发光二极管晶片制造技术

一种发光二极管晶片，包含基板、发光元件、静电防护元件及导电层。发光元件设置于基板上，并包含第一半导体层、第一量子井层及第二半导体层，其中第一量子井层设置于第一半导体层与第二半导体层之间。静电防护元件设置于基板上且至少一间隔位于发光元件与静电防护元件之间，静电防护元件包含第三半导体层、第二量子井层及第四半导体层，其中第二量子井层设置于第三半导体层与第四半导体层之间。第一半导体层与第四半导体层透过导电层电性连接，且第二半导体层与第三半导体层在发光二极管晶片封装前是彼此电性隔离。因此，于发光二极管晶片封装前，可单独对发光元件进行检测，借以降低静电防护元件对检测结果的影响。

Light emitting diode chip

A light-emitting diode wafer includes a substrate, a light emitting element, an electrostatic protection element and a conductive layer. A light emitting element is set on a substrate and includes a first semiconductor layer, a first quantum well layer and a two semiconductor layer, wherein the first quantum well layer is arranged between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer. The electrostatic protection element is set on the substrate and at least between the light emitting element and the electrostatic protection element. The electrostatic protection element includes a third semiconductor layer, a second quantum well layer and a four semiconductor layer, and the second quantum well layer is set between the third semiconductor layer and the fourth half guide layer. The first semiconductor layer and the fourth semiconductor layer are electrically connected through the conductive layer, and the second semiconductor layer and the third semiconductor layer are electrically isolated from each other before the light emitting diode wafer is encapsulated. Therefore, the light-emitting diode can be detected separately before the LED chip is packaged, so as to reduce the influence of electrostatic protection elements on the detection results.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管晶片
本专利技术是有关于一种发光二极管晶片。
技术介绍
近年来，发光二极管(light-emittingdiode；LED)已经广泛被使用于一般照明和商业照明的应用之中。当作为光源使用时，发光二极管具有许多优点，例如较低的能量消耗、较长的寿命，更小的尺寸与更快速的开关切换。因此，传统的照明，例如白炽光源，已经逐渐被发光二极管光源代替。此外，于实际应用时，发光二极管也会与电性调节元件一起设计于电路配置之中，以防护发光二极管被破坏。例如，电性调节元件可提供发光二极管电压调节的效果。
技术实现思路
