一种LED封装方法技术

本发明专利技术涉及一种LED封装方法，其中，包括，准备散热基板(21)；准备LED芯片，并将所述LED芯片固接在所述散热基板(21)上；在所述LED芯片的上表面形成第一硅胶层(22)；在所述第一硅胶层(22)的上表面形成半球形透镜层(23)，所述半球形透镜层(23)包括多个半球形透镜；在所述半球形透镜层(23)和所述第一硅胶层(22)上方形成第二硅胶层(24)，所述第二硅胶层(24)含有荧光粉；将包括所述第一硅胶层(22)、所述半球形透镜层(23)和所述第二硅胶层(24)的LED封装结构进行长烤，以完成所述LED的封装。本发明专利技术实施例通过在第一硅胶层和第二硅胶层之间设置半球形透镜层，且在第二硅胶层内设置荧光粉，使得光束更加集中且照射均匀，而且避免了荧光粉与LED芯片直接接触，提高了取光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED封装方法
本专利技术属于光电器件
，具体涉及一种LED封装方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，其被广泛应用于显示屏、交通讯号、显示光源、汽车用灯、LED背光源、照明光源等领域。然而本领域技术人员在实际应用中，发现现有技术至少存在如下技术问题：1、由于LED光源发出的光一般呈发散式分布，导致光照不集中，通过外部透镜进行二次整形，则增加了生产成本；2、荧光粉一般是直接涂敷在芯片表面上的，LED芯片产生的高温降低了荧光粉的量子效率，此外，芯片对荧光粉向后反射的光具有吸收作用，降低了封装结构的取光效率；3、由于封装结构对光的阻挡作用，导致光照不能从封装结构中全部照射出去，光照透过率较低。因此，研制出一种取光效率高、发光效果好的封装技术是目前的热点研究方向。
技术实现思路
针对以上存在的问题，本专利技术提出了一种新的LED封装方法，具体的实施方式如下。具体的，本专利技术实施例提供一种LED封装方法，其中，包括，步骤1、准备散热基板21；步骤2、准备LED芯片，并将所述LED芯片固接在所述散热基板21上；步骤3、在所述LED芯片的上表面形成第一硅胶层22；步骤4、在所述第一硅胶层22的上表面形成半球形透镜层23，所述半球形透镜层23包括多个半球形透镜；步骤5、在所述半球形透镜层23和所述第一硅胶层22上方形成第二硅胶层24，所述第二硅胶层24含有荧光粉；步骤6、将包括所述第一硅胶层22、所述半球形透镜层23和所述第二硅胶层24的LED封装结构进行长烤，以完成所述LED的封装。在本专利技术的一个实施例中，所述LED芯片为氮化镓铝紫外芯片，所述荧光粉为红色、绿色和蓝色三种荧光粉混合而成。在本专利技术的一个实施例中，步骤3包括：步骤31、在所述LED芯片上表面涂覆第一硅胶；步骤32、对所述第一硅胶进行第一初烤，以形成所述第一硅胶层22，所述第一初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。在本专利技术的一个实施例中，步骤4包括：步骤41、利用第一半球形模具形成多个半球形硅胶球，并将带模具的所述多个半球形硅胶球置于所述第一硅胶层22上；步骤42、对所述多个半球形硅胶球进行第二初烤、脱模和打磨，以形成半球形透镜层23，所述第二初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。在本专利技术的一个实施例中，步骤5包括：步骤51、在所述半球形透镜层23和所述第一硅胶层22上方涂覆第三硅胶；步骤52、利用第二半球形模具将所述第三硅胶的上表面形成弧形或者半球形；步骤53、对所述第三硅胶进行第三初烤、脱模和打磨，以形成所述第二硅胶层24，所述第三初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。在本专利技术的一个实施例中，步骤3之前，还包括：步骤X1、分别配置用于制备所述第一硅胶层22和所述半球形透镜层23的硅胶材料，使得所述第一硅胶层22的折射率小于所述半球形透镜层23的折射率；步骤X2、配置用于制备所述第二硅胶层24的含有所述荧光粉的硅胶材料，使得所述第二硅胶层24的折射率小于所述半球形透镜层23的折射率，而大于所述第一硅胶层22的折射率。在本专利技术的一个实施例中，步骤1包括步骤11、选取所述散热基板21；步骤12、清洗所述散热基板21；步骤13、将所述散热基板21烘干。在本专利技术的一个实施例中，所述半球形透镜层23上的半球形透镜的直径为10-200微米，且多个所述半球形透镜均匀间隔排列，间距为10-200微米。在本专利技术的一个实施例中，多个所述半球形透镜呈矩形排列或者交错排列。在本专利技术的一个实施例中，所述第一硅胶层22为耐高温硅胶层。本专利技术的有益效果为：1、利用不同种类硅胶和荧光粉胶折射率不同的特点，在第一硅胶层和第二硅胶层之间设置半球形透镜层，改善了LED芯片发光分散的问题，使光源发出的光能够更加集中。2、本专利技术通过在第一硅胶层和半球形透镜层上不添加荧光粉，而在第二硅胶层上添加荧光粉，将荧光粉与LED芯片隔离，解决了在高温条件下引起的荧光粉的量子效率下降的问题。3、本专利技术通过对红色、绿色和蓝色荧光粉进行混合，不同配比的荧光粉经过紫外灯芯的照射可以发出不同颜色的光，可以按照使用需求，变成任意颜色，另外，还可以调节光源的色温。4、与LED芯片接触的第一硅胶层为耐高温的硅胶，解决了硅胶老化发黄引起的透光率下降的问题。5、本专利技术中，半球形透镜层的折射率大于上下两层硅胶层的折射率，且第一硅胶层的折射率小于第二硅胶层的折射率，这样可以避免全反射，使得LED芯片发出的光能够更多的透过封装材料照射出去。