一种晶圆管芯通态压降的测量方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种晶圆管芯通态压降的测量方法及装置。其中，该测量方法包括：逐一单独向当前被测管芯中的每颗管芯的第一极施加电流，逐一获取每颗管芯对应的第一电压值；将当前被测管芯分成至少一个管芯组，任一管芯组包括至少两颗管芯；以管芯组为单位，逐步向每一管芯组内的所有管芯的第一极同时施加电流，获取每一管芯组内的每颗管芯对应的第二电压值；根据同一管芯组内的所有管芯对应的第一电压值和第二电压值，确定同一管芯组内的至少一颗管芯的通态压降；其中，每颗管芯对应的第一电压值和第二电压值均为管芯的第一极与载片台之间的电压。本发明专利技术实施例可以提高晶圆管芯通态压降测量的准确性。

A method and device for measuring on state pressure drop of wafer core

The embodiment of the invention discloses a method and device for measuring the state pressure drop of a wafer core. The measurement method includes: applying the current to the first pole of each tube core in the tube core one by one separately, obtaining the first voltage value corresponding to each tube one by one, dividing the current tube core into at least one tube core group, and the core group includes at least two tubes, and the core group is the unit, gradually to each tube. At the same time, the first pole of all the cores in the core group is applied at the same time to obtain the second voltage value corresponding to each core in each core group. According to the first voltage value and the second voltage value corresponding to all the cores in the same core group, the general pressure drop of at least one core in the same core group is determined; in this case, each core is corresponding to the core. The first voltage value and the second voltage value are the voltages between the first pole of the core and the carrier stage. The embodiment of the invention can improve the accuracy of measuring the state pressure drop of the wafer core.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆管芯通态压降的测量方法及装置
本专利技术涉及集成电路测试技术，尤其涉及一种晶圆管芯通态压降的测量方法及装置。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。晶圆测试，需要配置有模拟电压/电流源表的自动测试设备和载放晶圆的专用设备——探针台。晶圆中包含有多颗管芯，需要测试每颗管芯的管芯通态压降。晶圆的背面是一个公共电极，若晶圆是肖特基晶圆，该公共电极可以是在晶圆内部，所有管芯的阴极相连，并通过晶圆的背面的公共电极引出，晶圆的顶面将各管芯的阳极分别引出；若晶圆是MOSFET晶圆，该公共电极可以是在晶圆内部，所有管芯的漏极相连，并通过晶圆的背面的公共电极引出，晶圆的正面将各管芯的源极和栅极分别引出。以测量肖特基晶圆的管芯通态压降为例，在待测晶圆测试时，真空吸嘴将晶圆吸附在探针台的载片台上，使得待测晶圆的背面的公共电极与载片台相连。载片台具有良好的导电特性。将电压表的正极，以及电流源的正极均与管芯的阳极连接，将电压表的负极，以及电流源的负极均与载片台连接。