遮挡压盘组件、半导体加工装置和方法制造方法及图纸

本公开提供一种遮挡压盘组件、半导体加工装置和方法。该遮挡压盘组件包括：遮挡压盘以及移动部件，遮挡压盘面向基座的一侧包括边缘部；移动部件用于使遮挡压盘在第一位置和第二位置之间移动；其中，在第一位置时，边缘部与基座承载的待加工件的边缘区域接触，且遮挡压盘在基座的支撑面上的投影完全覆盖待加工件在基座的支撑面上的投影；在第二位置时，在垂直于基座的支撑面的方向上，遮挡压盘与基座的支撑面不重叠。从而可以使晶片表面全部沉积上薄膜，又可以通入背吹气体对晶片进行有效冷却，提高产能。

【技术实现步骤摘要】
遮挡压盘组件、半导体加工装置和方法
本公开的实施例涉及一种遮挡压盘组件、半导体加工装置和方法。
技术介绍
物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，PVD)技术是在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在衬底表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有：真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜及分子束外延等。目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜，还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理气相沉积装置本身的性能直接影响所沉积的膜层的质量和产率等。随着对于各种器件膜层精度、质量以及产率的要求不断提高，对于物理气相沉积装置本身性能的改进有着持续的推动力。
技术实现思路
根据本公开的一个实施例提供一种遮挡压盘组件，包括：遮挡压盘，所述遮挡压盘面向基座的一侧包括边缘部；以及移动部件，用于使所述遮挡压盘在第一位置和第二位置之间移动；其中，在所述第一位置时，所述边缘部可与所述基座承载的待加工件的边缘区域接触，且所述遮挡压盘在所述基座的支撑面上的投影完全覆盖所述待加工件在所述基座的支撑面上的投影；在所述第二位置时，在垂直于所述基座的支撑面的方向上，所述遮挡压盘与所述基座的支撑面不重叠。在一些示例中，所述遮挡压盘与所述移动部件活动连接，使得所述遮挡压盘能沿垂直于所述基座的支撑面的方向相对所述移动部件移动。在一些示例中，所述移动部件包括：旋转轴；旋转臂，与所述旋转轴相连，被配置为在所述旋转轴的驱动下围绕所述旋转轴旋转，所述遮挡压盘连接到所述旋转臂面向所述基座的一侧。在一些示例中，所述旋转臂上设有竖直贯通的定位孔，所述遮挡盘背离所述基座的一侧依次设置有连接部和定位部，所述定位部与所述定位孔配合，使所述遮挡压盘可吊挂在所述旋转臂上。在一些示例中，所述定位孔被配置为其内径从上到下逐渐减小，所述定位部的形状与所述定位孔的形状相配合，所述连接部的外径不大于所述定位孔的最小内径。在一些示例中，所述定位孔为圆台形孔，所述定位部为与所述定位孔配合的圆台形，所述连接部为圆柱形。在一些示例中，所述边缘部被配置为沿所述遮挡压盘的边缘周向分布的突出部，所述突出部朝向所述基座突出。在一些示例中，所述突出部被配置为沿所述遮挡压盘的周向连续设置。在一些示例中，所述突出部被配置为沿所述遮挡压盘的周向间断设置。本公开的另一个实施例提供一种半导体加工装置，包括腔室，所述腔室包括所述基座和如上任一遮挡压盘组件；所述基座内设有背吹管路，所述背吹管路被配置为通入背吹气体；所述基座具有所述支撑面，所述支撑面被配置为支撑所述待加工件，所述基座被配置为可沿垂直于所述支撑面的方向移动。在一些示例中，所述遮挡压盘在第二位置时，所述支撑面上的所述待加工件背离所述基座的整个表面暴露于所述腔室的工艺环境。本公开的另一个实施例提供一种半导体加工方法，采用如上所述的半导体加工装置，包括工艺处理步骤和冷却步骤，其中，所述工艺处理步骤包括：使所述遮挡压盘保持在所述第二位置，对所述待加工件的整个表面进行工艺处理；所述冷却步骤包括：停止工艺处理，将所述遮挡压盘从所述第二位置移动到所述第一位置，对所述待加工件进行背吹冷却。在一些示例中，所述冷却步骤中将所述遮挡压盘从所述第二位置移动到所述第一位置之后，进一步包括：控制所述基座的升降高度，当所述边缘部接触所述待加工件的边缘后，继续升高所述基座，使所述遮挡压盘相对所述移动部件向上移动。在一些示例中，所述工艺处理包括物理气相沉积工艺。对于本公开实施例的遮挡压盘组件、半导体加工装置和方法，可以使晶片表面全部沉积上薄膜，又可以通入背吹气体对晶片进行有效冷却，提高产能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本专利技术的一些实施例，而非对本专利技术的限制。图1为遮挡盘转入腔室的示意图；图2为遮挡盘从腔室移出的示意图；图3为一种物理气相沉积装置的截面示意图；图4为一种基座(无背吹管路)的示意图；图5为另一种物理气相沉积装置的截面示意图；图6A为根据本公开一实施例的遮挡压盘组件的截面示意图；图6B为根据本公开一实施例的遮挡压盘组件的定位部脱离旋转臂/定位孔的截面示意图；图7A为根据本公开一实施例的遮挡压盘组件的截面示意图；图7B为根据本公开一实施例的遮挡压盘组件的截面示意图；图8A为根据本公开另一实施例的遮挡压盘组件的截面示意图；图8B为根据本公开另一实施例的遮挡压盘组件的截面示意图；图8C为根据本公开另一实施例的遮挡压盘组件的截面示意图；图9A为根据本公开一实施例的半导体加工装置的截面示意图(基座位于薄膜沉积的工艺位置)；图9B为根据本公开一实施例的半导体加工装置的基座(具有背吹管路)的示意图；图10为根据本公开一实施例的半导体加工方法中基座下降到遮挡压盘以下且遮挡压盘位于基座正上方的半导体加工装置的截面示意图；以及图11为根据本公开一实施例的半导体加工方法中定位部脱离旋转臂/定位孔的半导体加工装置的截面示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。下面就根据本专利技术公开的一些实施例进行进一步详细的说明。在本专利技术公开的说明书中，基座的支撑面可指基座的远离腔室底壁一侧的平面。将支撑面定义为这样的平面，可更好地说明其他部件与该支撑面的位置关系。另外，在基座安装在半导体加工装置时，其可以被配置为在沿垂直于该支撑面的方向上运动。在垂直于支撑面的方向上，从基座的支撑面的相反侧到支撑面的方向称为向“上”的方向，从支撑面到基座的支撑面的相反侧的方向称为向“下”的方向。由此，利用“上”和“下”、或者“顶”和“底”修饰的各种位置关系有了清楚的含义。例如，上表面、下表面、上升、下降、顶壁和底壁。又例如，对于待加工件的两个表面来讲，其背离基座的表面称为“上表面”，其面对基座的表面称为“下表面”。另外，在沿平行于所述支撑面的方向上，从所述基座的边缘指向中心的方向称为向“内”的方向，从所述基座中心指向边缘的方向称为向“外”的方向。因此，利用“内”和“外”修饰的相对位置关系也有了清楚的含义。例如，“内侧”和“外侧”。另外，需要注意的是，以上表示方位的术语仅仅是示例性的且表示各个部件的相位位置关系，对于本专利技术公开的各种装置或设备中的零件组合或整个装置或设备可以整体上旋转一定的角度。在本专利技术公开中的待加工件例如可以是用于支撑待沉积晶片的托盘、也可以是单独的待本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种遮挡压盘组件，包括：遮挡压盘，所述遮挡压盘面向基座的一侧包括边缘部；以及移动部件，用于使所述遮挡压盘在第一位置和第二位置之间移动；其中，在所述第一位置时，所述边缘部可与所述基座承载的待加工件的边缘区域接触，且所述遮挡压盘在所述基座的支撑面上的投影完全覆盖所述待加工件在所述基座的支撑面上的投影；在所述第二位置时，在垂直于所述基座的支撑面的方向上，所述遮挡压盘与所述基座的支撑面不重叠。

【技术特征摘要】
1.一种遮挡压盘组件，包括：遮挡压盘，所述遮挡压盘面向基座的一侧包括边缘部；以及移动部件，用于使所述遮挡压盘在第一位置和第二位置之间移动；其中，在所述第一位置时，所述边缘部可与所述基座承载的待加工件的边缘区域接触，且所述遮挡压盘在所述基座的支撑面上的投影完全覆盖所述待加工件在所述基座的支撑面上的投影；在所述第二位置时，在垂直于所述基座的支撑面的方向上，所述遮挡压盘与所述基座的支撑面不重叠。2.根据权利要求1所述的遮挡压盘组件，其中，所述遮挡压盘与所述移动部件活动连接，使得所述遮挡压盘能沿垂直于所述基座的支撑面的方向相对所述移动部件移动。3.根据权利要求2所述的遮挡压盘组件，其中，所述移动部件包括：旋转轴；旋转臂，与所述旋转轴相连，被配置为在所述旋转轴的驱动下围绕所述旋转轴旋转，所述遮挡压盘连接到所述旋转臂面向所述基座的一侧。4.根据权利要求3所述的遮挡压盘组件，其中，所述旋转臂上设有竖直贯通的定位孔，所述遮挡盘背离所述基座的一侧依次设置有连接部和定位部，所述定位部与所述定位孔配合，使所述遮挡压盘可吊挂在所述旋转臂上。5.根据权利要求4所述的遮挡压盘组件，其中，所述定位孔被配置为其内径从上到下逐渐减小，所述定位部的形状与所述定位孔的形状相配合，所述连接部的外径不大于所述定位孔的最小内径。6.根据权利要求5所述的遮挡压盘组件，其中，所述定位孔为圆台形孔，所述定位部为与所述定位孔配合的圆台形，所述连接部为圆柱形。7.根据权利要求1所述的遮挡压盘组件，其中，所述边缘部被配置为沿所述遮挡压盘的边缘周向分布的突...

【专利技术属性】
技术研发人员：李冬冬，郭浩，赵梦欣，赵晋荣，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11