一类含多氟嘧啶芳基脒类化合物、其制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一类由通式F‑1表示的含多氟嘧啶芳基脒类化合物，所述化合物的结构式及取代基见说明书。本发明专利技术还提供了所述化合物的制备方法。本发明专利技术提供的化合物适合用于防治植物病害，如白粉病、锈病、霜霉病、疫病和叶枯病等。

【技术实现步骤摘要】
一类含多氟嘧啶芳基脒类化合物、其制备方法及应用
本专利技术属于农用杀菌剂领域，具体涉及一类含多氟嘧啶芳基脒类化合物。
技术介绍
现有农药的长期使用，导致了病害对其产生了抗性，从而使得农药使用量显著增加，对环境造成了严重的破坏。因此要求不断发现具有新的作用机理的新农药，例如对杀虫、杀菌或杀螨具有更高活性的新农药。PCT专利申请WO2007031508、WO2008110313、WO2008110314、WO2008110278、WO2008110279、WO2008110280、WO2008110281、WO2007061966、WO2008128639、WO2009083105、WO2009156098、WO2009088103、WO2012025450、WO2012090969公开了脒类化合物在防治作物病害上有一定效果。现有技术未公开本申请所述化合物，也未公开本申请所述化合物在杀菌上的活性。
技术实现思路
本专利技术提供一类含多氟嘧啶芳基脒类化合物，具有如下通式F-1：其中：R4、R5独立地选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基；R6选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基；R选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基和C1-C20卤代烷硫基中的至少一个取代的苯基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基和C1-C20卤代烷硫基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻酚基、呋喃基或噻唑基；Q1选自以下Q1-1至Q1-4所述结构中的一种：其中：K1、K2独立选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基；G独立地选自氢、羟甲基、卤代羟甲基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基；n选自0～5的整数。本专利技术提供的通式F-1所示的化合物，其取代基R4、R5可以独立地选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基。优选的是，所述R4、R5独立地选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10环烷基、C1-C10卤代环烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷氧基、C1-C10烷硫基、C1-C10卤代烷硫基。进一步优选的是，所述R4、R5独立地选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6环烷基、C1-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基。更进一步优选的是，所述R4、R5独立地选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基、C1-C3环烷基、C1-C3卤代环烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷氧基、C1-C3烷硫基、C1-C3卤代烷硫基。再更进一步优选的是，所述R4、R5独立地选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C3烷基、C1-C3环烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3烷硫基。最为优选的是，所述R4、R5独立地选自氢、氟、氯、硝基、氰基、甲基、乙基。本专利技术提供的通式F-1所示的化合物，其取代基R6可以选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基。优选的是，所述R6选自氢、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷氧基、C1-C10烷硫基、C1-C10卤代烷硫基。进一步优选的是，所述R6选自氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基。更进一步优选的是，所述R6选自氢、C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷氧基、C1-C3烷硫基、C1-C3卤代烷硫基。再更进一步优选的是，所述R6选自氢、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3烷硫基。最为优选的是，所述R6选自氢、C1-C3烷基。本专利技术提供的通式F-1所示的化合物，其取代基R可以选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基和C1-C20卤代烷硫基中的至少一个取代的苯基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基和C1-C20卤代烷硫基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻酚基、呋喃基或噻唑基。优选的是，所述R选自氢、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷氧基、C1-C10环烷基、C1-C10卤代环烷基、C1-C10烷硫基、C1-C10卤代烷硫基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10环烷基、C1-C10卤代环烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷氧基、C1-C10烷硫基和C1-C10卤代烷硫基中的至少一个取代的苯基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10环烷基、C1-C10卤代环烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷氧基、C1-C10烷硫基和C1-C10卤代烷硫基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻酚基、呋喃基或噻唑基。进一步优选的是，所述R选自氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6环烷基、C1-C6卤代环烷基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6环烷基、C1-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基和C1-C6卤代烷硫基中的至少一个取代的苯基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6环烷基、C1-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基和C1-C6卤代烷硫基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻酚基、呋喃基或噻唑基。更本文档来自技高网...

【技术保护点】
一类含多氟嘧啶芳基脒类化合物，具有如下通式F‑1：

【技术特征摘要】
1.一类含多氟嘧啶芳基脒类化合物，具有如下通式F-1：其中：R4、R5独立地选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基；R6选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基；R选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷硫基、C1-C20卤代烷硫基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基和C1-C20卤代烷硫基中的至少一个取代的苯基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基、C1-C20环烷基、C1-C20卤代环烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20卤代烷氧基、C1-C20烷硫基和C1-C20卤代烷硫基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻酚基、呋喃基或噻唑基；Q1选自以下Q1-1至Q1-4所述结构中的一种：其中：K1、K2独立选自氢、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基；G独立地选自氢、羟甲基、卤代羟甲基、C1-C20烷基、C1-C20卤代烷基；n选自0～5的整数。2.按照权利要求1所述的含多氟嘧啶芳基脒类化合物，其特征在于所述通式F-1中：R4、R5独立地选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10环烷基、C1-C10卤代环烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷氧基、C1-C10烷硫基、C1-C10卤代烷硫基；R6选自氢、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷氧基、C1-C10烷硫基、C1-C10卤代烷硫基；R选自氢、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷氧基、C1-C10环烷基、C1-C10卤代环烷基、C1-C10烷硫基、C1-C10卤代烷硫基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10环烷基、C1-C10卤代环烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷氧基、C1-C10烷硫基和C1-C10卤代烷硫基中的至少一个取代的苯基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基、C1-C10环烷基、C1-C10卤代环烷基、C1-C10烷氧基、C1-C10卤代烷氧基、C1-C10烷硫基和C1-C10卤代烷硫基中的至少一个取代的吡啶基、吡唑基、噻酚基、呋喃基或噻唑基；K1、K2独立选自氢、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基；G独立地选自氢、羟甲基、卤代羟甲基、C1-C10烷基、C1-C10卤代烷基；n选自0～4的整数。3.按照权利要求2所述的含多氟嘧啶芳基脒类化合物，其特征在于所述通式F-1中：R4、R5独立地选自氢、卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6环烷基、C1-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基；R6选自氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基；R选自氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6环烷基、C1-C6卤代环烷基、C1-C6烷硫基、C1-C6卤代烷硫基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6环烷基、C1-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C1-C6烷硫基和C1-C6卤代烷硫基中的至少一个取代的苯基；被选自卤素、硝基、氰基、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6环烷基、C1-C6卤代环烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷氧基、C...

【专利技术属性】
技术研发人员：许天明，胡伟群，郑志文，张蕊蕊，黄红英，朱卫刚，孔小林，魏优昌，
申请(专利权)人：浙江省化工研究院有限公司，中化蓝天集团有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33