本专利技术的一实施方式提供一种发光二极管晶片，其特征在于，包含发光元件及静电防护元件，其中发光元件及静电防护元件可同时于制程中形成，借以简化发光二极管晶片的制作程序。于发光二极管晶片封装前，由于发光元件与静电防护元件未共同形成电路，故可单独对发光元件进行检测，借以降低静电防护元件对检测结果的影响。于发光二极管晶片封装后，发光元件与静电防护元件可共同形成反向并联电路，使得静电防护元件可于发光二极管晶片之中提供电性防护的效果。本专利技术的一实施方式提供一种发光二极管晶片，包含基板、发光元件、静电防护元件及导电层。发光元件设置于基板上，并包含第一半导体层、第一量子井层及第二半导体层，其中第一半导体层设置于基板与第二半导体层之间，且第一量子井层设置于第一半导体层与第二半导体层之间。静电防护元件设置于基板上且至少一间隔位于发光元件与静电防护元件之间，静电防护元件包含第三半导体层、第二量子井层及第四半导体层，其中第三半导体层设置于基板与第四半导体层之间，且第二量子井层设置于第三半导体层与第四半导体层之间，其中第一半导体层及第三半导体层具有第一型掺杂，而第二半导体层及第四半导体层具有第二型掺杂。第一半导体层与第四半导体层透过导电层电性连接，且第二半导体层与第三半导体层在发光二极管晶片封装前是彼此电性隔离。于部分实施方式中，发光元件及静电防护元件位于基板与导电层之间。于部分实施方式中，第一半导体层具有至少一凹槽，第二半导体层具有与凹槽相连通的至少一孔洞，且发光二极管晶片还包含第一隔离层。第一隔离层覆盖部分发光元件及部分静电防护元件，并具有至少一第一开口，其中导电层覆盖第一隔离层，并透过孔洞及第一开口电性连接至第一半导体层，且透过第一隔离层而与第二半导体层隔开。于部分实施方式中，发光二极管晶片还包含第二隔离层、电性连接层、第一电性连接垫及第二电性连接垫。第二隔离层覆盖导电层及第一隔离层，并具有至少一第二开口、至少一第三开口及至少一第四开口。电性连接层透过第二开口电性连接至导电层。第一电性连接垫透过第三开口电性连接至第二半导体层。第二电性连接垫透过第四开口电性连接至第三半导体层。于部分实施方式中，发光二极管晶片还包含至少一光反射层，光反射层设置于第二半导体层的背向基板的一侧。于部分实施方式中，第一半导体层及第三半导体层的材料相同，且第二半导体层及第四半导体层的材料相同。本专利技术的一实施方式提供一种发光二极管晶片，其特征在于，包含基板、导电层、第一隔离层、发光元件及静电防护元件。导电层设置于基板上。第一隔离层设置于导电层上，并具有第一开口及第二开口。发光元件设置于第一隔离层上，并包含第一半导体层、第一量子井层及第二半导体层，其中第一半导体层设置于第一隔离层与第二半导体层之间，且第一量子井层设置于第一半导体层与第二半导体层之间，其中导电层透过第一隔离层的第一开口穿过第一半导体层及第一量子井层，并延伸至第二半导体层而与第二半导体层电性连接，且第一半导体层透过第一隔离层与导电层电性绝缘。静电防护元件设置于第一隔离层上，且发光元件与静电防护元件彼此分离，其中静电防护元件包含第三半导体层、第二量子井层及第四半导体层，第三半导体层设置于导电层与第四半导体层之间，且第二量子井层设置于第三半导体层与第四半导体层之间，其中导电层透过第一隔离层的第二开口电性连接至第三半导体层，其中第一半导体层及第三半导体层具有第一型掺杂，而第二半导体层及第四半导体层具有第二型掺杂，且第一半导体层与第四半导体层在发光二极管晶片封装前是彼此电性隔离。于部分实施方式中，发光二极管晶片还包含电性连接层、第一电性连接垫及第二电性连接垫。电性连接层设置于第一隔离层上，并与第一半导体层电性连接。第一电性连接垫位于电性连接层上，并透过电性连接层与第一半导体层电性连接。第二电性连接垫设置于第四半导体层上，并与第四半导体层电性连接。于部分实施方式中，发光元件至基板的垂直投影为矩形。附图说明图1A为依据本专利技术的第一实施方式绘示发光二极管晶片的上视示意图；图1B绘示图1A的发光二极管晶片于形成电性连接层、第一电性连接垫及第二电性连接垫前的上视示意图；图1C绘示沿图1A的线段1C-1C’的剖面示意图；图2A为依据本专利技术的第二实施方式绘示发光二极管晶片的上视示意图；图2B绘示图2A的发光二极管晶片于形成第一电性连接垫及第二电性连接垫前的上视示意图；图2C绘示沿图2A的线段2C-2C’的剖面示意图。具体实施方式以下将以附图揭露本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。在本文中，使用第一、第二与第三等等的词汇，是用于描述各种元件、组件、区域、层是可以被理解的。但是这些元件、组件、区域、层不应该被这些术语所限制。这些词汇只限于用来辨别单一元件、组件、区域、层。因此，在下文中的一第一元件、组件、区域、层也可被称为第二元件、组件、区域、层，而不脱离本专利技术的本意。