发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够实现高光通量的红色发光的发光装置。一种发光装置，其具备：在400nm以上且500nm以下的范围具有发光峰值波长的发光元件、以及包含在630nm以上且670nm以下的范围具有发光峰值波长且具有下述式(I)所示的组成的荧光体的荧光部件，所述发光装置发出CIE1931中的色度坐标的x值为0.640以上的光。CasSrtEuuSivAlwNx  (I)(式(I)中，s、t、u、v、w和x满足0.25≤s≤0.5、0.4≤t≤0.75、0.01≤u≤0.04、0.8≤s+t+u≤1.1、0.8≤v≤1.2、0.8≤w≤1.2、1.8≤v+w≤2.2、2.5≤x≤3.2。)

Light emitting device

The present invention provides a red light emitting device capable of achieving high luminous flux. A light emitting device has a luminescent element with a peak wavelength of luminescence above 400nm and below 500nm, and a fluorescent unit consisting of a phosphor consisting of a luminous peak wavelength above 630nm and below 670nm with a luminous peak wavelength with the following formula (I), and the luminous device emits chromaticity in the CIE1931. The standard x value is more than 0.640 of the light. CasSrtEuuSivAlwNx (I) (I), s, t, u, V, W and X satisfy 0.25 less than s < 0.5, 0.4 < < T > 0.75, 0.01 less than U < 0.04, 0.8 less than 1.1, 0.8 less than 1.2, 0.8 < < < 1.2 > 1.2, 1.8 < < < < < 2.2. )