附图说明图1为本专利技术实施例提供的LED封装方法的流程图；图2为本专利技术实施例提供的LED封装方法中的LED芯片的结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的LED封装方法的详细流程示意图；图4为采用本专利技术实施例提供的LED封装方法制备的LED封装结构的结构示意图；图5A、图5B为本专利技术实施例提供的多个半球形透镜的排列示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。实施例一本专利技术实施例提供一种LED封装方法，其中，包括，步骤1、准备散热基板21；步骤2、准备LED芯片，并将所述LED芯片固接在所述散热基板21上；步骤3、在所述LED芯片的上表面形成第一硅胶层22；步骤4、在所述第一硅胶层22的上表面形成半球形透镜层23，所述半球形透镜层23包括多个半球形透镜；步骤5、在所述半球形透镜层23和所述第一硅胶层22上方形成第二硅胶层24，所述第二硅胶层24含有荧光粉；步骤6、将包括所述第一硅胶层22、所述半球形透镜层23和所述第二硅胶层24的LED封装结构进行长烤，以完成所述LED的封装。进一步的，所述LED芯片为氮化镓铝紫外芯片，所述荧光粉为红色、绿色和蓝色三种荧光粉混合而成。进一步的，步骤3包括：步骤31、在所述LED芯片上表面涂覆第一硅胶；步骤32、对所述第一硅胶进行第一初烤，以形成所述第一硅胶层22，所述第一初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。进一步的，步骤4包括：步骤41、利用第一半球形模具形成多个半球形硅胶球，并将带模具的所述多个半球形硅胶球置于所述第一硅胶层22上；步骤42、对所述多个半球形硅胶球进行第二初烤、脱模和打磨，以形成半球形透镜层23，所述第二初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。进一步的，步骤5包括：步骤51、在所述半球形透镜层23和所述第一硅胶层22上方涂覆第三硅胶；步骤52、利用第二半球形模具将所述第三硅胶的上表面形成弧形或者半球形；步骤53、对所述第三硅胶进行第三初烤、脱模和打磨，以形成所述第二硅胶层24，所述第三初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。进一步的，步骤3之前，还包括：步骤X1、分别配置用于制备所述第一硅胶层22和所述半球形透镜层23的硅胶材料，使得所述第一硅胶层22的折射率小于所述半球形透镜层23的折射率；步骤X2、配置用于制备所述第二硅胶层24的含有所述荧光粉的硅胶材料，使得所述第二硅胶层24的折射率小于所述半球形透镜层23的折射率，而大于所述第一硅胶层22的折射率。进一步的，步骤1包括步骤11、选取所述散热基板21；步骤12、清洗所述散热基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED封装方法，其特征在于，包括，步骤1、准备散热基板(21)；步骤2、准备LED芯片，并将所述LED芯片固接在所述散热基板(21)上；步骤3、在所述LED芯片的上表面形成第一硅胶层(22)；步骤4、在所述第一硅胶层(22)的上表面形成半球形透镜层(23)，所述半球形透镜层(23)包括多个半球形透镜；步骤5、在所述半球形透镜层(23)和所述第一硅胶层(22)上方形成第二硅胶层(24)，所述第二硅胶层(24)含有荧光粉；步骤6、将包括所述第一硅胶层(22)、所述半球形透镜层(23)和所述第二硅胶层(24)的LED封装结构进行长烤，以完成所述LED的封装。

【技术特征摘要】
1.一种LED封装方法，其特征在于，包括，步骤1、准备散热基板(21)；步骤2、准备LED芯片，并将所述LED芯片固接在所述散热基板(21)上；步骤3、在所述LED芯片的上表面形成第一硅胶层(22)；步骤4、在所述第一硅胶层(22)的上表面形成半球形透镜层(23)，所述半球形透镜层(23)包括多个半球形透镜；步骤5、在所述半球形透镜层(23)和所述第一硅胶层(22)上方形成第二硅胶层(24)，所述第二硅胶层(24)含有荧光粉；步骤6、将包括所述第一硅胶层(22)、所述半球形透镜层(23)和所述第二硅胶层(24)的LED封装结构进行长烤，以完成所述LED的封装。2.根据权利要求1所述的LED封装方法，其特征在于，所述LED芯片为氮化镓铝紫外芯片，所述荧光粉为红色、绿色和蓝色三种荧光粉混合而成。3.根据权利要求2所述的LED封装方法，其特征在于，步骤3包括：步骤31、在所述LED芯片上表面涂覆第一硅胶；步骤32、对所述第一硅胶进行第一初烤，以形成所述第一硅胶层(22)，所述第一初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。4.根据权利要求2所述的LED封装方法，其特征在于，步骤4包括：步骤41、利用第一半球形模具形成多个半球形硅胶球，并将带模具的所述多个半球形硅胶球置于所述第一硅胶层(22)上；步骤42、对所述多个半球形硅胶球进行第二初烤、脱模和打磨，以形成半球形透镜层(23)，所述第二初烤温度为90-125°，时间为15-60分钟。5.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亮，
申请(专利权)人：西安科锐盛创新科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西,61