This disclosure concerns the Maher Zeng Del modulator and optical link. A Maher modulator Del modulator, including a first optical path, has a first diode coupled to a first voltage signal node and configured to modify the phase of the first light signal transmitted through the first optical path. The other diode is located in the first optical path and configured to introduce phase offset into the first optical signal. The second optical path includes a second diode coupled to a second voltage signal node and configured to modify the phase of the second light signal transmitted through the second optical path. The first voltage signal loaded on the first voltage signal node changes between the second voltage signals loaded on the second voltage signal node each at the reverse bias voltage level and the forward bias voltage level. The optical coupler is coupled to the first optical path and the second optical path.
【技术实现步骤摘要】
马赫-曾德尔调制器和光学链路
本公开涉及光学调制器的领域,并且特别地涉及马赫-曾德尔(Mach-Zehnder)调制器(MZM)的领域。
技术介绍
也被称为Mach-Zehnder干涉仪(MZI)的Mach-Zehnder调制器(MZM)是基于由光耦合器所组合的两个异相光学信号之间的干涉的光学调制器。特别地,光学耦合器的每个输出分支中的光学功率将取决于在耦合器的输入端处光学信号之间的相位差的量。为了在光学信号之间提供可变的相位差,已经提出了通过二极管传播光学信号,跨越二极管施加偏置电压,每个光学信号的相位偏移是所施加的电压电平的函数。以该方式,被施加至二极管的电压信号可以用于产生经调制的光学信号。在接收器处光学信号的成功解调将取决于光学信号的消光比(extinctionratio),换言之光学信号的不同等级之间光强度的差异。在现有的MZM中,为了在光学信号之间提供足够高以实现优良消光比的相位差,通常需要提供相对较长的二极管,例如长度在2和3mm之间。然而,相对较长的二极管的使用具有在表面面积和能耗方面的缺点。因此,在现有技术中需要允许使用减小长度的二极管而同时维持得到的光学信号的相对较高消光比的光学调制器。
技术实现思路
本公开的实施例至少部分地致力于现有技术中的一个或多个需求。根据一个方面,提供了一种Mach-Zehnder调制器(MZM)。第一光学路径包括适用于接收用于修改通过第一光学路径发送的第一光信号的相位的第一电压信号的第一二极管。第二光学路径包括适用于接收用于修改通过第二光学路径发送的第二光学信号的相位的第二电压信号的第二二极管。第一电压信号和第二电压 ...
【技术保护点】
一种马赫‑曾德尔调制器,其特征在于,包括:第一光学路径,包括第一二极管,所述第一二极管耦合至第一电压信号节点并被配置用于修改通过所述第一光学路径所发送的第一光信号的相位;第二光学路径,包括第二二极管,所述第二二极管耦合至第二电压信号节点并被配置用于修改通过所述第二光学路径所发送的第二光信号的相位,其中在所述第一电压信号节点上所承载的第一电压信号与在所述第二电压信号节点上所承载的第二电压信号均在反向偏置电压电平和正向偏置电压电平之间变化;另一二极管,位于所述第一光学路径中并被配置用于将相位偏移引入至所述第一光信号;以及光学耦合器,耦合至所述第一光学路径和所述第二光学路径。
【技术特征摘要】
2017.01.06 FR 17501511.一种马赫-曾德尔调制器,其特征在于,包括:第一光学路径,包括第一二极管,所述第一二极管耦合至第一电压信号节点并被配置用于修改通过所述第一光学路径所发送的第一光信号的相位;第二光学路径,包括第二二极管,所述第二二极管耦合至第二电压信号节点并被配置用于修改通过所述第二光学路径所发送的第二光信号的相位,其中在所述第一电压信号节点上所承载的第一电压信号与在所述第二电压信号节点上所承载的第二电压信号均在反向偏置电压电平和正向偏置电压电平之间变化;另一二极管,位于所述第一光学路径中并被配置用于将相位偏移引入至所述第一光信号;以及光学耦合器,耦合至所述第一光学路径和所述第二光学路径。2.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器,其特征在于,进一步包括驱动电路,所述驱动电路耦合至所述第一电压信号节点和所述第二电压信号节点并被配置用于产生所述第一电压信号和所述第二电压信号,其中所述驱动电路被配置为产生高于0V且低于所述第一二极管和所述第二二极管的阈值电压的所述正向偏置电压电平。3.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器,其特征在于,所述第一光学路径和所述第二光学路径被设置为使得在缺乏所述第一电压信号和所述第二电压信号时,所述另一二极管在所述第一光信号和所述第二光信号之间仅提供由所述第一光学路径和所述第二光学路径所引入的相位变化。4.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器,其特征在于,所述第一二极管和所述第二二极管包括高速相位调制(HSPM)二极管,以及所述另一二极管包括P-本征-N相位调制(PINPM)二极管。5.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器,其特征在于,所述另一二极管被配置为引入在10°和80°之间的相位偏移。6.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器,其特征在于,所述另一二极管被配置为引入在10°和65°之间的相位偏移。7.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器,其特征在于,所述第一二极管和所述第二二极管均具有在200μm和1100μm之间的长度。8.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器,其特征在于,所述另一二极管具有在50μm和400μm之间的长度。9.根据权利要求1所述的马赫-曾德尔调制器,其特征在于,进一步包括另一光学耦合器,所述另一光学耦合器耦合至所述第一光学路径和所述第二光学路径,所述第一光学路径和所述第二光学路径...
【专利技术属性】
技术研发人员:V·达内伦,D·派彻,
申请(专利权)人:意法半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:法国,FR
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