将电压表的测量值作为被测管芯的管芯压降。由于晶圆的背面的公共电极与探针台吸盘之间存在接触电阻，导致电压表的测量值包括晶圆的背面的公共电极与探针台吸盘之间存在接触电阻上的压降，并非被测管芯的实际管芯压降，故测量误差较大。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种晶圆管芯通态压降的测量方法及装置，以实现晶圆管芯压降的准确测量。第一方面，本专利技术实施例提供了一种晶圆管芯通态压降的测量方法，待测晶圆包括多颗管芯，待测晶圆的多颗管芯的第一极位于待测晶圆的正面，待测晶圆的多颗管芯的第二极相连，并通过待测晶圆的背面的公共电极与载片台相连，该方法包括：逐一单独向当前被测管芯中的每颗管芯的第一极施加电流，逐一获取每颗管芯对应的第一电压值；将当前被测管芯分成至少一个管芯组，任一管芯组包括至少两颗管芯；以管芯组为单位，逐步向每一管芯组内的所有管芯的第一极同时施加电流，获取每一管芯组内的每颗管芯对应的第二电压值；根据同一管芯组内的所有管芯对应的第一电压值和第二电压值，确定同一管芯组内的至少一颗管芯的通态压降；其中，当前被测管芯为当前与测试探针一一对应电连接的被测管芯，每颗管芯对应的第一电压值和第二电压值均为管芯的第一极与载片台之间的电压。进一步地，至少一个管芯组包括第一管芯组，第一管芯组内的第i颗管芯的通态压降为其中，i＝1、2……N，第一管芯组的管芯数量为N，第一管芯组内的每颗管芯对应的第一电压值分别为VM1、VM2……VMN，第一管芯组内的每颗管芯对应的第二电压值分别为VM1'、VM2'……VMN'。进一步地，任一测试探针在获取第一电压值和第二电压值时，向其对应的管芯的第一极施加的电流相等。进一步地，还包括：通过接口函数，从探针台获取当前被测管芯的编号和数量。进一步地，在将当前被测管芯分成至少一个管芯组之前，还包括：判断当前被测管芯的数量是否大于或等于2；若当前被测管芯的数量大于或等于2，将当前被测管芯分成至少一个管芯组。进一步地，任一管芯组包括两颗管芯，若当前被测管芯的数量为偶数，则任意两个管芯组的交集为空集；若当前被测管芯的数量为奇数，则仅有两个管芯组的交集不为空集，其他任意两个管芯组的交集为空集。进一步地，至少存在一颗被测管芯对应的测试探针向与其对应管芯的第一极施加的电流的实际值和给定值之间的误差大于预设误差。进一步地，待测晶圆通过真空吸嘴，吸附在载片台上；该测量方法还包括：在对当前被测管芯的测量完成后，若预设管芯测试范围内的所有管芯未测试完成，则将载片台沿第一方向移动第一预设距离，或者，将载片台沿第二方向移动第二预设距离，以测量其余管芯的通态压降，其中，第一方向与第二方向垂直，第一方向和第二方向所在平面与待测晶圆的正面平行。进一步地，管芯均为二极管或MOSFET管。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种晶圆管芯通态压降的测量装置，用于执行本专利技术任意实施例提供的晶圆管芯通态压降的测量方法，该测量装置包括：探针台和自动测试设备，探针台包括载片台、探针卡、固定机构、驱动机构和主机；其中，载片台上设置有真空吸嘴，载片台用于通过真空吸嘴吸附待测晶圆的背面，将待测晶圆固定在载片台上；探针卡的第一表面设置有预设组数的测试探针，每组测试探针可对应一颗管芯，测试探针与待测晶圆的管芯的第一极电连接；探针卡的第二表面通过第一驱动信号线和第一测量信号线与自动测试设备电连接；每组测试探针包括第一驱动探针和测量探针，第一驱动探针与第一驱动信号线一一对应电连接，测量探针与第一测量信号线一一对应电连接；载片台通过第二驱动信号线和第二测量信号线与自动测试设备电连接；自动测试设备用于向第一驱动信号线和第二驱动信号线所在回路施加电流信号，以及用于获取第一测量信号线和第二测量信号线之间的电压值；固定机构，与探针卡连接，用于固定探针卡；驱动机构，与载片台连接，用于调整载片台的位置；主机用于设置待测晶圆的管芯测试范围；自动测试设备，与主机通过接口电路电连接，与驱动机构电连接，用于通过接口函数，获取当前被测管芯的编号和数量，以及用于在当前被测管芯的测量完成后，控制驱动机构的移动。本专利技术实施例的技术方案通过逐一单独向当前被测管芯中的每颗管芯的第一极施加电流，逐一获取所述每颗管芯对应的第一电压值；将当前被测管芯分成至少一个管芯组，任一管芯组包括至少两颗管芯；以管芯组为单位，逐步向每一管芯组内的所有管芯的第一极同时施加电流，获取每一管芯组内的每颗管芯对应的第二电压值；根据同一管芯组内的所有管芯对应的第一电压值和第二电压值，确定同一管芯组内的至少一颗管芯的通态压降；可以避免由于待测晶圆与载片台之间无变化规律的接触产生的接触电阻，造成管芯通态压降的测量值包括接触电阻上产生的压降，从而提高了晶圆管芯压降测量的准确性。