化学气相沉积装置及其使用方法制造方法及图纸

一种化学气相沉积装置及其使用方法，其中，所述化学气相沉积装置，包括：反应腔；自反应腔顶部贯穿入所述反应腔内的喷淋组件；位于所述喷淋组件至少一侧的基座，所述基底包括装载面，所述基座具有工作位置状态，在所述基底处于工作位置状态时，所述装载面垂直于水平面，且所述装载面朝向所述喷淋组件侧壁。使用所述化学气相沉积装置在芯片表面形成的薄膜性能较好。

Chemical vapor deposition equipment and its use method

A chemical vapor deposition device and a method for using the chemical vapor deposition device, including a reaction chamber, a spray assembly that penetrates the reaction chamber at the top of the reflexive cavity, located at at least one side of the spray assembly, and the base includes a loading face, the base has a working position state, and the base has a working position state, and the base has a working position state, When the substrate is in the working position state, the loading surface is perpendicular to the horizontal surface, and the loading face faces the side wall of the spray assembly. The film formed on the chip surface by using the chemical vapor deposition device has better performance.

【技术实现步骤摘要】
化学气相沉积装置及其使用方法
本专利技术涉及化学气相沉积
，特别涉及一种化学气相沉积装置及其使用方法。
技术介绍
化学气相沉积(Chemicalvapordeposition，CVD)是反应物在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术，其通过化学气相沉积装置得以实现。具体地，化学气相沉积装置通过进气装置将反应气体通入反应室内，并控制反应室内的压强、温度等反应条件，使得反应气体发生反应，从而完成沉积工艺步骤。然而，利用现有的化学气相沉积装置制备的薄膜性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种化学气相沉积装置及其使用方法，以提高利用该化学气相沉积装置形成薄膜的性能。为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种化学气相沉积装置，包括：反应腔；自反应腔顶部贯穿入所述反应腔内的喷淋组件；位于所述喷淋组件至少一侧的基座，所述基座包括装载面，所述基座具有工作位置状态，所述基座位于工作位置状态时，所述装载面垂直于水平面，且所述装载面朝向所述喷淋组件侧壁。可选的，所述基座还具有装载位置状态，所述基底位于装载位置状态时，所述装载面平行于水平面，且所述装载面垂直于喷淋组件侧壁。可选的，所述基座通过连接部与反应腔底部相连，且所述基座可绕连接部旋转，以实现装载位置和工作位置之间的相互切换；所述连接部包括转子式永磁磁力传动装置。可选的，所述基座的个数大于1个时，若干基座位于喷淋组件的周围，且若干基座为工作位置状态时，若干装载面均朝向喷淋组件的侧壁。可选的，所述化学气相沉积工艺装置还包括：反应气体的传输装置；所述喷淋组件包括位于所述反应腔内的喷头，所述喷头沿垂直于水平面的方向上具有固定于反应腔顶部的第一面；所述喷淋组件还包括进气通道，所述进气通道一端经喷头第一面插入喷头内，所述进气通道另一端与反应气体的传输装置相连。可选的，所述喷头包括分别位于进气通道两侧的第一喷头部和第二喷头部；所述第一喷头部包括第一加热器和位于所述加热器表面的第一等流板，沿平行于第一等流板表面的方向上，所述第一等流板包括第一密集区和位于第一密集区周围的第一周围区；所述第二喷头部包括第二加热器和位于第二加热器表面的第二等流板，沿平行于第二等流板表面的方向上，所述第二等流板包括第二密集区和位于第二密集区周围的第二周围区；所述进气通道包括第一进气管和第二进气管，其中第一进气管与所述第一喷头部的第一密集区连接，第二进气管与第二喷头部第二密集区连接。可选的，所述第一等流板内具有贯穿第一等流板的第一通孔，第一密集区内的第一通孔的孔径小于第一周围区第一通孔的孔径；所述第二等流板内具有贯穿第二等流板的第二通孔，第二密集区内的第二通孔的孔径小于第二周围区第二通孔的孔径。可选的，所述基座为高温静电吸附基座。可选的，所述基座的装载面用于装载芯片。本专利技术还提供一种化学气相沉积装置的使用方法，包括：提供上述化学气相沉积工艺装置；提供芯片；当所述基座置于装载位置状态时，将所述芯片装载于基座的装载面上；装载芯片之后，将所述基座和芯片置于工作位置状态，使所述芯片的表面垂直于水平面，且所述芯片的表面朝向喷淋组件；将所述基座切换到工作位置状态之后，通入反应气体，所述反应气体通过喷淋组件后，在所述芯片表面形成薄膜。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：本专利技术技术方案提供的化学气相沉积装置的使用方法中，将所述基座和芯片置于工作位置状态，使芯片的表面垂直于水平面，且所述芯片的表面朝向喷淋组件的侧壁。后续在所述芯片表面形成薄膜的过程中，即使反应气体在到达芯片表面之前结合为颗粒物，所述颗粒物受重力的作用发生跌落。但是，由于芯片的表面垂直于水平面，使得颗粒物不会跌落在薄膜的表面，使得颗粒物对薄膜的性能影响较小，有利于提高薄膜的性能。进一步，所述喷淋组件包括喷头，所述喷头包括位于进气通道两侧的第一喷头部和第二喷头部，所述进气管道包括第一进气管和第二进气管，其中第一进气管与第一喷头部连接，第二进气管与第二喷头部连接。通过分别控制第一进气管和第二进气管的流量，以分别在喷淋组件两侧的芯片上形成符合要求的薄膜。进一步，所述第一喷头部包括第一加热器和位于第一加热器表面的第一等流板。所述第一等流版沿平行于第一等流板表面的方向上具有第一密集区和第一周围区，第一进气管与第一喷头的第一密集区连接。所述第一等流板内具有贯穿第一等流版的第一通孔，第一密集区的第一通孔的孔径小于第一周围区第一通孔的孔径，使得反应气体通过第一等流板之后，第一密集区和第一周围区流出的反应气体的流量差异较小，使得在与第一喷头部相对的芯片上形成的薄膜的厚度差异性较小。进一步，所述第二喷头部包括第二加热器和位于第二加热器表面的第二等流板。所述第二等流板沿平行于第二等流板表面的方向上具有第二密集区和第二周围区，第二进气管与第二喷头的第二密集区连接。所述第二等流板内具有贯穿第二等流版的第二通孔，第二密集区的第二通孔的孔径小于第二周围区第二通孔的孔径，使得反应气体通过第二等流板之后，第二密集区和第二周围区流出的反应气体的流量差异较小，使得在与第二喷头部相对的芯片上形成的薄膜的厚度差异性较小。进一步，所述基座可绕平行于喷淋组件侧壁的水平方向上旋转，有利于对整个芯片区域进行沉积形成所述薄膜。附图说明图1是一种化学气相沉积装置的结构示意图；图2是本专利技术化学气相沉积装置的结构示意图；图3是本专利技术化学气相沉积装置中喷淋组件的放大图；图4是图3沿A-A1线的剖面示意图；图5是本专利技术化学气相沉积装置中基座的仰视图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，使用现有技术气相沉积装置形成的薄膜性能较差。图1是一种化学气相沉积装置的结构示意图。请参考图1，反应腔100，所述反应腔100包括第一区A和第二区B；位于第一区A反应腔100内的第一化学气相沉积部，所述第一化学气相沉积部包括：位于第一区A反应腔100顶部具有第一喷淋组件101；与所述第一喷淋组件101相对设置在反应腔100底部的第一加热器102；位于第一加热器102表面的第一芯片103，所述第一芯片103的表面与第一喷淋组件101的表面相对；位于第二区B反应腔体100内的第二化学气相沉积部，所述第二化学气相沉积部包括：位于第二区B反应腔100顶部具有第二喷淋组件(图中未标出)；与所述第二喷淋组件相对设置在反应腔100底部的第二加热器(图中未标出)；位于第二加热器表面的第二芯片(图中未标出)，所述第二芯片的表面与第二喷淋组件的表面相对。上述化学气相沉积装置中，为了同时处理两片芯片，在反应腔100内设置第一气相沉积部和第二气相沉积部，所述第一气相沉积部用于处理第一芯片103，在所述第一芯片103表面形成第一薄膜104，所述第二气相沉积部用于处理第二芯片，在所述第二芯片表面形成第二薄膜。以所述第一化学气相沉积部为例，说明第一薄膜104的成膜过程。具体如下：用于形成第一薄膜104的反应气体通过第一喷淋组件101，在第一芯片103表面形成第一薄膜104。同样的，利用第二化学气相沉积部在第二芯片表面形成第二薄膜。然而，在形成第一薄膜104的过程中，部分反应气体在到达第一芯片103表面之前已经相互反应形成颗粒物。由于第一喷淋组件101表面与第一芯片103的表面相对，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：反应腔；自反应腔顶部贯穿入所述反应腔内的喷淋组件；位于所述喷淋组件至少一侧的基座，所述基座包括装载面，所述基座具有工作位置状态，所述基座位于工作位置状态时，所述装载面垂直于水平面，且所述装载面朝向所述喷淋组件侧壁。

