The invention discloses a welding method for graphene film. The following steps are included: applying conductive adhesive on the surface of graphene film, the thickness is controlled at 5, 100 mu m; the square metal sheet of (1) mm x (1) 5 mm is attached to the conductive adhesive, hot pressing at 30 60 degrees C, and then preparing the graphene film with gold solder joint with metal solder with a metal solder joint by hot pressing at 60 60 degrees centigrade. Graphene thin films are made into RF microwave devices or circuits, which are welded by welding materials. The welding method of the graphene film is firm, the process is simple and easy to realize, and the solder joint is firm. According to the practical application, the metal soldered joints with different areas can be accurately controlled. This solder joint can be soldered directly with soldering flux and so on. It is simple and convenient, and the welding is firm.
【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯薄膜的焊接方法
本专利技术属于材料
,具体涉及一种石墨烯薄膜的焊接方法。
技术介绍
石墨烯作为一种碳材料,具有一系列独特的性能:超高的电导率、超大的热导率、超高的力学性能、超强的抗拉强度,极大的比表面积和强的吸波能力等。石墨烯膜是由层层的石墨烯叠加而成,石墨烯膜的出现解决了宏观材料高导电、高导热和高柔性不能兼顾的难题,这对于柔性电子器件的发展意义重大,从航空航天到智能手机,都具有非常深远的应用前景。然而,将石墨烯膜应用在电子器件领域,面临的一个最大问题是由于石墨烯膜的特性,使得其不能跟焊锡等焊接材料融合,因此无法形成跟金属焊接的焊点。所以,找到一种有效的方法来焊接石墨烯膜将对石墨烯膜在微波器件、电子器件等领域的应用具有重大意义。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种石墨烯膜的焊接方法。本方法过程简单、易于实现。为达到上述目的,采用技术方案如下:一种石墨烯薄膜的焊接方法,包括以下步骤:1)将导电胶涂抹在石墨烯薄膜表面,厚度控制在5-100μm;2)将(1-5)mm×(1-5)mm的正方形金属薄片附在导电胶上,经30-60℃热压,然后在60-120℃热处理90-180分钟,制得带有金属焊点的石墨烯薄膜;3)将带有金属焊点的石墨烯薄膜制备成射频微波器件或电路,使用焊接材料进行焊接。按上述方案,还包括在步骤2后测试金属焊点与石墨烯薄膜的导电连通性、稳固性。按上述方案,所述的导电胶包括导电金胶、导电银胶、导电铜胶、导电铝胶、导电锌胶、导电铁胶、导电镍胶、导电石墨胶中的任何一种。按上述方案,所述的金属薄片包括:金箔、银箔、铜箔、铝箔、铁箔、锌箔中的任 ...
【技术保护点】
一种石墨烯薄膜的焊接方法,其特征在于包括以下步骤:1)将导电胶涂抹在石墨烯薄膜表面,厚度控制在5‑100μm;2)将(1‑5)mm×(1‑5)mm的正方形金属薄片附在导电胶上,经30‑60℃热压,然后在60‑120℃热处理90‑180分钟,制得带有金属焊点的石墨烯薄膜;3)将带有金属焊点的石墨烯薄膜制备成射频微波器件或电路,使用焊接材料进行焊接。
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯薄膜的焊接方法,其特征在于包括以下步骤:1)将导电胶涂抹在石墨烯薄膜表面,厚度控制在5-100μm;2)将(1-5)mm×(1-5)mm的正方形金属薄片附在导电胶上,经30-60℃热压,然后在60-120℃热处理90-180分钟,制得带有金属焊点的石墨烯薄膜;3)将带有金属焊点的石墨烯薄膜制备成射频微波器件或电路,使用焊接材料进行焊接。2.如权利要求1所述石墨烯薄膜的焊接方法,其特征在于还包括在...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴志鹏,何大平,宋荣国,
申请(专利权)人:武汉理工大学,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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