【技术实现步骤摘要】
发光装置
本申请涉及发光装置。
技术介绍
近年来，作为节能性优异的发光元件，广泛利用发光二极管(LightEmittingDiode：以下也称为“LED”)。例如，发出红色单色光的LED在车载领域中被用于刹车灯等。另一方面，代替发出单色光的LED，例如专利文献1公开了一种发红光的发光装置，其具备发出紫外线至蓝色光的发光元件、以及吸收该发光元件发出的光并进行波长转换的荧光体。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2014/125714号
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，对于将发光元件与荧光体组合而成的红色发光的发光装置而言，要求进一步提高光通量。本申请所述的一个实施方式的目的在于，提供能够实现高光通量的红色发光的发光装置。用于解决问题的方法本申请所述的第一方式是一种发光装置，其具备：在400nm以上且500nm以下的范围具有发光峰值波长的发光元件；以及，包含在630nm以上且670nm以下的范围具有发光峰值波长且具有下述式(I)所示的组成的荧光体的荧光部件，所述发光装置发出CIE1931中的色度坐标的x值为0.640以上的光。CasSrtEuuSivAlwNx(I)式(I)中，s、t、u、v、w和x满足0.25≤s≤0.5、0.4≤t≤0.75、0.01≤u≤0.04、0.8≤s+t+u≤1.1、0.8≤v≤1.2、0.8≤w≤1.2、1.8≤v+w≤2.2、2.5≤x≤3.2。本申请所述的第二方式是一种发光装置，其具备：在400nm以上且500nm以下的范围具有发光峰值波长的发光元件；以及，包含在630nm以上且670nm以下的范围具有发光峰值波长且具有上述式(I)所示的组成的荧光体的荧光部件，所述发光装置发出在CIE1931的色度图中将色度坐标(x、y)为(0.500、0.280)、(0.540、0.340)、(0.625、0.375)、(0.735、0.262)和(0.600、0.200)的各点依次用直线连结而围成的色度范围所包含的光。专利技术效果根据本申请所述的一个实施方式，能够提供可实现高光通量的红色发光的发光装置。附图说明图1是示出本实施方式所述的发光装置的一例的示意截面图。图2是示出本实施方式所述的荧光体的反射率相对于波长的反射光谱的例子。图3是示出本实施方式所述的发光装置的相对发光强度相对于波长的发光光谱的例子。图4是示出比较例1所述的发光装置的一部分截面的放大图像。图5是示出实施例1所述的发光装置的一部分截面的放大图像。图6是示出实施例2所述的发光装置的一部分截面的放大图像。图7是示出实施例3所述的发光装置的一部分截面的放大图像。图8是示出实施例4所述的发光装置的一部分截面的放大图像。附图标记说明10：发光元件、40：成形体、50：荧光部件、70：荧光体、100：发光装置具体实施方式以下，基于实施方式来说明本申请所述的发光装置。其中，以下示出的实施方式例示出用于具体说明本专利技术技术思想的发光装置，但本专利技术不限定于以下内容。需要说明的是，色名与色度坐标的关系、光的波长范围与单色光的色名的关系等依据JISZ8110。此外，关于组合物中的各成分的含量，当组合物中存在多种与各成分相符的物质时，在没有特别记载的情况下，是指组合物中存在的该多种物质的总量。[发光装置]本实施方式所述的发光装置具备：在400nm以上且500nm以下的范围具有发光峰值波长的发光元件；以及，包含在630nm以上且670nm以下的范围具有发光峰值波长且具有下述式(I)所示的组成的荧光体的荧光部件，所述发光装置发出CIE1931中的色度坐标的x值为0.640以上的光。CasSrtEuuSivAlwNx(I)式(I)中，s、t、u、v、w和x满足0.25≤≤s≤0.5、0.4≤t≤0.75、0.01≤u≤0.04、0.8≤s+t+u≤1.1、0.8≤v≤1.2、0.8≤w≤1.2、1.8≤v+w≤2.2、2.5≤x≤3.2。通过具备以发光装置的发光色具有色度坐标的特定x值的方式包含在特定的波长范围具有发光峰值波长的特定组成的荧光体的荧光部件，能够构成高光通量的红色发光的发光装置。此外，发光装置能够发出色纯度高的红色光。发光装置能够发出高光通量的红色光。发光装置发出的光在CIE1931中的色度坐标的x值为0.640以上，可以设为0.660以上或0.670以上。x值的上限例如为0.720以下。此外，色度坐标的y值可以设为例如0.300以上且0.340以下、或者0.310以上且0.330以下。发光装置可以是发出在CIE1931的色度图中将色度坐标(x、y)为(0.500、0.280)的第一点、色度坐标(x、y)为(0.540、0.340)的第二点、色度坐标(x、y)为(0.625、0.375)的第三点、色度坐标(x、y)为(0.735、0.262)的第四点、以及色度坐标(x、y)为(0.600、0.200)的第五点中的各点依次用直线连结，并将第五点和第一点用直线连结而围成的色度范围所包含的光的发光装置。通过具备以发光装置的发光色具有特定的色度坐标的方式包含在特定的波长范围具有发光峰值波长的特定组成的荧光体的荧光部件，能够构成高光通量的红色发光的发光装置。在发光装置中，第五点的色度坐标可以为(0.650、0.220)。本实施方式所述的发光装置的表示发光强度相对于波长的发光光谱至少实质上为单一峰形状(以下也称为“主发光峰”)，最大发光强度(发光装置的发光峰值强度)的发光峰值波长处于630nm以上且670nm以下、640nm以上且660nm以下、或者645nm以上且655nm以下的范围，主发光峰的半峰宽例如为100nm以下或95nm以下。此外，主发光峰的半峰宽例如为75nm以上或80nm以上。此处，主发光峰是主要源自荧光体发光的峰，不包括发光元件自身发光所致的峰部分。发光装置的发光光谱中，发光元件的发光峰值波长处的发光强度相对于最大发光强度(发光装置的发光峰值强度)的强度比率例如为2％以下，可以设为1.9％以下或1.8％以下。强度比率例如为0.2％以上，为0.25％以上或0.3％以上。如果强度比率为上述上限值以下，则存在色纯度进一步提高的倾向，如果强度比率为上述下限值以上，则存在发光效率提高、能够实现更高的光通量的倾向。基于图1来详细说明本实施方式所述的发光装置100。发光装置100是表面安装型发光装置的一例。发光装置100具有：发出可见光的短波长侧(例如380nm以上且500nm以下的范围)的光，并且发光峰值波长处于400nm以上且500nm以下的范围内的氮化镓系化合物半导体的发光元件10；以及，载置发光元件10的成形体40。成形体40是将第一引线20、第二引线30和树脂部42一体成形而成的。成形体40形成了具有底面和侧面的凹部，在凹部的底面载置有发光元件10。发光元件10具有一对正负电极，这一对正负电极分别经由导线60而与第一引线20和第二引线30电连接。发光元件10被荧光部件50覆盖。荧光部件50例如含有将从发光元件10发出的光进行波长转换的荧光体70和树脂而成。图1中，荧光体70在荧光部件50中偏在于发光元件10侧。即，图1中，荧光部件50包括含有荧光体70且靠近发光元件10的第一层(也称为“堆积层”)以及形成在第一层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，其具备：在400nm以上且500nm以下的范围具有发光峰值波长的发光元件；以及包含在630nm以上且670nm以下的范围具有发光峰值波长且具有下述式(I)所示的组成的荧光体的荧光部件，所述发光装置发出CIE1931中的色度坐标的x值为0.640以上的光，CasSrtEuuSivAlwNx    (I)式(I)中，s、t、u、v、w和x满足0.25≤s≤0.5、0.4≤t≤0.75、0.01≤u≤0.04、0.8≤s+t+u≤1.1、0.8≤v≤1.2、0.8≤w≤1.2、1.8≤v+w≤2.2、2.5≤x≤3.2。

【技术特征摘要】
2016.10.31 JP 2016-212988;2017.10.20 JP 2017-203601.一种发光装置，其具备：在400nm以上且500nm以下的范围具有发光峰值波长的发光元件；以及包含在630nm以上且670nm以下的范围具有发光峰值波长且具有下述式(I)所示的组成的荧光体的荧光部件，所述发光装置发出CIE1931中的色度坐标的x值为0.640以上的光，CasSrtEuuSivAlwNx(I)式(I)中，s、t、u、v、w和x满足0.25≤s≤0.5、0.4≤t≤0.75、0.01≤u≤0.04、0.8≤s+t+u≤1.1、0.8≤v≤1.2、0.8≤w≤1.2、1.8≤v+w≤2.2、2.5≤x≤3.2。2.一种发光装置，其具备：在400nm以上且500nm以下的范围具有发光峰值波长的发光元件；以及包含在630nm以上且670nm以下的范围具有发光峰值波长且具有下述式(I)所示的组成的荧光体的荧光部件，所述发光装置发出在CIE1931的色度图中将色度坐标(x、y)为(0.500、0.280)、(0.540、0.340)、(0.625、0.375)、(0...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木茂之，渡边浩之，细川昌治，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP