A method for preparing a semiconductor layer, which includes the following steps: providing a conductive substrate, setting an insulating layer on the conductive substrate, setting a carbon nanotube structure on the insulating layer, placing the carbon nanotube structure under the scanning electron microscope, adjusting the accelerated electric pressure of the scanning electron microscope to 5~20 kilovolt, and the residence time of 6~20. Microseconds, the magnification is 10 thousand to 100 thousand times, the carbon nanotube structure is taken by scanning electron microscope, and the structure of carbon nanotube is obtained. The carbon nanotube is distributed on the substrate. The carbon nanotube is metal type carbon nanotube and the carbon nanotube with deeper color than the substrate is semiconductor type carbon nanotube. In accordance with the same proportion of photos, the metal type carbon nanotubes are identified in the same position in physical form and the metal carbon nanotubes are removed.
【技术实现步骤摘要】
半导体层的制备方法
本专利技术涉及一种半导体层的制备方法,尤其设置一种基于碳纳米管的半导体层的制备方法。
技术介绍
碳纳米管是一种非常具有研究潜能的纳米材料。基于其纳米级的尺寸以及特殊的结构,碳纳米管具有良好的电学性能、光电性能以及半导体型能。现有技术中,采用碳纳米管层作为半导体层使用成为一种热门的研究方向。采用碳纳米管制备半导体层时,通常是先生长碳纳米管阵列,然后,将碳纳米管阵列直接加工成层状的结构,用作半导体层。由于碳纳米管可以分为金属型和半导体型两种类型,在生长碳纳米管阵列时,无法控制长出的碳纳米管的类型,因此,采用这种方法制备的半导体层中,在存在半导体型的碳纳米管时,还存在金属型的碳纳米管。当金属型的碳纳米管用在半导体层时,会对半导体层的性能造成负面影响。
技术实现思路
有鉴于此,确有必要提供一种可以克服上述缺点的半导体层的制备方法。一种半导体层的制备方法,其包括以下步骤:提供一导电基底,该导电基底上设置一层绝缘层;在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构;将碳纳米管结构放置在扫描电镜下,调整扫描电镜的加速电压为5~20千伏,驻留时间为6~20微秒,放大倍数为1万~10万倍,采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片;获得碳纳米管结构的照片,照片中碳纳米管分布在衬底上,比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管,比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管;按照和照片相同的比例,在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识,并除去金属型碳纳米管。相较于现有技术,本专利技术所提供的半导体层的制备方法中,包括一除去金属型碳纳米管的步骤,因此,制得的半导体层性能较好;同时,本专 ...
【技术保护点】
一种半导体层的制备方法,其包括以下步骤:提供一导电基底,该导电基底上设置一层绝缘层;在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构;将碳纳米管结构放置在扫描电镜下,调整扫描电镜的加速电压为5~20千伏,驻留时间为6~20微秒,放大倍数为1万~10万倍,采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片;获得碳纳米管结构的照片,照片中碳纳米管分布在衬底上,比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管,比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管;以及按照和照片相同的比例,在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识,并除去金属型碳纳米管。
【技术特征摘要】
1.一种半导体层的制备方法,其包括以下步骤:提供一导电基底,该导电基底上设置一层绝缘层;在所述绝缘层上设置一碳纳米管结构;将碳纳米管结构放置在扫描电镜下,调整扫描电镜的加速电压为5~20千伏,驻留时间为6~20微秒,放大倍数为1万~10万倍,采用扫描电镜对所述碳纳米管结构拍摄照片;获得碳纳米管结构的照片,照片中碳纳米管分布在衬底上,比衬底颜色浅的碳纳米管为金属型碳纳米管,比衬底颜色深的碳纳米管为半导体型碳纳米管;以及按照和照片相同的比例,在实物上相同的位置对金属型的碳纳米管进行标识,并除去金属型碳纳米管。2.如权利要求1所述的半导体层的制备方法,其特征在于,所述导电基底的材料为金属、导电有机物或掺杂的导电材料。3.如权利要求1所述的半导体层的制备方法,其特征在于,所述绝缘层的材料为氧化物或者高分子材料。4.如权利要求1所述的半导体层的制备方法,其特征在于,所述绝缘层的厚度为50-300纳米。5.如权利要求1所述的半导体层的制备方法,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:李东琦,魏洋,姜开利,范守善,
申请(专利权)人:清华大学,鸿富锦精密工业深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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