一种芯片平坦化工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体芯片的制作工艺，一种芯片平坦化工艺，包括如下步骤：步骤1.清洗：完成晶体基片的清洗；步骤2.镀金属膜：在晶体基片表面镀金属膜，并完成金属膜的沉积；步骤3.光刻：在金属膜表面完成光刻胶的涂布、曝光、显影，并且确保显影后光刻胶剖面结构为凹槽；步骤4.干刻刻蚀铝膜：刻掉未被光刻胶保护的金属膜，并且保留光刻胶不要剥离；步骤5.沉积二氧化硅：控制二氧化硅沉积厚度，使二氧化硅与金属膜等厚度；步骤6.剥离多余二氧化硅：浸泡酒精，剥离掉光刻胶，剥离掉多余二氧化硅；步骤7.再次沉积二氧化硅完成平坦化：再次沉积一层二氧化硅，完成芯片的平坦化。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片平坦化工艺
本专利技术涉及半导体芯片的制作工艺，特别是一种芯片表面平坦化的工艺。
技术介绍
随着科技的突飞猛进的发展，半导体芯片的小型化、集成化成为不可回避的问题。传统的半导体芯片的平坦化工艺主要是反刻平坦化、玻璃回流法、旋涂玻璃法与化学机械平坦化。这几种传统的平坦化工艺增大了芯片损伤的风险。平坦化工艺是由于半导体芯片的工艺过程中出现表面凹凸不平，而采取的物理、化学方法，从而完成半导体表面的平坦。本专利技术立足于现有平坦化工艺，减少了工艺步骤以及对芯品的损伤。传统的平坦化工艺，在工艺流程上引入了机械力、高温等，增大了微小的芯片损伤的风险。本专利技术立足于现有平坦化工艺，从现有常规的半导体工艺汲取知识，完成了无机械力、低温、低技术壁垒的“剥离法”平坦化工艺，降低了操作的难度及芯片损伤。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种芯片平坦化工艺，本工艺可将芯片平坦化的同时降低操作难度，避免损伤芯片。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种芯片平坦化工艺，包括如下步骤：步骤1.清洗：完成晶体基片的清洗；步骤2.镀金属膜：在晶体基片表面镀金属膜，并完成金属膜的沉积；步骤3.光刻：在金属膜表面完成光刻胶的涂布、曝光、显影，并且确保显影后光刻胶剖面结构为凹槽；步骤4.干刻刻蚀铝膜：刻掉未被光刻胶保护的金属膜，并且保留光刻胶不要剥离；步骤5.沉积二氧化硅：控制二氧化硅沉积厚度，使二氧化硅与金属膜等厚度；步骤6.剥离多余二氧化硅：浸泡酒精，剥离掉光刻胶，剥离掉多余二氧化硅；步骤7.再次沉积二氧化硅完成平坦化：再次沉积一层二氧化硅，完成芯片的平坦化。作为优选的，所述金属膜为铝膜。作为优选的，所述凹槽为倒梯形。作为优选的，在步骤5中的未被光刻胶保护的金属膜采用干法刻蚀刻掉。使用本专利技术的有益效果是：平坦化工艺作为半导体芯片的不可或缺的一步，占有举足轻重的地位。本专利技术利用剥离法剥离多余的二氧化硅完成平坦化工艺，减少了器件的损伤，简化了工艺流程，其具有以下主要优点：1.一种新型的工艺方法完成产品的平坦化。2.减少了工艺过程中器件的损伤，降低了工艺难度。附图说明图1为本专利技术一种芯片平坦化工艺的工艺流程图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术进行详细的描述。结合图1所示，本实施例提供一种芯片平坦化工艺，包括如下步骤：步骤1.清洗：完成晶体基片的清洗；步骤2.镀金属膜：在晶体基片表面镀金属膜，并完成金属膜的沉积；步骤3.光刻：在金属膜表面完成光刻胶的涂布、曝光、显影，并且确保显影后光刻胶剖面结构为凹槽；步骤4.干刻刻蚀铝膜：刻掉未被光刻胶保护的金属膜，并且保留光刻胶不要剥离；步骤5.沉积二氧化硅：控制二氧化硅沉积厚度，使二氧化硅与金属膜等厚度；步骤6.剥离多余二氧化硅：浸泡酒精，剥离掉光刻胶，剥离掉多余二氧化硅；步骤7.再次沉积二氧化硅完成平坦化：再次沉积一层二氧化硅，完成芯片的平坦化。其中，金属膜为铝膜。凹槽为倒梯形。