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种晶圆管芯通态压降的测量方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的一种晶圆管芯通态压降的测量装置的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种晶圆正面的管芯分布示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种自动测试设备的结构示意图；图5为本专利技术实施例提供的又一种自动测试设备的结构示意图；图6为本专利技术实施例提供的又一种晶圆管芯通态压降的测量方法的流程图；图7为本专利技术实施例提供的又一种晶圆管芯通态压降的测量方法的流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。本专利技术实施例提供了一种晶圆管芯通态压降的测量方法，图1为本专利技术实施例提供的一种晶圆管芯通态压降的测量方法的流程图，该方法可以由本专利技术任意实施例提供的晶圆管芯通态压降的测量装置来执行，图2为本专利技术实施例提供的一种晶圆管芯通态压降的测量装置的结构示意图，该方法具体包括如下步骤：步骤110、逐一单独向当前被测管芯中的每颗管芯的第一极施加电流，逐一获取每颗管芯对应的第一电压值。其中，图3为本专利技术实施例提供的一种晶圆正面的管芯分布示意图，图4为本专利技术实施例提供的一种自动测试本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆管芯通态压降的测量方法，其特征在于，待测晶圆包括多颗管芯，所述待测晶圆的多颗管芯的第一极位于所述待测晶圆的正面，所述待测晶圆的多颗管芯的第二极相连，并通过所述待测晶圆的背面的公共电极与载片台相连，该方法包括：逐一单独向当前被测管芯中的每颗管芯的第一极施加电流，逐一获取所述每颗管芯对应的第一电压值；将所述当前被测管芯分成至少一个管芯组，任一管芯组包括至少两颗管芯；以管芯组为单位，逐步向每一管芯组内的所有管芯的第一极同时施加电流，获取每一管芯组内的每颗管芯对应的第二电压值；根据同一管芯组内的所有管芯对应的第一电压值和第二电压值，确定同一管芯组内的至少一颗管芯的通态压降；其中，所述当前被测管芯为当前与测试探针一一对应电连接的被测管芯，所述每颗管芯对应的第一电压值和第二电压值均为管芯的第一极与所述载片台之间的电压。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆管芯通态压降的测量方法，其特征在于，待测晶圆包括多颗管芯，所述待测晶圆的多颗管芯的第一极位于所述待测晶圆的正面，所述待测晶圆的多颗管芯的第二极相连，并通过所述待测晶圆的背面的公共电极与载片台相连，该方法包括：逐一单独向当前被测管芯中的每颗管芯的第一极施加电流，逐一获取所述每颗管芯对应的第一电压值；将所述当前被测管芯分成至少一个管芯组，任一管芯组包括至少两颗管芯；以管芯组为单位，逐步向每一管芯组内的所有管芯的第一极同时施加电流，获取每一管芯组内的每颗管芯对应的第二电压值；根据同一管芯组内的所有管芯对应的第一电压值和第二电压值，确定同一管芯组内的至少一颗管芯的通态压降；其中，所述当前被测管芯为当前与测试探针一一对应电连接的被测管芯，所述每颗管芯对应的第一电压值和第二电压值均为管芯的第一极与所述载片台之间的电压。2.根据权利要求1所述的晶圆管芯通态压降的测量方法，其特征在于，所述至少一个管芯组包括第一管芯组，所述第一管芯组内的第i颗管芯的通态压降为其中，i＝1、2……N，所述第一管芯组的管芯数量为N，第一管芯组内的每颗管芯对应的第一电压值分别为VM1、VM2……VMN，第一管芯组内的每颗管芯对应的第二电压值分别为VM1'、VM2'……VMN'。3.根据权利要求2所述的晶圆管芯通态压降的测量方法，其特征在于，任一测试探针在获取所述第一电压值和所述第二电压值时，向其对应的管芯的第一极施加的电流相等。4.根据权利要求1所述的晶圆管芯通态压降的测量方法，其特征在于，还包括：通过接口函数，从探针台获取所述当前被测管芯的编号和数量。5.根据权利要求4所述的晶圆管芯通态压降的测量方法，其特征在于，在将所述当前被测管芯分成至少一个管芯组之前，还包括：判断所述当前被测管芯的数量是否大于或等于2；若所述当前被测管芯的数量大于或等于2，将所述当前被测管芯分成至少一个管芯组。6.根据权利要求5所述的晶圆管芯通态压降的测量方法，其特征在于，任一管芯组包括两颗管芯，若所述当前被测管芯的数量为偶数，则任意两个管芯组的交集为空集；若所述当前被测管芯的数量为奇数，则仅有两个管芯组的交集不为空集，其他任意两个管芯组的交集为空集。7.根据权利要求1所述的晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝瑞庭，
申请(专利权)人：北京华峰测控技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11