【技术特征摘要】
1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：反应腔；自反应腔顶部贯穿入所述反应腔内的喷淋组件；位于所述喷淋组件至少一侧的基座，所述基座包括装载面，所述基座具有工作位置状态，所述基座位于工作位置状态时，所述装载面垂直于水平面，且所述装载面朝向所述喷淋组件侧壁。2.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述基座还具有装载位置状态，所述基底位于装载位置状态时，所述装载面平行于水平面，且所述装载面垂直于喷淋组件侧壁。3.如权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述基座通过连接部与反应腔底部相连，且所述基座可绕连接部旋转，以实现装载位置和工作位置之间的相互切换；所述连接部包括转子式永磁磁力传动装置。4.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述基座的个数大于1个时，若干基座位于喷淋组件的周围，且若干基座为工作位置状态时，若干装载面均朝向喷淋组件的侧壁。5.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述化学气相沉积工艺装置还包括：反应气体的传输装置；所述喷淋组件包括位于所述反应腔内的喷头，所述喷头沿垂直于水平面方向上具有固定于反应腔顶部的第一面；所述喷淋组件还包括进气通道，所述进气通道一端经喷头第一面插入喷头内，所述进气通道另一端与反应气体的传输装置相连。6.如权利要求5所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述喷头包括分别位于进气通道两侧的第一喷头部和第二喷头部；所述第一喷头部包括第一加热...

【专利技术属性】
技术研发人员：常传栋，吴孝哲，林宗贤，吴龙江，薛超，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32