在步骤5中的未被光刻胶保护的金属膜采用干法刻蚀刻掉。本专利技术的核心措施在光刻工艺形成“倒梯形”与干法刻蚀的搭配。光刻胶的“倒梯形”是剥离多余二氧化硅的关键，通过选取特定光刻胶与相应工艺方法，经曝光、显影后完成光刻胶“倒梯形”的形成。利用的干法刻蚀高效的腐蚀速率、忽略不计的侧向腐蚀，“剥离法”平坦化工艺利用干法刻蚀完成铝膜的刻蚀，并且保留下铝膜上的光刻胶。平坦化工艺作为半导体芯片的不可或缺的一步，占有举足轻重的地位。本专利技术利用剥离法剥离多余的二氧化硅完成平坦化工艺，减少了器件的损伤，简化了工艺流程。本工艺方法完成产品的平坦化。减少了工艺过程中器件的损伤，降低了工艺难度。实施例1本专利技术提供一个实施例。一种芯片平坦化工艺：1.清洗：采用浓硫酸+双氧水浸泡4小时去除压电材料有机物与金属杂质，通过冲洗与兆声清洗去除微小颗粒，完成晶片的清洗；2.镀金属膜：使用磁控溅射镀膜设备，镀厚度为2000埃的铝膜；3.匀胶：以转速5000转/分旋涂一层粘度14CPS的正性光刻胶，烘箱90℃加热20分钟，胶厚10000埃左右；4.光刻：使用STEPPER曝光机，选择合适的曝光量完成光刻胶的曝光；5.显影：浸泡氯苯，而后使用含量2.38％的TMAH的显影液显影，烘箱90℃加热20分钟，光刻胶的剖面形成带有凸沿的“倒梯形”结构；6.干刻刻蚀铝膜：利用干法刻蚀刻掉未被光刻胶保护的铝，并且保留光刻胶不要剥离；7.沉积二氧化硅：利用磁控溅射镀2000埃厚度的二氧化硅，使其与铝膜等厚度；8.剥离多余二氧化硅：浸泡酒精，超声波剥离掉光刻胶，也即剥离掉多余二氧化硅；9.再次沉积二氧化硅完成平坦化：再次沉积5000埃厚度二氧化硅，完成芯片的平坦化。另外，本方法提供的芯片平台化工艺还具有以下设计关键因素和适用范围：1.显影后留下的光刻胶的“倒梯形”直接影响剥离效果，进而影响平坦化效果，选择极大程度符合本工艺方法思路的光刻胶，理论上可以达到高精度的平坦化程度。2.本专利技术同样适用于干法刻蚀的其它金属的制作。3.本工艺同样适用于沉积、剥离除二氧化硅外的其它的绝缘介质。以上内容仅为本专利技术的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本专利技术的思想，在具体实施方式及应用范围上可以作出许多变化，只要这些变化未脱离本专利技术的构思，均属于本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片平坦化工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1.清洗：完成晶体基片的清洗；步骤2.镀金属膜：在晶体基片表面镀金属膜，并完成金属膜的沉积；步骤3.光刻：在金属膜表面完成光刻胶的涂布、曝光、显影，并且确保显影后光刻胶剖面结构为凹槽；步骤4.干刻刻蚀铝膜：刻掉未被光刻胶保护的金属膜，并且保留光刻胶不要剥离；步骤5.沉积二氧化硅：控制二氧化硅沉积厚度，使二氧化硅与金属膜等厚度；步骤6.剥离多余二氧化硅：浸泡酒精，剥离掉光刻胶，剥离掉多余二氧化硅；步骤7.再次沉积二氧化硅完成平坦化：再次沉积一层二氧化硅，完成芯片的平坦化。

【技术特征摘要】
1.一种芯片平坦化工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1.清洗：完成晶体基片的清洗；步骤2.镀金属膜：在晶体基片表面镀金属膜，并完成金属膜的沉积；步骤3.光刻：在金属膜表面完成光刻胶的涂布、曝光、显影，并且确保显影后光刻胶剖面结构为凹槽；步骤4.干刻刻蚀铝膜：刻掉未被光刻胶保护的金属膜，并且保留光刻胶不要剥离；步骤5.沉积二氧化硅：控制二氧化硅沉积厚度，使二氧化硅与金属膜等厚度；步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：张少华，李善斌，刘绍侃，蒋燕港，
申请(专利权)人：深圳华远微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44