不会到达上述被成膜面。附图说明图1为现有技术的说明图。图2为说明本专利技术的实施方式的说明图。符号说明1基板1a被成膜面2成膜源 3金属材料4电子束照射单元5电荷轨迹变更单元6电荷监测单元具体实施方式下面参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。图2为说明本专利技术的一个实施方式的成膜方法、成膜装置的说明图。该成膜装置通过电子束蒸镀，在基板1的被成膜面1a上形成Al等的金属薄膜，并具有用电子束发生器(电子枪)向收容在成膜源2内的金属材料3照射电子束EB的电子束照射单元4，通过该电子束照射而熔化金属材料3，所产生的金属蒸汽蒸镀到基板1的被成膜面1a上，形成金属薄膜，而且还具有电荷轨迹变更单元5，其变更由于向成膜源2照射电子束而产生的电子ES(二次电子或反弹电子)和阳离子Po的前进轨迹，使得不会到达被成膜面1a。此外还根据需要，该成膜装置具有监测被成膜面1a周围的正电荷的电荷监测单元6。利用这样的成膜装置实现的成膜方法，在通过电子束蒸镀而在被成膜面1a上形成金属薄膜，并在通过向成膜源2照射电子束EB而从成膜源2蒸发出金属材料3时，变更由于向成膜源2照射电子束EB而产生的电子和阳离子的前进轨迹，使得不会到达被成膜面1a。这样，从成膜源2飞溅出的二次电子等被电荷轨迹变更单元5变更了轨迹，所以可以将在成膜初期因二次电子等撞击到被成膜面1a上而损伤被成膜面1a的问题防患于未然。此外，与此同时，从成膜源2飞溅出的阳离子Po的前进轨迹会被电荷轨迹变更单元5所变更，所以可以防止在已成膜的金属薄膜上积蓄阳离子。这样，在被成膜面1a上蒸镀的主要是没有被离子化的金属，可以防止在被成膜面1a上成膜的金属薄膜处于带电状态，可以预先避免因金属薄膜带电造成的静电的恶劣影响。此时的电荷轨迹变更单元5只要是变更二次电子等电子和阳离子的前进轨迹使其不能到达被成膜面1a、使没有被离子化的金属单体等到达被成膜面1a的装置，可以为任何形式的手段，例如可以由配置在成膜源2和被成膜面1a之间的利用双曲型四极杆实现的质量分离过滤器构成。这种利用双曲型四极杆实现的质量分离过滤器具有可以使具有特定质量的不带有离子和电荷的粒子通过的功能。例如用铝(Al)进行成膜而形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成膜方法，通过电子束蒸镀，在被成膜面上形成金属薄膜，其特征在于，在通过向成膜源照射电子束而从该成膜源蒸发出金属材料时，变更通过向上述成膜源照射电子束而产生的电子和阳离子的前进轨迹，使得不会到达上述被成膜面。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：丹博树，
申请(专利权)人：日本东北先锋公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]