The invention provides a chemical bath deposition device, a deposition method and a waste liquid recovery system. The chemical bath deposition device includes a cadmium sulfide reaction tank, a waste liquid storage tank, a refrigeration device, a filter device, a chemical liquid storage tank and a supplementary feeding device, and a waste liquid storage tank is connected with the outlet of a cadmium sulfide reaction slot; The liquid outlet of the liquid storage tank is connected with the inlet of the refrigerating device; the outlet of the refrigerating device is connected with the inlet port of the filter; the outlet of the filter is connected with the inlet of the chemical liquid storage tank; the supplementary feeding device is used to fill the chemical in the chemical liquid storage tank; the reaction of the chemical liquid storage tank and the reaction of the cadmium sulfide The inlet of the groove is connected to the inlet of the liquid. The chemical bath deposition device, the deposition method and the waste liquid recovery system are used to refrigerate and filter the waste liquid, to supplement the chemical raw material, and to get the same chemical liquid as the original liquid. Compared with the existing technology, the recycling of waste liquid is greatly improved and the production cost is reduced.
【技术实现步骤摘要】
化学浴沉积装置及其沉积方法、废液回收系统
本专利技术涉及太阳能电池的生产技术,尤其涉及一种化学浴沉积装置及其沉积方法、废液回收系统。
技术介绍
铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池技术作为最先进的薄膜发电技术之一,具有非常广阔的产业化前景。其产品可以基于刚性玻璃的大尺寸基板,在光照强烈的地方建造光伏发电站,也可用于建筑幕墙,光伏建筑一体化(BIPV)等。同时,铜铟镓硒光伏组件也可做成柔性小尺寸产品,其轻柔薄的特性可以使其在便携式发电产品中脱颖而出,如薄膜发电纸,发电背包等。在生产CIGS光伏组件的过程中,硫化镉(CdS)是迄今为止发现的最佳n结缓冲层材料。CdS层与CIGS层间的界面即为p-n结,用于光吸收后产生的激子的分离,因此CdS层沉积的效果,尤其是致密性对组件的效率影响很大。现有的CdS沉积过程主要包括化学品预混合,硫脲加入,化学品加热,基板CdS生长,取出基板,排放废液等几大步骤。现有的CdS沉积技术主要基于化学水浴沉积方法,即ChemicalBathDeposition(CBD)(化学浴沉积装置)。在加入硫脲至硫酸镉和氨水的混合液后,便开始发生化学反应,即有硫化镉粒子生成。一般来说,基板必须在此之前加入到化学品溶液中,并保证化学液的流场及温度在基板的各个角落均匀且稳定。反应结束后,化学品随即排放至废液槽,进入废液处理系统,并最终排放。由于CdS层的厚度仅为50nm左右,在反应结束后,化学液中除了已生成的漂浮在液体中的CdS粒子外,还有大量未反应的化学品,包括硫酸镉,硫脲及氨水。由于废液在排放时还处在反应温度(约60摄氏度),化学反应还在持续进行,且较 ...
【技术保护点】
一种化学浴沉积装置,包括硫化镉反应槽,其特征在于,所述化学浴沉积装置还包括:废液储存槽、制冷装置、过滤装置、化学液储存槽和补充供药装置;所述废液储存槽的进液口与所述硫化镉反应槽的出液口相连;所述废液储存槽的出液口与所述制冷装置的进液口相连;所述制冷装置的出液口与所述过滤装置的进液口相连;所述过滤装置的出液口与所述化学液储存槽的进液口相连;所述补充供药装置用于向所述化学液储存槽补入化学品;所述化学液储存槽的出液口与所述硫化镉反应槽的进液口相连。
【技术特征摘要】
1.一种化学浴沉积装置,包括硫化镉反应槽,其特征在于,所述化学浴沉积装置还包括:废液储存槽、制冷装置、过滤装置、化学液储存槽和补充供药装置;所述废液储存槽的进液口与所述硫化镉反应槽的出液口相连;所述废液储存槽的出液口与所述制冷装置的进液口相连;所述制冷装置的出液口与所述过滤装置的进液口相连;所述过滤装置的出液口与所述化学液储存槽的进液口相连;所述补充供药装置用于向所述化学液储存槽补入化学品;所述化学液储存槽的出液口与所述硫化镉反应槽的进液口相连。2.根据权利要求1所述的化学浴沉积装置,其特征在于,还包括:冷却装置,包覆在所述废液储存槽的外壁上。3.根据权利要求2所述的化学浴沉积装置,其特征在于,所述冷却装置中的冷却液为水。4.根据权利要求1所述的化学浴沉积装置,其特征在于,所述化学液储存槽的出液口与所述硫化镉反应槽的进液口之间设置有第一调节阀;所述化学液储存槽的进液口与所述补充供药装置的出液口之间设置有第二调节阀。5.根据权利要求4所述的化学浴沉积装置,其特征在于,还包括电导率检测仪,设置在所述化学液储存槽中,用于测量所述化学液储存槽中的化学液的电导率。6.根据权利要求5所述的化学浴沉积装置,其特征在于,还包括控制装置,用于根据所述电导率检测仪测量得到的电导率控制所述第二调节阀的启闭。7.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:王磊,
申请(专利权)人:北京铂阳顶荣光伏科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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