一种半蚀刻引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开一种半蚀刻引线框架，包括第一排引线框架的一侧连接若干第一垫片部；每一第一垫片部相对于第一排引线框架的一侧连接一第一散热部；每一第一散热部相对于第一垫片部的一侧连接一第二垫片部；若干第二垫片部相对于第一散热部的一侧连接一第二排引线框架；第二排引线框架与第三排引线框架通过侧连接部连接；第三排引线框架相对于第二排引线框架的一侧连接若干第三垫片部；每一第三垫片部相对于第三排引线框架的一侧连接一第二散热部；每一第二散热部相对于第三垫片部的一侧连接一第四垫片部；若干第四垫片部相对于第二散热部一侧连接一第四排引线框架。本实用新型专利技术包括了四引线框架，较至以往提高了引线框架的生产效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半蚀刻引线框架
本技术涉及引线框架的
，尤其涉及一种半蚀刻引线框架的

技术介绍
现有技术的集成电路在使用时，不可避免的产生热量，尤其是功耗较大的电路，产生的热量更加大；因此工作时就要求引线框架须具有良好的导热性；否则就会在工作中不能及时发散而导致烧坏芯片。因此，基于引线框架的散热增加封装日益受到人们的重视。现设计一种多排引线框架，能够在散热的同时，避免芯片与引线框架之间发生短路。
技术实现思路
针对上述问题，现提供一种半蚀刻引线框架，能够在散热的同时，避免芯片与引线框架之间发生短路。为了实现上述目的，采取的技术方案如下：一种半蚀刻引线框架，其中，包括：第一排引线框架，所述第一排引线框架的一侧连接若干第一垫片部；若干第一散热部，每一所述第一垫片部相对于所述第一排引线框架的一侧连接一所述第一散热部；若干第二垫片部；每一所述第一散热部相对于所述第一垫片部的一侧连接一所述第二垫片部；第二排引线框架，若干所述第二垫片部相对于所述第一散热部的一侧连接一所述第二排引线框架；第三排引线框架，所述第二排引线框架与所述第三排引线框架通过侧连接部以及外引脚连接；若干第三垫片部，所述第三排引线框架相对于所述第二排引线框架的一侧连接若干所述第三垫片部；若干第二散热部，每一所述第三垫片部相对于所述第三排引线框架的一侧连接一所述第二散热部；若干第四垫片部；每一所述第二散热部相对于所述第三垫片部的一侧连接一所述第四垫片部；第四排引线框架，若干所述第四垫片部相对于所述第二散热部一侧连接一所述第四排引线框架。上述一种半蚀刻引线框架，其中，第一排引线框架上设有若干对斜向布置的通孔，所述侧连接部上设有若干对斜向布置的通孔，所述第四排引线框架设有若干对斜向布置的通孔。上述一种半蚀刻引线框架，其中，包括：九散热片，每一所述散热片设有若干对斜向布置的凸起。上述一种半蚀刻引线框架，其中，三所述散热片的若干凸起分别穿过所述第一排引线框架的若干通孔，另三所述散热片的若干凸起分别穿过所述侧连接部的若干通孔，再三所述散热片的若干凸起分别穿过所述第四排引线框架的若干通孔，每一所述凸起穿过一所述通孔经冲头冲压外翻与所述通孔卡合。上述一种半蚀刻引线框架，其中，所述第一排引线框架、所述第二排引线框架、所述第三排引线框架、所述第四排引线框架上均涂覆有基岛绝缘镀层，所述基岛绝缘镀层设置有绝缘装片胶，所述绝缘装片胶上封装有通过引线与所述引线框架基岛连接的芯片。上述一种半蚀刻引线框架，其中，所述基岛绝缘镀层的厚度在2.5～2.8mm之间。上述技术与现有技术相比具有的积极效果是：本技术包括了四引线框架，较至以往提高了引线框架的生产效率。本技术的四排引线框架的设置，相邻引线框架相互连接，减少了材料。本技术的散热片进一步加快了引线框架的散热。附图说明图1是本技术的一种半蚀刻引线框架的示意图；图2是本技术的散热片的示意图；图3是本技术的散热片的冲压的安装示意图。附图中：11、第一排引线框架；12、第二排引线框架；13、第三排引线框架；14、第四排引线框架；21、第一垫片部；22、第二垫片部；23、第三垫片部；24、第四垫片部；31、第一散热部；32、第二散热部；41、通孔；42、侧连接部；43、外引脚；5、散热片；51、凸起。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，但不作为本技术的限定。图1是本技术的一种半蚀刻引线框架的示意图。图2是本技术的散热片的示意图。图3是本技术的散热片的冲压的安装示意图。请参见图1至图3所示，在一种较佳的实施例中，示出了一种半蚀刻引线框架，其特征在于，包括：第一排引线框架11，第一排引线框架1的一侧连接若干第一垫片部21；若干第一散热部31，每一第一垫片部21相对于第一排引线框架11的一侧连接一第一散热部31。若干第二垫片部22；每一第一散热部31相对于第一垫片部21的一侧连接一第二垫片部22。