请先看到图1A、图1B及图1C，其中图1A为依据本专利技术的第一实施方式绘示发光二极管晶片100的上视示意图，图1B绘示图1A的发光二极管晶片100于形成电性连接层160、第一电性连接垫170及第二电性连接垫172前的上视示意图，而图1C绘示沿图1A的线段1C-1C’的剖面示意图。此外，本实施方式所绘的发光二极管晶片100的状态为进行封装之前。发光二极管晶片100包含基板102、发光元件110、静电防护元件120、导电层130、导体层131、光反射层132、阻障层134、第一隔离层140、第二隔离层150、电性连接层160、第一电性连接垫170及第二电性连接垫172，其中发光元件110及静电防护元件120设置于基板102上。发光元件110及静电防护元件120于基板102上的设置位置如图1B所示，发光元件110毗邻于静电防护元件120，且发光元件110与静电防护元件120透过位于其之间的间隔104而与彼此分隔。发光元件110包含第一半导体层112、第一量子井层113及第二半导体层114。第一半导体层112设置于基板102上，第一量子井层113设置于第一半导体层112上，而第二半导体层114设置于第一量子井层113上。进一步而言，至少部分的第一半导体层112会位于基板102与第二半导体层114之间，且第一量子井层113位于第一半导体层112与第二半导体层114之间。第一半导体层112及第二半导体层114可分别具有第一型掺杂及第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管晶片，其特征在于，包含：一基板；一发光元件，设置于该基板上，并包含一第一半导体层、一第一量子井层及一第二半导体层，其中该第一半导体层设置于该基板与该第二半导体层之间，且该第一量子井层设置于该第一半导体层与该第二半导体层之间；一静电防护元件，设置于该基板上且至少一间隔位于该发光元件与该静电防护元件之间，该静电防护元件包含一第三半导体层、一第二量子井层及一第四半导体层，其中该第三半导体层设置于该基板与该第四半导体层之间，且该第二量子井层设置于该第三半导体层与该第四半导体层之间，其中该第一半导体层及该第三半导体层具有第一型掺杂，而该第二半导体层及该第四半导体层具有第二型掺杂；以及一导电层，其中该第一半导体层与该第四半导体层透过该导电层电性连接，且该第二半导体层与该第三半导体层在该发光二极管晶片封装前是彼此电性隔离。

【技术特征摘要】
2016.10.28 TW 1051350821.一种发光二极管晶片，其特征在于，包含：一基板；一发光元件，设置于该基板上，并包含一第一半导体层、一第一量子井层及一第二半导体层，其中该第一半导体层设置于该基板与该第二半导体层之间，且该第一量子井层设置于该第一半导体层与该第二半导体层之间；一静电防护元件，设置于该基板上且至少一间隔位于该发光元件与该静电防护元件之间，该静电防护元件包含一第三半导体层、一第二量子井层及一第四半导体层，其中该第三半导体层设置于该基板与该第四半导体层之间，且该第二量子井层设置于该第三半导体层与该第四半导体层之间，其中该第一半导体层及该第三半导体层具有第一型掺杂，而该第二半导体层及该第四半导体层具有第二型掺杂；以及一导电层，其中该第一半导体层与该第四半导体层透过该导电层电性连接，且该第二半导体层与该第三半导体层在该发光二极管晶片封装前是彼此电性隔离。2.根据权利要求1的发光二极管晶片，其特征在于，该发光元件及该静电防护元件位于该基板与该导电层之间。3.根据权利要求2的发光二极管晶片，其特征在于，该第一半导体层具有至少一凹槽，该第二半导体层具有与该凹槽相连通的至少一孔洞，且该发光二极管晶片还包含：一第一隔离层，覆盖部分该发光元件及部分该静电防护元件，并具有至少一第一开口，其中该导电层覆盖该第一隔离层，并透过该孔洞及该第一开口电性连接至该第一半导体层，且透过该第一隔离层而与该第二半导体层隔开。4.根据权利要求3的发光二极管晶片，其特征在于，还包含：一第二隔离层，覆盖该导电层及该第一隔离层，并具有至少一第二开口、至少一第三开口及至少一第四开口；一电性连接层，透过该第二开口电性连接至该导电层；一第一电性连接垫，透过该第三开口电性连接至该第二半导体层；以及一第二电性连接垫，透过该第四开口电性连接至该第三半导体层。5.根据权利要求1的发光二极管晶片，其特征在于，还包含：至少一光反射层，设置于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭修邑，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71