A partially bad block is identified in the 3 D block erasable nonvolatile memory, and the broken blocks of each part have one or more inoperable sets of NAND strings that can be individually selected and one or more operable sets of NAND strings that can be individually selected. An operable set of NAND strings is identified and mapped in two or more parts of the bad block to form one or more virtual blocks, and one or more virtual blocks are independently assigned to the virtual block addresses. The virtual block address is maintained in the list and used to access the virtual block.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】3-D非易失性存储器中的部分坏的块的操作
本申请涉及可重新编程的非易失性存储器(例如半导体闪存存储器)的操作。
技术介绍
能够对电荷进行非易失性存储的固态存储器(特别是以封装为小形状因数卡的EEPROM和闪存EEPROM的形式)已经成为各种移动和手持设备(尤其是信息电器和消费电子产品)中的存储的选择。与同样为固态存储器的RAM(随机存取存储器)不同,闪存存储器是非易失性的,并且即使在电源被关断之后也保留其存储的数据。另外,与ROM(只读存储器)不同,闪存存储器类似于磁盘存储装置是可重写的。闪存EEPROM类似于EEPROM(电可擦除且可编程只读存储器),在于它是可以被擦除并且将新数据写入或“编程”到它们的存储器单元中的非易失性存储器。两者都利用在场效应晶体管结构中的、设置在半导体基板中的沟道区域之上的、在源极区域与漏极区域之间的浮置(未连接的)导电栅极。然后控制栅极设置在浮置栅极之上。晶体管的阈值电压特性由保留在浮置栅极上的电荷量控制。换言之,对于浮置栅极上的给定的电荷水平,存在要在晶体管被导“通”之前施加到控制栅极的对应的电压(阈值),以允许其源极区域与漏极区域之间的传导。闪存存储器(例如闪存EEPROM)允许同时擦除存储器单元的整个块。浮置栅极可以保持一定范围的电荷,并且因此可以被编程到阈值电压窗口内的任何阈值电压电平(thresholdvoltagelevel)。阈值电压窗口的大小由装置的最小和最大阈值电平界定,装置的最小和最大阈值电平进而对应于可以编程到浮置栅极上的电荷的范围。阈值窗口通常取决于存储器装置的特性、操作条件和历史。原则上,窗口内的每个 ...
【技术保护点】
一种操作3‑D块可擦除非易失性存储器的方法,所述3‑D块可擦除非易失性存储器形成为设置在基板上方的存储器单元的多级,每个块具有并行连接的n个可单独选择的NAND串的集合,所述方法包括:识别多个部分坏的块,每个部分坏的块具有一个或多个不可操作的可单独选择的NAND串的集合和一个或多个可操作的可单独选择的NAND串的集合;在所述部分坏的块内识别可操作的NAND串的集合;从两个或更多个块映射可操作的可单独选择的NAND串的集合,以形成一个或多个虚拟块,每个虚拟块由n个可单独选择的NAND串的集合构成;将虚拟块地址独立地分配到所述一个或多个虚拟块;随后,在列表中维护所述虚拟块地址;以及随后,由所述虚拟块地址存取所述虚拟块。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.29 US 14/869,6861.一种操作3-D块可擦除非易失性存储器的方法,所述3-D块可擦除非易失性存储器形成为设置在基板上方的存储器单元的多级,每个块具有并行连接的n个可单独选择的NAND串的集合,所述方法包括:识别多个部分坏的块,每个部分坏的块具有一个或多个不可操作的可单独选择的NAND串的集合和一个或多个可操作的可单独选择的NAND串的集合;在所述部分坏的块内识别可操作的NAND串的集合;从两个或更多个块映射可操作的可单独选择的NAND串的集合,以形成一个或多个虚拟块,每个虚拟块由n个可单独选择的NAND串的集合构成;将虚拟块地址独立地分配到所述一个或多个虚拟块;随后,在列表中维护所述虚拟块地址;以及随后,由所述虚拟块地址存取所述虚拟块。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储器还包含好的块,所述好的块仅含有可操作的可单独选择的NAND串的集合。3.根据权利要求2所述的方法,其中所述列表是可用块列表,所述可用块列表包含所述好的块的地址,所述好的块和所述虚拟块对于数据的存储是同样可用的。4.根据权利要求2所述的方法,其中使用第一冗余方案将数据存储在所述虚拟块中,并且使用第二冗余方案将数据存储在所述好的块中,所述第一冗余方案具有比所述第二冗余方案更强的纠错能力。5.根据权利要求2所述的方法,其中数据仅以单级单元(SLC)格式存储在所述虚拟块中,并且数据以多级单元(MLC)格式存储在所述好的块中的至少一些中。6.根据权利要求2所述的方法,其中所述存储器还包含坏块,所述坏块含有多于阈值数量的不可操作的可单独选择的NAND串的集合。7.根据权利要求6所述的方法,还包括,维护所述存储器中存储的数据的逻辑到物理映射,所述逻辑到物理映射包含每个好的块的条目、每个部分坏的块的条目,并且不包含任何坏的块的条目。8.根据权利要求1所述的方法,其中独立虚拟块作为单元被标记为废弃,并且随后在多个擦除操作中被擦除,所述多个擦除操作针对含有形成所述独立虚拟块的所述可单独选择的NAND串的集合的所述部分坏的块。9.根据权利要求1所述的方法,其中所述列表是便笺块的列表,所述便笺块仅用于之后被复制到其他位置的小部分数据的短期存储。10.一种操作3-D非易失性存储器的方法,所述3-D非易失性存储器形成为设置在基板上方的以物理块可擦除的存储器单元的多个级,每个物理块具有n个可单独选择的垂直NAND串的集合,所述方法包括:从不能满足测试标准的块之中识别多个部分坏的块,每个部分坏的块具有一个或多个不可操作的可单独选择的NAND串的集合和一个或多个可操作的可单独选择的NAND串的集合;在所述部分坏的块内识别可操作的NAND串的集合;从两个或更多个块映射可操作的可单独选择的NAND串的集合,以形成虚拟块,所述虚拟块由n个可单独选择的NAND串的集合构成;将虚拟块地址分配到所述虚拟块;随后,在备用块列表中维护所述虚拟块地址;以及随后,仅当满足测试...
【专利技术属性】
技术研发人员:D埃亚,I巴兰,A李,M科查尔,M帕利蒂卡,YY恩格,A巴勒拉奥,
申请(专利权)人:桑迪士克科技有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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