第二排引线框架12，若干第二垫片部22相对于第一散热部31的一侧连接一第二排引线框架12。第三排引线框架13，第二排引线框架12与第三排引线框架13通过侧连接部42以及外引脚43连接。若干第三垫片部23，第三排引线框架13相对于第二排引线框架12的一侧连接若干第三垫片部23。若干第二散热部32，每一第三垫片部23相对于第三排引线框架13的一侧连接一第二散热部32。若干第四垫片部24；每一第二散热部31相对于第三垫片部23的一侧连接一第四垫片部24。第四排引线框架14，若干第四垫片部24相对于第二散热部32一侧连接一第四排引线框架14。以上仅为本技术较佳的实施例，并非因此限制本技术的实施方式及保护范围。进一步，在一种较佳实施例中，第一排引线框架11上设有若干对斜向布置的通孔41，侧连接部42上设有若干对斜向布置的通孔41，第四排引线框架14设有若干对斜向布置的通孔41。进一步，在一种较佳实施例中，包括：九散热片5，每一散热片5设有若干对斜向布置的凸起51。进一步，在一种较佳实施例中，三散热片5的若干凸起分别穿过第一排引线框架11的若干通孔41，另三散热片5的若干凸起51分别穿过侧连接部42的若干通孔41，再三散热片5的若干凸起51分别穿过第四排引线框架14的若干通孔41，每一凸起51穿过一通孔41经冲头冲压外翻与通孔41卡合。进一步，请参见图3所示，凸起51穿过通孔41的冲头可采用V型冲头；进行散热片封装时，可将通孔41与散热片5上的凸起51对准，并将要安装的引线框架(第一排引线框架11或第四排引线框架14)或侧连接部42放置于散热片2上，使得散热片5上的凸起51穿过通孔41，再利用V型冲头冲压凸起51的中心位置，凸起51受压后变形，受压部分向四周扩散外翻，卡住通孔41，构成引线框架与散热片5之间的冲压卡合连接。进一步，在一种较佳实施例中，第一排引线框架11、第二排引线框架12、第三排引线框架13、第四排引线框架14上均涂覆有基岛绝缘镀层，基岛绝缘镀层设置有绝缘装片胶，绝缘装片胶上封装有通过引线与引线框架连接的芯片。如此芯片的底部与引线框架就不会因为绝缘装片过薄导致芯片与引线框架之间发生短路。进一步，在一种较佳实施例中，基岛绝缘镀层的厚度在2.5～2.8mm之间。以上仅为本技术较佳的实施例，并非因此限制本技术的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本技术说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半蚀刻引线框架，其特征在于，包括：第一排引线框架，所述第一排引线框架的一侧连接若干第一垫片部；若干第一散热部，每一所述第一垫片部相对于所述第一排引线框架的一侧连接一所述第一散热部；若干第二垫片部；每一所述第一散热部相对于所述第一垫片部的一侧连接一所述第二垫片部；第二排引线框架，若干所述第二垫片部相对于所述第一散热部的一侧连接一所述第二排引线框架；第三排引线框架，所述第二排引线框架与所述第三排引线框架通过侧连接部以及外引脚连接；若干第三垫片部，所述第三排引线框架相对于所述第二排引线框架的一侧连接若干所述第三垫片部；若干第二散热部，每一所述第三垫片部相对于所述第三排引线框架的一侧连接一所述第二散热部；若干第四垫片部；每一所述第二散热部相对于所述第三垫片部的一侧连接一所述第四垫片部；第四排引线框架，若干所述第四垫片部相对于所述第二散热部一侧连接一所述第四排引线框架。

【技术特征摘要】
1.一种半蚀刻引线框架，其特征在于，包括：第一排引线框架，所述第一排引线框架的一侧连接若干第一垫片部；若干第一散热部，每一所述第一垫片部相对于所述第一排引线框架的一侧连接一所述第一散热部；若干第二垫片部；每一所述第一散热部相对于所述第一垫片部的一侧连接一所述第二垫片部；第二排引线框架，若干所述第二垫片部相对于所述第一散热部的一侧连接一所述第二排引线框架；第三排引线框架，所述第二排引线框架与所述第三排引线框架通过侧连接部以及外引脚连接；若干第三垫片部，所述第三排引线框架相对于所述第二排引线框架的一侧连接若干所述第三垫片部；若干第二散热部，每一所述第三垫片部相对于所述第三排引线框架的一侧连接一所述第二散热部；若干第四垫片部；每一所述第二散热部相对于所述第三垫片部的一侧连接一所述第四垫片部；第四排引线框架，若干所述第四垫片部相对于所述第二散热部一侧连接一所述第四排引线框架。2.根据权利要求1所述一种半蚀刻引线框架，其特征在于，第一排引线框架上设有若...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾旭，
申请(专利权)人：宁波东盛集成电路元件有限公司，宁波东顺电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33